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RAW MATERIAL GAS JETTING NOZZLE, AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS

Patent code P09A014447
File No. 1247
Posted date May 8, 2009
Application number P2006-083679
Publication number P2007-254869A
Patent number P4940425
Date of filing Mar 24, 2006
Date of publication of application Oct 4, 2007
Date of registration Mar 9, 2012
Inventor
  • (In Japanese)川原村 敏幸
  • (In Japanese)西中 浩之
  • (In Japanese)藤田 静雄
  • (In Japanese)谷垣 昌敬
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人京都大学
Title RAW MATERIAL GAS JETTING NOZZLE, AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a raw material gas jetting nozzle capable of attaining low surface roughness of a film deposited on the surface of a substrate when the nozzle is used for depositing the film on the substrate by the CVD method, and also suitable for the application to aerosol floating gas to be used for film deposition of a large substrate, and a chemical vapor deposition apparatus having the same.
SOLUTION: The raw material gas jetting nozzle 1 comprises a gas storage part 9 constituted of a lower side plate member 2, a back side plate member 3, a first top side plate member 4, a second top side plate member 5, a third top side plate member 6, and side plate members 7, 8, a raw material gas jetting part 10, and raw material gas feed pipes 11, 12. The raw material gas jetting nozzle 1 is installed in a film deposition chamber in a chemical vapor deposition apparatus so that the raw material gas jetting direction is orthogonal to the direction parallel to the plane of a substrate placed on a substrate placement table.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来の流体の整流が可能なノズルとしては、次のような特許文献が開示されている。
【特許文献1】
特開2000-334333号公報



具体的には、上記特許文献1に、矩形筒体の上流側中央付近に流体の導入部を備え、この導入部から流入した流体を整流する整流部を筒体内に配置し、この整流部で整流した流体を矩形筒体の導出部位置に設けた噴射ノズルから噴射する流体の整流機構において、前記流体の導入部と整流部の間の領域に、筒体の中央部方向に流れる流体を筒体の四隅部及び四辺部方向に分散させるための分散整流板を設けたことを特徴とする流体の整流機構が開示されている。この特許文献1の整流機構を備えた噴射ノズルによると、製品の乾燥、熱処理又は焼付け、水切り、エアカーテン、流体シャワー、除塵等の現場で、流体を噴射する際に、流体の流速及び温度分布を均一に揃えることができる。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、CVD法(化学的気相成膜法)によって基板に膜を形成する際の原料ガスの整流に用いられる噴出用ノズル、及び、これを備えた化学的気相成膜装置であり、特に、エアロゾル浮遊ガスを原料ガスとするときに好適なものに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
原料ガスであるエアロゾル浮遊ガスを内部に供給するための1つ以上の原料ガス供給口と、
前記原料ガス供給口から供給された原料ガスが衝突する内壁面とともに、90°未満の内角を有する乱流発生空間を形成する第1の平面、及び、前記第1の平面とテーパー形状を形成する第2の平面を有している突起部と、を備えているガスだまり部、並びに、
一端に形成された開口部と、前記ガスだまり部から前記開口部まで原料ガスを導出する導出部とを有する原料ガス噴出部、
を備えていることを特徴とする原料ガス噴出用ノズル。

【請求項2】
 
前記導出部内部の壁面に平面を有しており、
前記第2の平面と前記導出部の平面とが、同一平面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の原料ガス噴出用ノズル。

【請求項3】
 
前記導出部の内部空間が、前記ガスだまり部からつば状に突き出た形状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の原料ガス噴出用ノズル。

【請求項4】
 
前記ガスだまり部が、前記原料ガス供給口側から前記導出部側へ向かって断面積が減少する平滑な誘導面を有していることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の原料ガス噴出用ノズル。

【請求項5】
 
前記原料ガス噴出部の前記開口部を含む先端部分が先細り形状となるように形成されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載の原料ガス噴出用ノズル。

【請求項6】
 
前記ガスだまり部又は/及び原料ガス噴出部の内部における原料ガスを加温して、該原料ガスをミスト化させるとともに整流するための加温器を有していることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載の原料ガス噴出用ノズル。

【請求項7】
 
請求項1~6のいずれか1項に記載の原料ガス噴出用ノズルと、
前記ガスだまり部に接続され開口された1つ以上の原料ガス供給管と、
前記開口部に接続されている成膜室とを備え、
前記成膜室に配置した基板の表面に前記原料ガス噴出用ノズルから原料ガスを噴出させ、基板の表面に膜を生成する化学的気相成膜装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2006083679thum.jpg
State of application right Registered
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