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ELECTROLESS Ni-P PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Ni-P PLATING METHOD

Patent code P100000584
File No. NI0800102
Posted date Mar 19, 2010
Application number P2009-065049
Publication number P2010-215977A
Patent number P5453601
Date of filing Mar 17, 2009
Date of publication of application Sep 30, 2010
Date of registration Jan 17, 2014
Inventor
  • (In Japanese)新井 進
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人信州大学
Title ELECTROLESS Ni-P PLATING LIQUID AND ELECTROLESS Ni-P PLATING METHOD
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroless Ni-P plating liquid and a plating method for favorably incorporating CNT having a large size such as VGCF (R) into a plating film.
SOLUTION: In the electroless Ni-P plating liquid, a trimethylcetyl ammonium salt, preferably trimethylcetyl ammonium chloride, is used as a dispersant of VGCF (R) (commercially available carbon nanotube in a large size about 150 nm in diameter and 10 to 20 μm in length) in the plating liquid. The plating method for Ni-P plating is implemented by using the plating liquid.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)



発明者は、めっき液中に分散剤と微細炭素繊維もしくはその誘導体とを添加して、該分散剤によりめっき液中に微細炭素繊維(カーボンナノチューブ:CNT)もしくはその誘導体(以下、これらをCNTと総称する)を分散させ、めっきを施して、基材表面に、微細炭素繊維もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜を形成するめっき方法を提案している(特許文献1)。

そして、この特許文献1では、無電解Niめっき皮膜中にCNTを混入できることにも言及している。

Field of industrial application (In Japanese)



本発明は、無電解Ni-Pめっき液および無電解Ni-Pめっき方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
無電解Ni-Pめっき液において、
CNTと、
該CNTを分散させるトリメチルセチルアンモニウム塩を含むことを特徴とする無電解Ni-Pめっき液。

【請求項2】
 
トリメチルセチルアンモニウム塩がトリメチルセチルアンモニウムクロリドであることを特徴とする請求項1記載の無電解Ni-Pめっき液。

【請求項3】
 
請求項1または2記載の無電解Ni-Pめっき液を用いて無電解めっきを行い、被めっき物に、表面にCNTの先端が突出した無電解Ni-Pめっき皮膜を形成することを特徴とする無電解Ni-Pめっき方法。

【請求項4】
 
CNTに、太さが100nm~200nmで、長さが10μm~20μmのものを用いることを特徴とする請求項3記載の無電解Ni-Pめっき方法。

【請求項5】
 
長さを3μm~4μmに調節したCNTを用いることを特徴とする請求項4記載の無電解Ni-Pめっき方法。

【請求項6】
 
得られた無電解Ni-Pめっき皮膜の熱処理を行うことを特徴とする請求項3~5いずれか1項記載の無電解Ni-Pめっき方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2009065049thum.jpg
State of application right Registered
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