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SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR, AND MANUFACTURING AND SENSING METHODS THEREOF

Patent code P110003302
File No. A242P35
Posted date Jun 20, 2011
Application number P2004-037866
Publication number P2005-229017A
Patent number P4774476
Date of filing Feb 16, 2004
Date of publication of application Aug 25, 2005
Date of registration Jul 8, 2011
Inventor
  • (In Japanese)武笠 幸一
  • (In Japanese)松本 和彦
  • (In Japanese)石井 睦
  • (In Japanese)武田 晴治
  • (In Japanese)澤村 誠
  • (In Japanese)アグス スバギョ
  • (In Japanese)細井 浩貴
  • (In Japanese)末岡 和久
  • (In Japanese)喜田 宏
  • (In Japanese)迫田 義博
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
  • (In Japanese)国立研究開発法人産業技術総合研究所
Title SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, SENSOR, AND MANUFACTURING AND SENSING METHODS THEREOF
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single-electron transistor, a field-effect transistor, a sensor, and the manufacturing and sensing methods of the sensor which have a largely superior sensitivity, compared to the conventional transistors.
SOLUTION: The single-electron transistor has at least a substrate 1, has at least a source electrode 3 and a drain electrode 4 provided opposite to each other above the substrate 1, and a channel installed between the source and drain electrodes 3, 4. In this transistor, the channel is constituted out of an ultrafine fiber (CNT) 7.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来提案されたバイオセンサーは、特定の分子と選択的に反応する反応基をもった薄膜を電極上に形成し、その薄膜が前記特定分子を吸着した際のポテンシャルの変化を測定するようになっている。具体的にはグルコース酸化酵素を有する薄膜を電極上に形成し、グルコースとの酸化反応に伴う電流値の変化を測定することにより、グルコース量を検出する方式である。この種のバイオセンサーに関しては、例えば下記の特許文献1や非特許文献1、2などを挙げることができる。
【特許文献1】
特開平10-260156号公報
【非特許文献1】
相沢、ケミカルコミニュケーション.945ページ(1989年)
【非特許文献2】
Alexander Star, Jean-Christophe P, Gabriel.Keith Bradley,and George Gruner, Vol.3, No.4, 459-463 (2003)

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、センサーに係り、特に電界効果型トランジスタ(以下、FETと略記する)あるいは単一電子型トランジスタ(以下、SETと略記する)の構造を有するバイオセンサーなどのセンサーに関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
基板と、その基板上面に形成した絶縁膜上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極およびドレイン電極を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーにおいて、
前記チャネルが超微細繊維で構成され、
前記基板の前記チャネルとは反対側の面に絶縁薄膜が形成され、その絶縁薄膜の外側にバックゲート電極を設けて、前記絶縁薄膜が被検出物質と相互作用する特定の物質で修飾され、その修飾箇所と前記バックゲート電極の間に前記被検出物質を介在することを特徴とするセンサー

【請求項2】
 
請求項1記載のセンサーにおいて、前記超微細繊維がカーボンナノチューブであることを特徴とするセンサー

【請求項3】
 
請求項1記載のセンサーにおいて、前記被検出物質ならびに前記特定の物質が相互作用する生体高分子であることを特徴とするセンサー

【請求項4】
 
請求項3記載のセンサーにおいて、前記被検出物質が抗原または抗体であって、前記特定の物質が抗体または抗原であることを特徴とするセンサー
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2004037866thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) CREST Creation of Nanodevices and System Based on New Physical Phenomena and Functional Principles AREA
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