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FORMING METHOD OF FILM COMPOSED OF LIQUID CRYSTAL POLYMER

Patent code P110003308
File No. N072P23
Posted date Jun 20, 2011
Application number P2004-054035
Publication number P2005-243532A
Patent number P4587276
Date of filing Feb 27, 2004
Date of publication of application Sep 8, 2005
Date of registration Sep 17, 2010
Inventor
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
  • (In Japanese)伊高 健治
  • (In Japanese)新井 圭一郎
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
  • (In Japanese)株式会社クラレ
Title FORMING METHOD OF FILM COMPOSED OF LIQUID CRYSTAL POLYMER
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a forming method of a film of an organic material superior in moisture barrier performance and oxygen barrier performance, and an electron device which is made by forming the film obtained by this manufacturing method as a protection film of an electron device, especially an organic electron device, and which is superior in stability for a long period of time by preventing the deterioration of performance caused by moisture and oxygen in the air.
SOLUTION: A vaporized substance which is vaporized and formed by irradiating a pulse laser on a mesomorphic polymer showing optical anisotropy is deposited and solidified on a substrate.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


近年、無機材料および/または有機材料で構成されたEL素子、FET素子、光電変換素子などの電子デバイスは、性能改良のための研究開発が進捗した結果、その需要を大きく伸ばしている(例えば、非特許文献1)。しかしながら、これらの電子デバイス、なかでも有機材料を用いた電子デバイスは、大気中の水分や酸素などと容易に反応して性能が劣化し易いため、保護膜を設けることにより劣化を防止する必要がある、という問題点が指摘されていた(例えば、特許文献1)。



従来、このような保護膜としては、SiO、SiON、SiN、AlO、AlN、Al2O3やDLC(Diamond Like Carbon)などの無機材料が実用に供されているほか、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やポリメタクリル酸メチル樹脂などの有機材料の適用も検討されている。例えば、半導体を無機材料で構成したFET素子は、該無機材料を電極で挟んだ後、エポキシ樹脂などで封止することで製造されているが、該エポキシ樹脂には空気中の水分や酸素の透過や残留を抑える目的で多量のフィラーを含有させなければならず、軽薄短小化の要求に限界がある。また、無機材料からなる半導体は、その生産性が低いために、低コスト化の要求にも限界がある。



一方、半導体を有機材料で構成したFET素子は、半導体を有機材料で構成させることで低コスト生産を達成できるものの、従来使用されている無機材料よりもさらに空気中の水分や酸素により劣化し易いため、素子を保護する、優れた保護膜の開発が要望されている。有機FET素子の半導体を保護し、空気中の水分や酸素を遮断する材料としては、前述の無機材料などを用いることができるが、本来有機材料で構成することによる軽量化や低コスト化のメリットがなくなる。他方、保護膜として有機材料を用いるためには、該半導体との化学反応や不純物の付着を避けなければならず、溶剤などで希釈した有機材料をコートすることができない。また、保護膜として好適な有機材料が発見されたとしても、有機材料はダメージを受けやすく、スパッター法などでは、有機半導体層が劣化することが避けられないため、有機半導体を破損させることなく均一に保護膜を形成し、その性能を維持する製造方法が必要である。



また、前記した有機EL素子や光電変換素子についても、保護膜として有機材料を用いるためには、有機FET素子について説明したのと同様の事情がある。
【非特許文献1】
Macromolecular Rapid Communications,Vol.25,pp196-203(2004)
【特許文献1】
特開平7-169567号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、パルスレーザーを光学的異方性を示す液晶性高分子(LCP)に照射することにより蒸発生成した気化物から膜を形成する方法、および該方法により保護膜を形成する電子デバイスの製造方法に関する。さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、これを有機EL素子と称する)、有機電界効果トランジスタ素子(以下、これを有機FET素子と称する)や光電変換素子などの有機電子デバイスの製造方法に関する。本発明の製造方法に係る電子デバイスは、低コスト生産性や軽薄短小性等の利点を損なうことなく、LCPに由来した優れた水および水蒸気バリアー性、酸素バリアー性、電気特性、耐熱性、耐薬品性、ならびに電気的特性を有する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
光学的異方性を示す液晶性高分子にパルスレーザーを照射することにより蒸発生成した気化物を基材上に堆積固化させることからなる膜の製造方法。

【請求項2】
 
基材上に請求項1に記載の製造方法により膜を形成する積層体の製造方法

【請求項3】
 
請求項1に記載の製造方法により保護膜を形成する電子デバイスの製造方法

【請求項4】
 
電子デバイスが有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイスの製造方法

【請求項5】
 
電子デバイスが有機電界効果トランジスタ素子であることを特徴とする請求項3に記載の電子デバイスの製造方法
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) CREST Development of Advanced Nanostructured Materials for Energy Conversion and Storage AREA
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