ALGAE OUTGROWTH INHIBITOR AND ALGAE OUTGROWTH SUPPRESSING TREATING METHOD ON SURFACE OF GOODS
| Patent code | P110002243 |
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| File No. | S2009-0042-N0 |
| Posted date | Apr 8, 2011 |
| Application number | P2008-256236 |
| Publication number | P2010-083830A |
| Patent number | P5424450 |
| Date of filing | Oct 1, 2008 |
| Date of publication of application | Apr 15, 2010 |
| Date of registration | Dec 6, 2013 |
| Inventor |
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| Applicant |
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| Title | ALGAE OUTGROWTH INHIBITOR AND ALGAE OUTGROWTH SUPPRESSING TREATING METHOD ON SURFACE OF GOODS |
| Abstract |
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an algae outgrowth inhibitor and an algae outgrowth suppressing method in which maintenance is easy or unnecessary and versatility is high, and which is cheap. SOLUTION: The algae outgrowth inhibitor controls outgrowth of algae on a surface of goods, comprises making (a) a silicon-containing compound expressed by general formula (1), wherein R1represents a hydrocarbon having a carbon number of 6 or more, R2and R3show a lower hydrocarbon group which may be the same or different, R4shows a bivalent lower hydrocarbon group, R5, R6and R7show a lower alkyl group or a lower alkoxy group which may be same or different, X shows a halogen ion or an organic carbonyloxy ion, uniformly disperse in water by (b) at least one surfactant chosen from a group consisting of a cationic surfactant (however, excluding the silicon compound) (b1), a nonionic surfactant (b2), and an ampholytic surfactant (b3). |
| Outline of related art and contending technology |
(In Japanese)
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| Field of industrial application |
(In Japanese)
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| Scope of claims |
(In Japanese) 【請求項1】 長期にわたって水と接触する物品の表面における藻類の発生抑制処理方法であって、 （a）一般式（1） 【化1】 （式中、R1は炭素原子数6以上の炭化水素基を示し、R2およびR3は同一または異なっていてもよい炭素原子数1ないし6の低級アルキル基を示し、R4は炭素原子数1ないし6の低級アルキレン基を示し、R5、R6およびR7は同一または異なっていてもよい炭素原子数1ないし6の低級アルキル基または低級アルコキシ基を示し、Xはハロゲンイオンまたは有機カルボキニルオキシイオンを示す）で表されるケイ素含有化合物を、 （b）陽イオン界面活性剤（ただし、前記ケイ素化合物を除く）（b1）、非イオン界面活性剤（b2）および両イオン界面活性剤（b3）からなる群から選ばれた少なくとも1種の界面活性剤によって、 水中に均一に分散させてなる藻類発生抑制剤を該物品の表面に塗布することを特徴とする、藻類の発生抑制処理方法。 【請求項2】 前記藻類発生抑制剤の、前記一般式（1）で表されるケイ素含有化合物（a）のR1は炭素原子数10～25のアルキル基を示し、R2およびR3は同一または異なっていてもよい炭素原子数1ないし6の低級アルキル基を示し、R4は炭素原子数1ないし6の低級アルキレン基を示し、R5、R6およびR7は同一または異なっていてもよい炭素原子数1ないし6の低級アルキル基またはアルコキシ基を示し、Xはハロゲンイオンまたは有機カルボキニルオキシイオンであることを特徴とする請求項1記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項3】 前記藻類発生抑制剤の、前記一般式（1）で表されるケイ素含有化合物（a）が、オクタデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニムクロライド、オクタデシルジエチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、オクタデシルジメチル（2－トリメチルシリルエチル）アンモニウムクロライド、オクタデシルジプロピル（4－トリメトキシシリルブチル）アンモニムアセテート、オクタデシルジメチル（3－トリエトキシシリルプロビル）アンモニウムクロライド、オクタデシルジメチル（3－トリイソプロポキシシリルプロビル）アンモニウムクロライド、オクタデシルジメチル（3－トリエチルシシリルプロビル）アンモニウムクロライド、オクタデシルジメチル（3－トリイソプロピルシシリルプロビル）アンモニウムクロライド、ヘプタデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、ヘプタデシルジイソプロピル（2－トリエトキシシリルエチル）アンモニウムクロライド、ヘキサデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニムクロライド、ヘキサデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニムアセテートおよびペンタサデシルジメチル（3－トリエトキシシリルプロピル）アンモニムクロライドからなる群から選ばれた少なくとも1種のケイ素含有化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項4】 前記藻類発生抑制剤の、前記一般式（1）で表されるケイ素含有化合物（a）が、オクタデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド又はオクタデシルジメチル（3－トリエトキシシリルプロビル）アンモニウムクロライドであることを特徴とする請求項1～3のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項5】 前記藻類発生抑制剤の、前記陽イオン界面活性剤（b1）が、下記一般式（2） 【化2】 （式中、R11は炭素原子数6以上の炭化水素基を示し、R12、R13およびR14は同一でも異なってもよい炭素原子数1ないし6の低級アルキル基を示し、Yはハロゲンイオンまたは有機カルボニルオキシイオンを示す）で表される陽イオン界面活性剤（b11）であることを特徴とする請求項1～4のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項6】 前記藻類発生抑制剤の、前記一般式（2）で表される前記陽イオン界面活性剤（b11）のR11は炭素原子数10～25のアルキル基を示し、R12、R13およびR14は同一または異なっていてもよい炭素原子数1ないし6の低級アルキル基を示し、Yがハロゲンイオンまたは有機カルボニルオキシイオンであることを特徴とする請求項5に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項7】 前記藻類発生抑制剤の、前記陽イオン界面活性剤（b11）がデシルトリメチルアンモニウムクロライド、デシルトリエチルアンモニウムアセテート、ドデシルトリメチルアンモニウムアセテート、ドデシルトリイソプロピルアンモニウムブロマイド、トリデシルトリエチルアンモニウムプロマイド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラデシルトリエチルアンモニウムクロライド、テトラデシルトリ－n－プロピルアンモニウムクロライド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ペンタデシルトリエチルアンモニウムクロライド、ペンタデシルトリ－n－プロピルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリエチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリ－n－プロピルアンモニウムクロライド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロライドおよびオクタデシルトリエチルアンモニウムクロライドおよびオクタデシルトリ－n－プロピルアンモニウムクロライドからなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項5又は6に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項8】 前記藻類発生抑制剤の、前記陽イオン界面活性剤（b11）が、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライドであることを特徴とする請求項5又は6に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項9】 前記藻類発生抑制剤の、前記陽イオン界面活性剤（b1）が、N－ココイル－アルギニンエチルエステルピリドンカルボン酸塩（b12）であることを特徴とする請求項1～4のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項10】 前記藻類発生抑制剤の、前記非イオン界面活性剤（b2）が、ポリオキシエチレン単位および／またはポリオキシプロピレン単位を含有するポリオキシアルキレングリコールのアルキルエーテルまたは脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセライド、脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアミド、脂肪酸アミド、アルキルエーテル、アルキルアミンオキシド、ポリオキシエチレンアルキルエーテル及びポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルからなる群から選ばれた少なくとも1種の非イオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項1～4のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項11】 前記藻類発生抑制剤の、前記非イオン界面活性剤（b2）は、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレートであることを特徴とする請求項10に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項12】 前記藻類発生抑制剤の、前記両イオン界面活性剤（b3）は、ベタイン系およびアミンオキサイド系からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1～4のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項13】 前記藻類発生抑制剤の、前記両イオン界面活性剤（b3）は、ラウラミドプロピルジメチルアミンオキサイドであることを特徴とする請求項12に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項14】 前記藻類発生抑制剤の、前記ケイ素含有化合物（a）としてオクタデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、および前記陽イオン界面活性剤（b1）としてヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライドを含有することを特徴とする請求項1～8のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項15】 前記藻類発生抑制剤の、前記ケイ素含有化合物（a）としてオクタデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、および前記非イオン界面活性剤（b2）としてポリオキシエチレンソルビタンモノラウレートを含有することを特徴とする請求項1～4、10、11のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項16】 前記藻類発生抑制剤の、前記ケイ素含有化合物（a）としてオクタデシルジメチル（3－トリメトキシシリルプロピル）アンモニウムクロライド、および前記両イオン界面活性剤（b3）としてラウラミドプロピルジメチルアミンオキサイドを含有することを特徴とする請求項1～4、12、13のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項17】 前記長期にわたって水と接触する物品の表面に前記藻類発生抑制剤を塗布する前に、該物品の表面に、オゾン水、プラズマ又は電磁波照射の処理をする工程を含むことを特徴とする請求項1～16のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項18】 前記長期にわたって水と接触する物品の表面に前記藻類発生抑制剤を塗布した後に、該藻類発生抑制剤が該物品の表面に液状で存在する状態で、電磁波照射の処理をすることを特徴とする請求項1～17のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 【請求項19】 前記長期にわたって水と接触する物品が、水槽、貯水槽、空調設備、冷却水の給排水配管、又は浴槽の循環系統の配管であることを特徴とする請求項1～18のいずれか1項に記載の藻類の発生抑制処理方法。 |
| IPC(International Patent Classification) | |
| F-term |
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| State of application right | Registered |
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