Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法及び分解法
| 国内特許コード | P10A015403 |
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| 掲載日 | 2010年4月23日 |
| 出願番号 | 特願2005-035669 |
| 公開番号 | 特開2006-219354 |
| 登録番号 | 特許第4206478号 |
| 出願日 | 平成17年2月14日(2005.2.14) |
| 公開日 | 平成18年8月24日(2006.8.24) |
| 登録日 | 平成20年10月31日(2008.10.31) |
| 発明者 |
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| 出願人 |
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| 発明の名称 | Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法及び分解法 |
| 発明の概要 |
【課題】 溶接する際に、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を材料に生じさせず、接合後に分解でき部品の再利用が可能な、シリカガラス材料を中心とした光化学的溶接法を確立する。 【解決手段】 本発明では、真空紫外Ｆ２レーザー（波長１５７ｎｍ）により、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を光化学的にシリカガラスに改質する過程において、所望の被接合材料を接触させておくことにより、非熱的に材料を接合させる光化学的溶接を行う。その結果、熱による材料の変質・変形が皆無で、かつ希フッ酸の中に短時間浸漬することにより、接合後の分解もでき、部品の再利用が可能となる。 【選択図】 図１ |
| 従来技術、競合技術の概要 |
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| 産業上の利用分野 |
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| 特許請求の範囲 |
【請求項1】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、被接合材料としてのシリカガラス材料を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス材料との界面に波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項2】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製板を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製板との界面に、前記シリカガラス製板を通して波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項3】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製角柱を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製角柱との界面に、前記シリカガラス製角柱を通して波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項4】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製光ファイバーを接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製光ファイバーとの界面に、前記シリカガラス製光ファイバーを通して波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項5】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製微小球を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製微小球との界面に、前記シリカガラス製微小球を通して波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項6】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製レンズを接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製レンズとの界面に、前記シリカガラス製レンズを通して波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項7】 Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製中空ファイバーを接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製中空ファイバーとの界面に、前記シリカガラス製中空ファイバーを通して波長１９０ｎｍ以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりＳｉＯ２に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。 【請求項8】 請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の光化学的溶接法により接合された前記シリコーンゴムと前記被接合材料としてのシリカガラス材料とを、フッ酸を例とするシリカガラスを溶解可能な薬品に浸漬することにより、前記シリコーンゴムと前記被接合材料とに分解することを特徴とする分解法。 |
| 国際特許分類(IPC) |
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| Fターム |
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画像
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| 出願権利状態 | 登録 |
英語項目の表示
| 発明の名称 | PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND |
|---|---|
| 発明の概要 |
PROBLEM TO BE SOLVED: To establish a photochemical welding method mainly for a silica glass material, where thermal defects such as local deterioration, deformation and the like are not caused during welding, and where components are reusable because of their decomposability after joining. SOLUTION: The photochemical welding method where a material is joined, without heat, by bringing it into contact with a desired material to be joined in a step to photochemically convert a compound containing an Si-O-Si bond to silica glass using a vacuum ultraviolet F2 laser (wavelength of 157 nm) is provided. As a result, the components can be reused because the thermal deterioration and the deformation of the material are not caused and because decomposition after joining can be performed by the dip thereof in dilute hydrofluoric acid for a short time. |
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