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ZnAl-BASED OXIDE PHOSPHOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME foreign

Patent code P100001333
File No. P09-001
Posted date Dec 13, 2010
Application number P2009-212129
Publication number P2011-057941A
Patent number P5210272
Date of filing Sep 14, 2009
Date of publication of application Mar 24, 2011
Date of registration Mar 1, 2013
Inventor
  • (In Japanese)単 躍進
  • (In Japanese)山口 諒仁
  • (In Japanese)手塚 慶太郎
  • (In Japanese)井本 英夫
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人宇都宮大学
Title ZnAl-BASED OXIDE PHOSPHOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME foreign
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive ZnAl-based oxide phosphor and a method for producing the ZnAl-based oxide phosphor, which enables industrial production by a simple method.
SOLUTION: The ZnAl-based oxide phosphor comprises an oxygen-deficient ZnAl-based oxide. The method for producing the ZnAl-based oxide phosphor includes: a raw material solution preparation step of preparing a raw material solution obtained by mixing a raw material containing at least a zinc salt and an aluminum salt with a solvent comprising an aqueous solution containing a water-soluble organic compound which dissolves the raw material; a heat concentration step of concentrating the raw material solution by heating to remove the water in the raw material solution, so that a high viscosity solution is obtained; a calcining step of obtaining an amorphous powder by removing at least a part of the water-soluble organic compound in the high viscosity solution by heat treating the high viscosity solution; and a firing step of firing the amorphous powder in an inert gas atmosphere to obtain an oxygen-deficient ZnAl-based oxide.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


スピネルはMgAl2O4の鉱物名(和名:尖晶石)に由来し、その構造は、ダイヤモンド構造を基調とした構造で、一般化学式はAB2X4のように表されている。この化学式において、Aサイトは4つのXサイトの陰イオン(例えば酸化物イオン)に囲まれた孤立した四面体を形成し、Bサイトは6つの陰イオンに囲まれて辺を共有した八面体を形成した構造で表されている。



スピネル型ZnGa系酸化物であるZnGa2O4は、酸素欠損型(母体発光)の青色蛍光体として報告されている(例えば、下記非特許文献1を参照)。しかしながら、ZnGa2O4のBサイトを構成するGaの価格が高く、全体として高価になるという難点がある。コストダウンのために、Bサイトが安価なAlを用いることが考えられるが、ZnGa2O4と同じ構造であるZnAl2O4は、酸素欠損の導入ができないので、蛍光発光しないことが知られている。実際に、下記非特許文献2には、Dy3+を発光中心としてドープしたZnAl2O4について報告されているが、ZnGa2O4のように母体発光する酸素欠損型の蛍光体を用いたものではない。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、ZnAl系酸化物蛍光体及びその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
亜鉛塩及びアルミニウム塩を少なくとも含む原材料と、該原材料を溶解するグリセリンを含む水溶液からなる溶媒とを、ZnAl系酸化物の物質量に対するグリセリンの比(モル比)9~15で混合してなる原料溶液を準備する原料溶液準備工程と、
前記原料溶液を加熱濃縮して該原料溶液中の水を除去して高粘性溶液にする加熱濃縮工程と、
前記高粘性溶液を加熱処理して該高粘性溶液中のグリセリンの少なくとも一部を除去してアモルファス状の粉末を得る仮焼工程と、
前記アモルファス状の粉末を不活性ガス雰囲気中で焼成してZnAl系酸化物を得る焼成工程と、
を含むことを特徴とするZnAl系酸化物蛍光体の製造方法。

【請求項2】
 
前記焼成工程後、さらに大気中、800℃で焼成する、請求項1に記載のZnAl系酸化物蛍光体の製造方法。

【請求項3】
 
前記不活性ガスが、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス又はその混合ガスである、請求項1又は2に記載のZnAl系酸化物蛍光体の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2009212129thum.jpg
State of application right Registered
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