Top > Search of Japanese Patents > METHOD FOR MODIFYING SURFACE OF AMORPHOUS CARBON FILM

METHOD FOR MODIFYING SURFACE OF AMORPHOUS CARBON FILM foreign

Patent code P100000300
File No. TDU-160
Posted date Aug 7, 2009
Application number P2009-050836
Publication number P2010-202466A
Patent number P5467452
Date of filing Mar 4, 2009
Date of publication of application Sep 16, 2010
Date of registration Feb 7, 2014
Inventor
  • (In Japanese)平栗 健二
  • (In Japanese)金杉 和弥
  • (In Japanese)星野 祐太
Applicant
  • (In Japanese)学校法人東京電機大学
Title METHOD FOR MODIFYING SURFACE OF AMORPHOUS CARBON FILM foreign
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for modifying the surface of an amorphous carbon film, by which effectiveness of surface modification using a silane coupling agent is enhanced.
SOLUTION: The method for modifying the surface of the amorphous carbon film includes a step for etching the surface 21 of an amorphous carbon film 2 by using an inert gas and a step for treating the etched surface 21 of the amorphous carbon film 2 by using a silane coupling agent.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)



ダイヤモンド状炭素(DLC)膜等の非晶質状炭素膜は、生体適合性や化学的安定性等の優れた特性を有する。このことから、非晶質状炭素膜を医療用デバイスの表面に形成すること等が期待されている。このとき、非晶質状炭素膜が更に高い生体適合性を得るために、カップリング剤を用いて非晶質状炭素膜の表面処理を行うことが有効である。





材料表面の耐水性や耐磨耗性、生体適合性等の特性を新たに付加する後処理手段として、シランカップリング剤が広く応用されている。このため、シランカップリング剤を用いたDLC膜の表面処理等が提案されている(例えば、特許文献1参照。)

Field of industrial application (In Japanese)



本発明は、非晶質状炭素膜の表面改質方法に係り、特にシランカップリング剤を用いた非晶質状炭素膜の表面改質方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
不活性ガスを用いて非晶質状炭素膜の表面をエッチング処理するステップと、
前記エッチング処理された前記非晶質状炭素膜の表面を、シランカップリング剤を用いて表面処理するステップと
を含むことを特徴とする非晶質状炭素膜の表面改質方法。

【請求項2】
 
前記エッチング処理がプラズマエッチング処理であることを特徴とする請求項1に記載の非晶質状炭素膜の表面改質方法。

【請求項3】
 
前記不活性ガスがアルゴンガスであることを特徴とする請求項1又は2に記載の非晶質状炭素膜の表面改質方法。

【請求項4】
 
前記エッチング処理によって前記非晶質状炭素膜の表面に未結合手を生成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の非晶質状炭素膜の表面改質方法。

【請求項5】
 
前記非晶質状炭素膜がダイヤモンド状炭素膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の非晶質状炭素膜の表面改質方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2009050836thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close