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METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION

Patent code P08A014143
Posted date Dec 19, 2008
Application number P2004-014439
Publication number P2005-206873A
Patent number P3947791
Date of filing Jan 22, 2004
Date of publication of application Aug 4, 2005
Date of registration Apr 27, 2007
Inventor
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)高尾 寛弘
Applicant
  • (In Japanese)防衛装備庁長官
Title METHOD OF FORMING FLUORINE-ADDED SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To form a fluorine-added silicon oxide film having excellent performance as an insulating material and an optical material for an electronic device on an optional substrate at room temperature without introducing gas from the outside.
SOLUTION: In the method of forming a fluorine-added silicon oxide film, organic polysiloxane 10 as a compound containing an Si-O-Si bond and polytetrafluoroethylene 11 as a compound containing a C-F bond are arranged in a vacuum vessel 1, a silicon substrate 20 as a substrate is arranged and, from a light source 30 containing light of a wavelength of ≤170 nm, light is radiated to the organic polysiloxane 10 and polytetrafluoroethylene 11 and also to the silicon substrate 20. Thus, gas is released from the exposed parts of the organic polysiloxane 10 and polytetrafluoroethylene 11, and, utilizing the gas, a fluorine-added silicon oxide film is chemically vapor-deposited on the silicon substrate 20 irradiated with the light.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


フッ素添加酸化ケイ素膜を形成する方法は、主に減圧容器内に種々の反応ガスを外部から導入し、加熱した基板上で熱分解させ膜形成する。



従来の方法では、フッ素添加酸化ケイ素膜形成のために高温を必要とするため、その基体使用に制限があった。つまり、熱影響を受けやすい基体(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成は困難であった。また基板の加熱とともに多くのガス供給路を確保する必要があり、装置が複雑であった。さらに、任意のパターンに膜形成を行うためには、化学的あるいは物理的エッチングの工程を必要としていた。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、電子デバイス用絶縁材料やフォトニクスを目的とした、Si-O-Si結合を含む化合物とC-F結合を含む化合物への光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法に係り、特にSi-O-Si結合を含む化合物(例、ポリシロキサン)とC-F結合[例、テフロン(商品名)]を含む化合物を、波長170nm以下の光を含む光源により露光し、同化合物から放出される気体を利用して、フッ素添加酸化ケイ素膜を化学蒸着する膜形成法に関するものであり、従来困難とされてきた熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、また気体を外部から導入する必要がないことから、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
減圧した容器内に設置したSi-O-Si結合を含む化合物とC-F結合を含む化合物を、波長170nm以下の光を含む光源により露光するとともに、基体に前記光源又は別の光源からの波長170nm以下の光を照射し、前記化合物から放出される気体を利用して、フッ素が添加された酸化ケイ素膜を前記基体上に化学蒸着することを特徴とするフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項2】
 
前記フッ素添加酸化ケイ素膜を、常温の任意の前記基体上に形成する請求項1記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項3】
 
前記フッ素添加酸化ケイ素膜を、所定のパターンに形成する請求項1又は2記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項4】
 
前記フッ素添加酸化ケイ素膜を、外部から気体を供給することなく形成する請求項1,2又は3記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項5】
 
前記化合物を露光する光エネルギー密度及び前記基体に照射する光エネルギー密度の両方を変化させることで、屈折率の異なる前記フッ素添加酸化ケイ素膜を形成する請求項1,2,3又は4記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項6】
 
前記化合物を露光する光エネルギー密度及び前記基体に照射する光エネルギー密度の両方を変化させることで、誘電率の異なる前記フッ素添加酸化ケイ素膜を形成する請求項1,2,3又は4記載のフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2004014439thum.jpg
State of application right Registered
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