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パラジウム金属多孔質粒子の製造方法 コモンズ

国内特許コード P08A013963
整理番号 P05-019
掲載日 2008年10月31日
出願番号 特願2005-039806
公開番号 特開2006-225704
登録番号 特許第4415150号
出願日 平成17年2月16日(2005.2.16)
公開日 平成18年8月31日(2006.8.31)
登録日 平成21年12月4日(2009.12.4)
発明者
  • 長谷川 和幸
  • 服部 義之
  • 加納 博文
  • 金子 克美
出願人
  • 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 パラジウム金属多孔質粒子の製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】
より高効率なパラジウム金属多孔質粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール誘導体からなる乾燥フィルムにパラジウム化合物を分散吸着させる工程、加熱によりパラジウム化合物が分散吸着した乾燥フィルムを消失させる工程、を有するパラジウム金属多孔質粒子の製造方法とする。
【選択図】図1
産業上の利用分野


本発明は、多孔質のパラジウム金属粒子(以下「パラジウム金属多孔質粒子」という。)及びその製造方法に関する。



パラジウムは水素化反応、選択水素化反応、酸化反応、脱水素反応、水素化分解、脱ハロゲン、カルボニレーション、脱カルボニレーション、オレフィンの移動化反応、デオキソ反応、水素化精製など多くの反応に使用されており、触媒、吸着材、ガス吸蔵材、燃料電池用電極材、選択透過膜等の機能材料として有用である。パラジウムを触媒として用いた場合、表面において分解、付加、置換反応が行われ、しかもその反応が律速となるため、比表面積の大きなものほど触媒活性が高くなることが知られており、比表面積の大きなパラジウム金属粒子とすることが望まれている。またこのことは吸着材やガス吸蔵材として用いた場合においても同様である。



比表面積の大きなパラジウム金属粒子を得るための従来の方法としては、活性炭粉末や高分子マトリックスに原子、イオン、分子等の化学種を分散させ、高温焼成や水素還元することが行われている。これにより得られたパラジウム触媒は、多孔質な化学種/高分子複合体又は化学種/炭素複合体になっており大きな比表面積を有している(例えば下記非特許文献1参照)。
【非特許文献1】
室井高城、“工業貴金属触媒-実用貴金属触媒の実際と応用-”、幸書房、2003年5月、7頁

特許請求の範囲 【請求項1】
ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコール誘導体からなる乾燥フィルムにパラジウム化合物を分散吸着させ、前記ポリビニルアルコール又は前記ポリビニルアルコール誘導体のヒドロキシル基によって前記パラジウム化合物におけるパラジウムイオンをパラジウム金属に還元させる工程、
加熱により前記乾燥フィルムを消失させる工程、を有するパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項2】
前記加熱により前記乾燥フィルムを消失させる工程は、還元性又は非酸化性の雰囲気で行われることを特徴とする請求項1記載のパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項3】
前記乾燥フィルムにおける前記ポリビニルアルコール又は前記ポリビニルアルコール誘導体は、鹸化度が60%以上であり、更に、数平均分子量が500以上20000以下であることを特徴とする請求項1記載のパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項4】
前記乾燥フィルムにおける前記ポリビニルアルコール又は前記ポリビニルアルコール誘導体は、側鎖官能基の60%以上がヒドロキシル基であることを特徴とする請求項1記載のパラジウム金属多孔質粒子の製造方法。

【請求項5】
前記パラジウム化合物は、有機酸塩又は無機酸塩の少なくとも1種以上を含んでなることを特徴とする請求項1記載のパラジウム多孔質金属体の製造方法。

【請求項6】
前記加熱により前記乾燥フィルムを消失させる工程は、400℃以上900℃以下の範囲内の温度で行うことを特徴とする請求項1記載の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2005039806thum.jpg
出願権利状態 登録
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