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METHOD FOR FORMING SOLID COMPOUND FILM CONTAINING Si-O-Si BOND, MODIFICATION METHOD OF SOLID COMPOUND FILM INTO SILICON OXIDE, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND LITHOGRAPHIC RESIST

Patent code P08A014141
Posted date Dec 19, 2008
Application number P2003-064586
Publication number P2004-272049A
Patent number P3950967
Date of filing Mar 11, 2003
Date of publication of application Sep 30, 2004
Date of registration May 11, 2007
Inventor
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)高尾 寛弘
Applicant
  • (In Japanese)防衛装備庁長官
Title METHOD FOR FORMING SOLID COMPOUND FILM CONTAINING Si-O-Si BOND, MODIFICATION METHOD OF SOLID COMPOUND FILM INTO SILICON OXIDE, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND LITHOGRAPHIC RESIST
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To make a thin film of a solid compound containing a Si-O-Si bond and to form a fine pattern in a thin film of the solid compound containing the Si-O-Si bond.
SOLUTION: A compound containing a Si-O-Si bond is disposed as a target 10 in a film deposition chamber 1, and the surface of the target is irradiated with laser light at low energy density to perform ablation. A film having the same composition as the target composition is deposited on a substrate 20 opposing to the target 10. Further, by irradiating the solid compound film containing the Si-O-Si bond with vacuum UV laser light, only the exposed region is modified into silicon oxide (SiO2). Therefore, only the exposed part or the unexposed part can be chemically etched by selecting kinds of chemicals, and a fine pattern of the solid compound film containing the Si-O-Si bond or of a silicon oxide film can be formed.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜は、一部の種類において溶液のスピンコート法により形成されている。しかし、膜厚1μm以下の薄膜領域では、膜厚の精密な制御が困難である。また、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜の微細パターン形成は、露光光源に合わせた新規のSi-O-Si結合を含む固体化合物膜を開発し、リソグラフィー技術を利用して行う必要がある。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法及びパターン形成方法に係り、とくにSi-O-Si結合を含む固体化合物膜への真空紫外光照射による酸化ケイ素への改質方法、その後のエッチングとを組み合わせたパターン形成方法に関するものであり、従来困難とされてきたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜あるいは酸化ケイ素膜の微細パターン形成が可能となる。これらの結果は、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜が、次世代のF2レーザーリソグラフィー用レジストとして適用可能になる等、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物のターゲットに、前記ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm2未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜を形成し、前記同一組成の固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを、光の吸収係数の低い二酸化ケイ素に改質することを特徴とする真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法。

【請求項2】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物のターゲットに、前記ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm2未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜を形成し、前記同一組成の固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを、光の吸収係数の低い二酸化ケイ素に改質し、前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜の光吸収係数に制限されずに当該二酸化ケイ素への改質部を透過させて前記波長200nm以下の光をより深く侵入させることを特徴とする真空紫外光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物膜の酸化ケイ素への改質方法。

【請求項3】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物のターゲットに、前記ターゲットのアブレーションしきい値以上で90mJ/cm2未満の低い照射エネルギー密度のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上に前記ターゲットと同一組成の固体化合物膜を形成し、前記同一組成の固体化合物膜に波長200nm以下の光を照射し、露光部分のみを、光の吸収係数の低い二酸化ケイ素に改質した後、改質部あるいは未改質部いずれかを化学的あるいは物理的にエッチングして、Si-O-Si結合を含む固体化合物膜あるいは二酸化ケイ素膜のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2003064586thum.jpg
State of application right Registered
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