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PHOSPHOR FOR COLLISION EXCITATION TYPE EL, MANUFACTURING METHOD OF PHOSPHOR FOR COLLISION EXCITATION TYPE EL, THIN FILM EL DEVICE, THIN FILM EL DISPLAY, AND THIN FILM EL LAMP

Patent code P09A014967
File No. PA20-005 -2
Posted date Jan 22, 2010
Application number P2008-222217
Publication number P2009-256573A
Patent number P5283166
Date of filing Aug 29, 2008
Date of publication of application Nov 5, 2009
Date of registration Jun 7, 2013
Priority data
  • P2008-082126 (Mar 26, 2008) JP
Inventor
  • (In Japanese)南 内嗣
  • (In Japanese)宮田 俊弘
Applicant
  • (In Japanese)学校法人金沢工業大学
Title PHOSPHOR FOR COLLISION EXCITATION TYPE EL, MANUFACTURING METHOD OF PHOSPHOR FOR COLLISION EXCITATION TYPE EL, THIN FILM EL DEVICE, THIN FILM EL DISPLAY, AND THIN FILM EL LAMP
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a phosphor for a collision excitation type EL realizing novel full color light emission using as the base material a chemically extremely stable compound or composite oxide, a manufacturing method of a thin film of the phosphor, a thin film EL device using a thin film of the phosphor for a light emitting layer, a thin film EL display using the thin film EL device, and an EL lamp.
SOLUTION: The phosphor for a collision excitation type electroluminescence contains a base material including a compound or a composite oxide having at least lanthanum (La) and oxygen (O) as its constituent elements, and at least one or more of metal elements as an activator.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来の衝突励起型薄膜エレクトロルミネッセンス素子(以下薄膜EL素子と呼ぶ)用蛍光体としては、古くから硫化亜鉛(ZnS)を中心とする硫化物が多用されている。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、エレクトロルミネッセンス素子に好適な蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
化ランタン(La2O3)からなる母体材料に、付活剤としてビスマス(Bi)を含有することを特徴とする衝突励起型EL用蛍光体。

【請求項2】
 
活剤としてのビスマス(Bi)をLaに対して0.1~10原子%含有することを特徴とする請求項1に記載の衝突励起型EL用蛍光体。

【請求項3】
 
フォトルミネッセンススペクトルのピーク波長が450~500nmの範囲にあることを特徴とする請求項1または2に記載の衝突励起型EL用蛍光体。

【請求項4】
 
フォトルミネッセンススペクトルの半値幅が100nm以下であることを特徴とする請求項3に記載の衝突励起型EL用蛍光体。

【請求項5】
 
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の衝突励起型EL用蛍光体を基体上に薄膜として形成した後、不活性ガスもしくは弱酸化性ガス雰囲気中で1050℃以下で熱処理することを特徴とする衝突励起型EL用蛍光体薄膜の製造方法。

【請求項6】
 
請求項5に記載の衝突励起型EL用蛍光体薄膜を発光層として使用することを特徴とする薄膜EL素子。

【請求項7】
 
前記発光層の片面もしくは両面に励起効率の向上を目的としてキャリア加速層が挿入されている構造であることを特徴とする請求項6に記載の薄膜EL素子。

【請求項8】
 
記キャリア加速層が硫化亜鉛(ZnS)であることを特徴とする請求項7に記載の薄膜EL素子。

【請求項9】
 
絶縁性の基体と、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の衝突励起型EL用蛍光体を用いて前記基体の上に形成された発光層と、
前記発光層の上に形成された保護層と、
を備える薄膜EL素子。

【請求項10】
 
前記保護層は、硫化亜鉛(ZnS)を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄膜EL素子。

【請求項11】
 
1kHz正弦波交流電圧を前記発光層に印加した場合のエレクトロルミネッセンススペクトルのピーク波長が450~500nmの範囲であることを特徴とする請求項9または10に記載の薄膜EL素子。

【請求項12】
 
エレクトロルミネッセンススペクトルの半値幅が100nm以下であることを特徴とする請求項11に記載の薄膜EL素子。

【請求項13】
 
請求項6乃至12のいずれか1項に記載の薄膜EL素子を用いる薄膜ELディスプレイ。

【請求項14】
 
請求項6乃至12のいずれか1項に記載の薄膜EL素子を用いる薄膜ELランプ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
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