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METHOD OF CULTURING AND APPARATUS FOR THE SAME meetings

Patent code P09A015314
Posted date Mar 5, 2010
Application number P2007-145786
Publication number P2008-295382A
Patent number P4911516
Date of filing May 31, 2007
Date of publication of application Dec 11, 2008
Date of registration Jan 27, 2012
Inventor
  • (In Japanese)福田 淳二
  • (In Japanese)鈴木 博章
  • (In Japanese)稲葉 里奈
  • (In Japanese)岡村 健太郎
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人横浜国立大学
Title METHOD OF CULTURING AND APPARATUS FOR THE SAME meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of culturing and an apparatus for the same, superior in operability for recovering cells.
SOLUTION: This method of culturing includes a first step 10 of culturing by attaching the cells on the surface of an electrode bonded with a spacer material via a thiolate, and a second step 20 of disconnecting the cells from the surface of the electrode, by impressing electric potential for reductively disconnecting the spacer material on the surface of the electrode having the cells stuck thereon.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、基材表面に接着した状態で培養した細胞を回収する方法としては、例えば、タンパク質分解酵素やキレート剤を使用する方法、磁力を使用する方法(特許文献1参照)、温度応答性高分子を使用する方法(特許文献2参照)、光応答性高分子を使用する方法(特許文献3参照)、静電的反発力を使用する方法(特許文献4参照)があった。
【特許文献1】
特開2005-312386号公報
【特許文献2】
特開2005-102612号公報
【特許文献3】
国際公開第2002/008387号パンフレット
【特許文献4】
特開平10-42857号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、培養方法及び培養装置に関し、特に、接着状態で培養した細胞を回収できる培養方法及び培養装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
チオレートを介してスペーサ物質が結合することにより自己組織化単分子膜が形成された電極表面に細胞を接着させて培養する第一工程と、
前記細胞が接着している前記電極表面に、前記スペーサ物質が還元脱離する電位を印加して、前記細胞を前記電極表面から脱離させる第二工程と、
を含む
ことを特徴とする培養方法。

【請求項2】
 
前記第一工程において、前記電極表面に前記細胞を含む組織体を接着させて培養し、
前記第二工程において、前記組織体が接着している前記電極表面に、前記スペーサ物質の還元脱離ピーク電位より負の一定電位を連続的に印加して、前記組織体を前記電極表面から脱離させる
ことを特徴とする請求項1に記載の培養方法。

【請求項3】
 
チオレートを介してスペーサ物質が結合することにより自己組織化単分子膜が形成された電極表面を含む電極部と、
前記電極表面に接着した細胞を培養するための培養部と、
前記細胞が接着している前記電極表面に、前記スペーサ物質が還元脱離する電位を印加
するための電位印加部と、
を備えた
ことを特徴とする培養装置。

【請求項4】
 
前記電極表面に接着した前記細胞を含む組織体を培養するための前記培養部と、
前記組織体が接着している前記電極表面に、前記スペーサ物質の還元脱離ピーク電位より負の一定電位を連続的に印加するための前記電位印加部と、
を備えた
ことを特徴とする請求項3に記載の培養装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2007145786thum.jpg
State of application right Registered
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