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METHOD OF MANUFACTURING NICKEL SILICIDE FILM AND MULTILAYER FILM STRUCTURE commons

Patent code P07A013147
File No. K11420000
Posted date Mar 10, 2008
Application number P2003-042270
Publication number P2004-253606A
Patent number P4009719
Date of filing Feb 20, 2003
Date of publication of application Sep 9, 2004
Date of registration Sep 14, 2007
Inventor
  • (In Japanese)財満 鎭明
  • (In Japanese)酒井 朗
  • (In Japanese)中塚 理
  • (In Japanese)安田 幸夫
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人名古屋大学
Title METHOD OF MANUFACTURING NICKEL SILICIDE FILM AND MULTILAYER FILM STRUCTURE commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a multilayer structure with a metal/semiconductor junction having a low-contact resistance.
SOLUTION: A method of manufacturing a nickel silicide film comprises processes of forming a silicon base film 12 containing carbon and prescribed impurities (B, P, As, Sb, Ga, Al or the like) on a silicon substrate 11, then forming a nickel film 13 on the silicon underlying film 12 so as to form a multilayered film intermediate structure 10, thermally treating the multilayered film intermediate structure 10 to form a nickel silicide film 15, and unevenly distributing the impurities in a surrounding region containing an interface between the residual silicon base film 12 and the nickel silicide film 15 at the same time.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


大規模集積回路技術の実現のためには、金属/半導体界面の接触抵抗を低減させることが不可欠である。近年、ニッケルシリサイド膜は、その低抵抗、並びに平坦な界面及び平面を有することから上述した積層構造における金属電極層として注目を浴びている。前記ニッケルシリサイド膜は、例えばp型シリコン基板上にニッケル膜を蒸着などによって形成した後、前記p型シリコン基板及び前記ニッケル膜を含む積層体を所定温度に加熱することにより、前記シリコン基板中のシリコン元素と前記ニッケル膜中のニッケル元素とを相互に拡散させることによって形成する。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、半導体デバイス工学などにおける金属/半導体接合を実現するニッケルシリサイド膜の作製方法に関し、さらには前記接合構造を有する多層膜構造体、並びにこの多層膜構造体を実現するための多層膜中間構造体に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
所定のシリコン基を準備する工程と、
前記シリコン基上に、所定の不純物および炭素を含有するシリコン下地膜を形成する工程と、前記シリコン下地膜上にニッケル膜を形成して、多層膜中間構造体を作製する工程と、
前記多層膜中間構造体に対して熱処理を施し、ニッケルシリサイド膜を形成する工程と、
を具え、前記不純物を前記シリコン下地膜と前記ニッケルシリサイド膜との界面に偏在させることを特徴とする、ニッケルシリサイド膜の作製方法。

【請求項2】
 
前記不純物は少なくとも前記シリコン下地膜の表層部分に含有させることを特徴とする、請求項1に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。

【請求項3】
 
前記不純物は前記シリコン下地膜の、厚さ方向において均一に含有させることを特徴とする、請求項1に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。

【請求項4】
 
前記炭素は、前記シリコン基中において0.001原子%から10原子%の割合で含有させることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。

【請求項5】
 
前記シリコン下地膜は前記不純物および炭素に加えてさらにゲルマニウムを含有することを特徴とする、請求項1~4のいずれか一に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。

【請求項6】
 
前記ゲルマニウムの含有量が1原子%から50原子%であることを特徴とする、請求項5に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。

【請求項7】
 
前記ニッケルシリサイド膜はNiSi相及びNiSi2相の少なくとも一方を含むことを特徴とする、請求項1~6のいずれか一に記載のニッケルシリサイド膜の作製方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2003042270thum.jpg
State of application right Registered
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