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(In Japanese)イオン化方法ならびにイオン化方法を利用した質量分析方法および装置

Patent code P110002618
File No. P07-036R
Posted date May 13, 2011
Application number P2009-543904
Patent number P4929498
Date of filing Nov 27, 2008
Date of registration Feb 24, 2012
International application number JP2008071991
International publication number WO2009069816
Date of international filing Nov 27, 2008
Date of international publication Jun 4, 2009
Priority data
  • P2007-311322 (Nov 30, 2007) JP
Inventor
  • (In Japanese)堀 裕和
  • (In Japanese)チェン・リー チュイン
  • (In Japanese)平岡 賢三
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人山梨大学
Title (In Japanese)イオン化方法ならびにイオン化方法を利用した質量分析方法および装置
Abstract (In Japanese)試料のきわめて微細な部分の分子をイオン化できる。これによりナノメートル・オーダの空間分解能をもつイメージングが可能となる。たとえば,生体組織,細胞,有機材料等を対象試料(適当なマトリックスを薄く塗布したもの,またはマトリックスと混合したものを含む)とする。基板上に試料を塗布し,その試料の表面上にnmオーダの金の薄膜を蒸着する(膜厚は10nm程度)。波長532nmのYAGレーザ2倍波を照射し,金の薄膜にnmオーダの穴を開ける。穴が開いた時点で,出力を下げて,レーザ光をさらに照射する。穴の開いた領域から発生するイオンを質量分析装置に導き,質量分析する。試料基板またはレーザ・ビームを掃引することによって,生体試料等のnmオーダでの分子イメージング像を形成することができる。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


生体組織,細胞,有機材料等の試料を質量分析するためにイオン化する技術として,窒素(N2)レーザ(波長337nm)を使うMALDI(matrix-assisted laser desorption ionization)がある(下記文献を参照)。すなわち,マトリックスと混合した試料にレーザ・ビームを照射し,レーザ・ビームを照射した箇所について試料の分子をイオン化する。イオンは質量分析装置に導かれ,質量分析される。
Tanaka K,Waki H,Ido Y,Akita S,Yoshida Y,Yoshida T,Matsuo T.“Protein and Polymer Analyses up to m/z 100000 by Laser Ionization Time-of-flight Mass Spectrometry”,Rapid Communication in Mass Spectrometry(1988),vol 2,page 151
Karas M,Hillenkamp F.“Laser Desorption Ionization of Proteins with Molecular Masses Exceeding 10000 Daltons”,Analytical Chemistry(1988),vol 60,page 2299
しかしながら,理論的にも現実的にもレーザ・ビームを絞るには限度があり,MALDIではミクロン(μm)以下の空間分解能を得ることは殆ど不可能である。また,MALDIは,レーザ照射によりマトリックスがアブレーションを起こす際,多量のマトリックスや試料が気相に飛散するので,試料の損失が大きいという問題がある。

Field of industrial application (In Japanese)


この発明はイオン化方法,特に試料(生体組織,細胞,有機材料等)を質量分析するためにイオン化する方法,ならびにこのイオン化方法を利用した質量分析方法および装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
試料表面に金属の薄膜を形成し,
上記金属によって選択的に吸収される波長のレーザ光を,その強度を上記金属薄膜に穴があく程度に高く保って,上記金属薄膜に照射して上記金属薄膜に穴をあけ,
上記金属薄膜に穴があいた後はレーザ光の強度を穴が拡大しない程度に下げて,上記穴を通してレーザ光を照射して上記穴のあいた箇所の上記試料の分子を脱離,イオン化する,
イオン化方法。

【請求項2】
 
上記金属が金である,請求項1に記載のイオン化方法。

【請求項3】
 
上記レーザ光が可視光である,請求項1または2に記載のイオン化方法。

【請求項4】
 
照射する上記レーザ光がパルス光である,請求項1から3のいずれか一項に記載のイオン化方法。

【請求項5】
 
上記レーザ光照射による試料分子の脱離,イオン化を真空中で行う,請求項1から4のいずれか一項に記載のイオン化方法。

【請求項6】
 
上記レーザ光の照射位置を相対的に走査して試料の異なる箇所の分子をイオン化する,請求項1から5のいずれか一項に記載のイオン化方法。

【請求項7】
 
請求項1から6のいずれか一項に記載のイオン化方法によりイオン化された分子を質量分析装置に導く,質量分析方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2009543904thum.jpg
State of application right Registered
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