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METHOD FOR PRODUCING GRAPHENE SHEET meetings

Patent code P08P006561
Posted date Mar 27, 2009
Application number P2007-233535
Publication number P2009-062247A
Patent number P5137066
Date of filing Sep 10, 2007
Date of publication of application Mar 26, 2009
Date of registration Nov 22, 2012
Inventor
  • (In Japanese)橋本 明弘
  • (In Japanese)田中 悟
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人福井大学
Title METHOD FOR PRODUCING GRAPHENE SHEET meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method by which a graphene sheet with a large area can be easily produced.
SOLUTION: The method for producing a graphene sheet comprises: a step where a heat resistant working substrate is prepared; a step where a graphene sheet-forming face containing carbon with a crystal structure similar to the crystal structure of carbon composing a graphene sheet is positioned to a prescribed position on the working substrate at dimensions in accordance with the area of the graphene sheet to be formed; a step where a CNT formation preventing treatment preventing the rounding of the formed graphene sheet is performed on the graphene sheet-forming face; and a step where the graphene sheet-forming sheet is heated in a vacuum or in a prescribed gas atmosphere, and the components other than carbon composing the graphene sheet-forming face are removed, and by controlling the heating time and heating temperature, at least one layer of graphene sheet is formed on the graphene sheet-forming face.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


グラフェンシートは、種々の優れた電気的、機械的及び熱的特性を有するため、エレクトロニクス分野や燃料電池の分野をはじめとして、広範な分野での利用が期待されている。このようなグラフェンシートは、粘着テープ等を使ってグラファイトの表面から剥ぎ取ることで得ていた(例えば、非特許文献1参照)。
【非特許文献1】
Electric Field Effect inAtomically Thin Carbon Films(K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov p.666-669、特にp667の左欄2段落目参照)

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、グラフェンシートの製造方法、特に、大面積のグラフェンシートの製造が可能な方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
耐熱性の作業基板を準備する工程と、
六方晶系結晶構造を有するSiCのグラフェンシート形成面を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で前記作業基板上の所定位置に位置決めする工程と、
前記グラフェンシート形成面を4°を越え13°以下のオフ角を有するように形成して前記グラフェンシートの丸まりを阻止するCNT化阻止処理を施す工程と、
前記グラフェンシート形成面を真空中又は所定のガス雰囲気中で加熱し、前記グラフェンシート形成面を構成する炭素以外の他の成分を除去する工程と、
を有し、前記加熱時間と前記加熱温度とを制御することで、前記グラフェンシート形成面に少なくとも一層のグラフェンシートを形成すること、
を特徴とするグラフェンシートの製造方法。

【請求項2】
 
前記CNT化阻止処理が、水素雰囲気中で前記グラフェンシート形成面を加熱してなるステップバンチングであることを特徴とする請求項1に記載のグラフェンシートの製造方法。

【請求項3】
 
不活性ガスの雰囲気中で前記グラフェンシート形成面を加熱することを特徴とする請求項1又は2に記載のグラフェンシートの製造方法。

【請求項4】
 
前記グラフェンシート形成面の一部に耐熱性のマスキングを施し、加熱して前記他の成分を除去した後、前記マスキングを除去することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のグラフェンシートの製造方法。

【請求項5】
 
表面を活性化させた転写用基板又は表面に転写剤を塗布した転写用基板を準備し、この転写用基板を前記グラフェンシート形成面に押し付け、前記グラフェンシート形成面から前記転写用基板に少なくとも一層のグラフェンシートを転写することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載のグラフェンシートの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2007233535thum.jpg
State of application right Registered
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