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METHOD FOR ISOLATING AND REFINING LIGNOPHENOLIC DERIVATIVE

Patent code P10P006674
File No. B74P12
Posted date May 14, 2010
Application number P2008-269241
Publication number P2010-095488A
Patent number P4877635
Date of filing Oct 18, 2008
Date of publication of application Apr 30, 2010
Date of registration Dec 9, 2011
Inventor
  • (In Japanese)舩岡 正光
  • (In Japanese)三亀 啓吾
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title METHOD FOR ISOLATING AND REFINING LIGNOPHENOLIC DERIVATIVE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for efficiently isolating and refining a lignophenolic derivative.
SOLUTION: The method for isolating and refining the lignophenolic derivative includes: (1) a step of bringing an alkali metal compound and a lignophenolic derivative-containing phenolic derivative solution into contact with each other to fractionate the system into an insoluble fraction and an affinity layer; and (2) a step of adding the resultant phenolic derivative solution layer to a poor solvent for the lignophenolic derivative to isolate the resulting precipitate.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


これまで廃棄又は焼却して処分していた木材や草、廃木材、建築廃材等のバイオマス由来のリグニンを有効に活用するための研究開発が、近時、盛んに行われている。リグニンを利用する技術として、例えば特許文献1には、植物由来のリグニンをフェノール誘導体及び酸と反応させてリグノフェノール誘導体に変換して分離精製する、リグノフェノール誘導体の製造方法が開示されている。



このリグノフェノール誘導体の製造方法は、以下の工程からなる。
(1)リグノセルロース系材料であるバイオマスにフェノール誘導体(具体的にはp-クレゾール)と酸(具体的には硫酸)を加え、リグニンをフェノール誘導体で溶媒和すると共に炭水化物を加水分解する工程、
(2)フェノール誘導体層を酸と分離する工程、
(3)得られたフェノール誘導体層をリグノフェノール誘導体の貧溶媒(具体的にはジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル)に滴下して、リグノフェノール誘導体をフェノール誘導体と分離して不溶区分として回収する工程(1次精製)、
(4)得られた不溶区分をアセトンに溶解してさらにリグノフェノール誘導体の貧溶媒に滴下することにより、不溶区分に含まれるフェノール誘導体を分離してリグノフェノール誘導体を回収する工程(2次精製)。



得られたリグノフェノール誘導体は、各種の材料に塗布し、乾燥して成形体とすることができる。また、リグノフェノール誘導体はアセトンに溶けるため、成形体が不要となった場合でも回収することが容易であり、繰り返し利用が可能であるという利点がある。
さらに、成形体以外の塗料以外の用途についても電子や電気用材料、医薬などへの幅広い応用が期待されている。
【特許文献1】
特開平02-233701号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、バイオマス由来のフェノール性リグニン系高分子(以下、リグノフェノール誘導体という)の分離精製方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
リグノフェノール誘導体を含むフェノール誘導体溶液とアルカリ金属化合物とをリグノフェノール誘導体の親溶媒の存在下で接触させ、不溶区分と親和層とに分画する工程と、
得られた親和層をリグノフェノール誘導体の貧溶媒に加え、沈殿物を分離する工程と、
を含むリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項2】
 
前記リグノフェノール誘導体を含むフェノール誘導体溶液が酸を含有する、請求項1記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項3】
 
前記アルカリ金属化合物が、弱塩基性のアルカリ金属塩である、請求項1又は2に記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項4】
 
前記弱塩基性のアルカリ金属塩が、ナトリウムの炭酸塩である、請求項3記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項5】
 
前記リグノフェノール誘導体の親溶媒が、アルキルケトン類、非プロトン極性溶媒、環状エーテル類、ヘテロ環状化合物、アルコール類から選ばれる溶媒である、請求項1~4のいずれかに記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項6】
 
前記リグノフェノール誘導体の貧溶媒が、非対称エーテル類、対称アルキルエーテル、環状炭化水素類、直鎖状炭化水素から選ばれる溶媒である、請求項1~4いずれかに記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項7】
 
前記アルカリ金属化合物が炭酸水素ナトリウム又は炭酸ナトリウムであり、前記リグノフェノール誘導体の貧溶媒がジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル又はn-ヘキサンである、請求項1記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項8】
 
前記アルカリ金属化合物が炭酸水素ナトリウム又は炭酸ナトリウムであり、前記リグノフェノール誘導体の親溶媒がアセトンであり、前記リグノフェノール誘導体の貧溶媒がジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル又はn-ヘキサンである、請求項1記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。

【請求項9】
 
前記リグノフェノール誘導体を含むフェノール誘導体溶液とアルカリ金属化合物との接触がpH9以下で行われる、請求項1~8のいずれかに記載のリグノフェノール誘導体の分離精製方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2008269241thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) SORST Selected in Fiscal 2004
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