Top > Search of Japanese Patents > ZINC OXIDE SYSTEM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

ZINC OXIDE SYSTEM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

Patent code P09A014707
File No. PA20-008-1
Posted date Oct 23, 2009
Application number P2008-035297
Publication number P2009-170392A
Patent number P5363742
Date of filing Jan 20, 2008
Date of publication of application Jul 30, 2009
Date of registration Sep 13, 2013
Inventor
  • (In Japanese)南 内嗣
  • (In Japanese)宮田 俊弘
Applicant
  • (In Japanese)学校法人金沢工業大学
Title ZINC OXIDE SYSTEM TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transparent conductive film in which zinc oxide with low resistivity, moisture-resistant stability of resistivity, and smaller film-thickness dependency is a basic material, its manufacturing technique, and an oxide sintering body for manufacturing a thin film.
SOLUTION: For example, regarding a transparent conductive film wherein molybdenum is added to aluminum-added zinc oxide (AZO), the zinc oxide-based transparent conductive film with low resistivity, moisture-resistant stability of the resistivity, and improved film-thickness dependency can be obtained by a zinc oxide-based sintering body target manufactured with an aluminum content of more than 1% and less than 8% in an atom ratio of Al/(Zn+Al+Mo) and a molybdenum content of more than 0.1% and less than 1% in an atom ratio of Mo/(Zn+Al+Mo) or a magnetron sputtering method using pellets.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

ITO(Indium Tin Oxide)薄膜は、低抵抗率で可視光に対して高い透過率を示すことから、液晶ディスプレイを中心としたフラットパネルディスプレイやタッチパネル、太陽電池などの透明電極として幅広く用いられている。しかし、近年、ITOの原材料であるインジウム価格の高騰、資源問題等による安定供給不安からインジウムを使用しない透明導電膜(ITO代替材料)への関心が高まっている。ITO代替材料としては、酸化亜鉛、酸化スズを母材とした材料が知られているが、特に、酸化亜鉛にアルミニウムを添加した膜(以下AZOと略記する)では、1.9×10-4ΩcmというITOに匹敵する値が報告されている(例えば非特許文献1参照)。


酸化亜鉛を母材とする膜の形成方法としては、高周波(rf)マグネトロンスパッタリング法、直流(dc)マグネトロンスパッタリング法、パルスレーザー蒸着法、真空アークプラズマ蒸着法、イオンプレーティング法などをあげることができる。上記、1.9×10-4Ωcmという値は、rfマグネトロンスパッタリング法により得られている。しかし、フラットパネルディスプレイの製造工程では、大面積均一成膜および高速成膜が必要とされ、液晶ディスプレイ(LCD)を始め多くのフラットパネルディスプレイ用の透明電極製造にはdcマグネトロンスパッタリング法が採用されている。そのため既存の製造工程への対応を考えた場合には、このdcマグネトロンスパッタリング法で実用的特性を示す膜を形成する必要がある。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、フラットパネルディスプレイやタッチパネルなどに使用される透明導電膜及びその成膜に使用するマグネトロンスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
鉛、アルミニウム、珪素、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、珪素がSi/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Si+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有された焼結体ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含む液晶ディスプレイまたはタッチパネルを有し、
前記酸化亜鉛系透明導電膜は、厚さが200nm未満であって少なくともアルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする機器。

【請求項2】
 
鉛、アルミニウム、ガリウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、ガリウムがGa/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+Ga+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有された焼結体ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含む液晶ディスプレイまたはタッチパネルを有し、
前記酸化亜鉛系透明導電膜は、厚さが200nm未満であって少なくともアルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする機器。

【請求項3】
 
鉛、アルミニウム、インジウム、モリブデンおよび酸素からなり、アルミニウムがAl/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有され、インジウムがIn/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有され、且つモリブデンがMo/(Zn+Al+In+Mo)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有された焼結体ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリング法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜を含む液晶ディスプレイまたはタッチパネルを有し、
前記酸化亜鉛系透明導電膜は、厚さが200nm未満であって少なくともアルミニウムがドナーとして作用し、モリブデンが抵抗率特性の膜厚依存性の抑制に対して作用することを特徴とする機器。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2008035297thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close