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ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Cu PLATING METHOD

Patent code P100000422
File No. NI0800103
Posted date Nov 20, 2009
Application number P2009-065067
Publication number P2010-215978A
Patent number P5453602
Date of filing Mar 17, 2009
Date of publication of application Sep 30, 2010
Date of registration Jan 17, 2014
Inventor
  • (In Japanese)新井 進
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人信州大学
Title ELECTROLESS Cu PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Cu PLATING METHOD
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroless Cu plating liquid capable of favorably incorporating carbon nanotubes (CNT) into a plating film.
SOLUTION: A trimethylcetyl ammonium salt is added by about 1.0×10-3M to 2.0×10-3M as the dispersant of CNT. The trimethylcetyl ammonium salt is preferably trimethylcetyl ammonium chloride. The state of CNT can be adjusted in accordance with plating conditions, to a state that CNT is completely embedded in an electroless Cu plating film or to a state that tops of CNT protrude from the surface of an electroless Cu plating film. When the tops of CNT protrude from the surface of a plating film, the obtained plated material has excellent sliding characteristics. When the CNT is embedded into an electroless Cu plating film, it is expected that the plating film has electromagnetic wave shielding property at frequencies as high as up to 100 kHz to several GHz with about 2 μm thickness of the plating film.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)



発明者は、めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体とを添加して、該分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維(カーボンナノチューブ:CNT)もしくはその誘導体(以下、これらをCNTと総称する)を分散させ、めっきを施して、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜を形成するめっき方法を提案している(特許文献1)。

そして、この特許文献1では、無電解Cuめっき皮膜中にCNTを混入できることにも言及している。

Field of industrial application (In Japanese)



本発明は、無電解Cuめっき液および無電解Cuめっき方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
無電解Cuめっき液において、
CNTと、
該CNTを分散させるトリメチルセチルアンモニウム塩を含むことを特徴とする無電解Cuめっき液。

【請求項2】
 
トリメチルセチルアンモニウム塩がトリメチルセチルアンモニウムクロリドであることを特徴とする請求項1記載の無電解Cuめっき液。

【請求項3】
 
請求項1または2記載の無電解Cuめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、CNTが埋没した無電解Cuめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解Cuめっき方法。

【請求項4】
 
請求項1または2記載の無電解Cuめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、表面にCNTの先端が突出した無電解Cuめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解Cuめっき方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2009065067thum.jpg
State of application right Registered
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