Top > Search of Japanese Patents > PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND

PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND

Patent code P10A015403
Posted date Apr 23, 2010
Application number P2005-035669
Publication number P2006-219354A
Patent number P4206478
Date of filing Feb 14, 2005
Date of publication of application Aug 24, 2006
Date of registration Oct 31, 2008
Inventor
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
Applicant
  • (In Japanese)防衛装備庁長官
Title PHOTOCHEMICAL WELDING METHOD AND DECOMPOSING METHOD USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To establish a photochemical welding method mainly for a silica glass material, where thermal defects such as local deterioration, deformation and the like are not caused during welding, and where components are reusable because of their decomposability after joining.
SOLUTION: The photochemical welding method where a material is joined, without heat, by bringing it into contact with a desired material to be joined in a step to photochemically convert a compound containing an Si-O-Si bond to silica glass using a vacuum ultraviolet F2 laser (wavelength of 157 nm) is provided. As a result, the components can be reused because the thermal deterioration and the deformation of the material are not caused and because decomposition after joining can be performed by the dip thereof in dilute hydrofluoric acid for a short time.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


溶接とは一般に、2つ以上の金属部品を局所的に加熱溶融させることにより冶金的に接合させることをいう。接合強度が強く、材料の形状や材質に関する制限が少ない等の多くの利点がある。従って、金属のみならず、ガラスやプラスチックにも適用されている接合手法である。しかし、熱による局所的な変質や変形等、材料に欠陥が生じやすいこと、接合後に分解ができない等の欠点がある。特にガラスやプラスチックの場合、さらには溶接スケールがミクロン領域と微小となる場合、前者欠点がデバイス製作において致命的となる場合が多い。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、材料の溶接法に係り、とくにSi-O-Si結合を含む化合物に、所望の被接合材料を接触させ、その界面に波長190nm以下(真空紫外若しくはそれ以下の波長)の光を照射することにより、熱による材料の変質・変形が皆無な非熱的溶接を可能としたSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法に関する。また、前記光化学的溶接法により接合された前記Si-O-Si結合を含む化合物と前記被接合材料とを、フッ酸を例とするシリカガラス(SiO2)を溶解可能な薬品に浸漬することにより、再利用可能なように分解できる分解法に関する。本発明は、光回路やマイクロ化学分析システム等のマイクロ・ナノデバイス製作へ適用可能となる等、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、被接合材料としてのシリカガラス材料を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス材料との界面に波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項2】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長190nm以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製板を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製板との界面に、前記シリカガラス製板を通して波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項3】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長190nm以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製角柱を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製角柱との界面に、前記シリカガラス製角柱を通して波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項4】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長190nm以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製光ファイバーを接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製光ファイバーとの界面に、前記シリカガラス製光ファイバーを通して波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項5】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長190nm以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製微小球を接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製微小球との界面に、前記シリカガラス製微小球を通して波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項6】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長190nm以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製レンズを接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製レンズとの界面に、前記シリカガラス製レンズを通して波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項7】
 
Si-O-Si結合を含む固体化合物としてのシリコーンゴムに、波長190nm以下の光を透過させる被接合材料としてのシリカガラス製中空ファイバーを接触させ、前記シリコーンゴムと前記シリカガラス製中空ファイバーとの界面に、前記シリカガラス製中空ファイバーを通して波長190nm以下の光を照射して、前記シリコーンゴムが分子開裂によりSiO2に改質された光化学的溶接部を前記界面に形成することを特徴とするSi-O-Si結合を含む化合物を用いた光化学的溶接法。

【請求項8】
 
請求項1,2,3,4,5,6又は7記載の光化学的溶接法により接合された前記シリコーンゴムと前記被接合材料としてのシリカガラス材料とを、フッ酸を例とするシリカガラスを溶解可能な薬品に浸漬することにより、前記シリコーンゴムと前記被接合材料とに分解することを特徴とする分解法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2005035669thum.jpg
State of application right Registered
(In Japanese)ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close