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METHOD FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY AND MATERIAL FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY achieved

Patent code P110003731
File No. A112P56-2
Posted date Jun 28, 2011
Application number P2006-128789
Publication number P2006-336107A
Patent number P5122082
Date of filing May 8, 2006
Date of publication of application Dec 14, 2006
Date of registration Nov 2, 2012
Inventor
  • (In Japanese)中村 新男
  • (In Japanese)竹田 美和
  • (In Japanese)藤原 康文
  • (In Japanese)茜 俊光
  • (In Japanese)町田 英明
  • (In Japanese)大平 達也
  • (In Japanese)野津 定央
  • (In Japanese)下山 紀男
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
  • (In Japanese)株式会社トリケミカル研究所
Title METHOD FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY AND MATERIAL FOR FORMING ELECTRON TRANSFERABLE BODY achieved
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for obtaining a high-performance electronic device, and particularly to provide the electronic device which has adequate wavelength stability, adequate luminous efficiency and an extremely low dependency of the wavelength of emitted light on a surrounding temperature, and includes erbium.
SOLUTION: The method for forming the electron transferable body selected from the group of Er, ErN, ErP, ErAs, ErSb, GaAs including Er coupled with oxygen, and Ga(1-x)InxP (where (x) represents a number of 0 to 1) includes decomposing tris-ethylcyclopentadienyl-erbium and forming the electron transferable body on a substrate.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


今日、電子材料分野における進歩は著しく、高速電子デバイス、発光デバイスからレーザに至るまで多岐に応用されている。そして、近年、電子デバイスの分野では、ErPに代表されるランタノイド元素(Ln)とV族元素とからなる化合物を量子井戸とする二重障壁共鳴トンネルダイオードが期待されている。



すなわち、Ga(1-x)InxP/LnP/Ga(1-x)InxPの如きのヘテロ構造を作成し、LnP層の厚さを厳密に制御してエピタキシャル成長することが出来たならば、半金属と半導体のコントロ-ルが可能となり、種々の超高速電子デバイスを展望することが出来ると考えられる。



又、光の分野でも、LnのGaAsやGa(1-x)InxPへの添加は通信システムにおける発光デバイスとしての応用が期待されており、特に、発光効率の安定化と発光効率の向上が待たれている。



現在、GaAsに代表される化合物半導体の製造法は、有機金属化学気相成長法(MOCVD)が主流である。



ところで、ランタノイド元素-V族元素のエピタキシャル成長やランタノイド元素の添加においても、良好なランタノイド有機金属原料が求められる。気化性が有るランタノイド有機金属は、β-ジケトネイトランタノイドが知られているが、このものは、固体であり、安定した蒸気が得られ難く、しかも分解性が悪いことから使用できない。そして、発光効率が良いランタノイド元素を添加した化合物半導体は得られていない。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
基体上に電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウムを分解させる工程を有する
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。

【請求項2】
 
Er,ErN,ErP,ErAs,ErSb、酸素と結合したErを含むGaAs又はGa(1-x)InxP(xは0~1の数)の群の中から選ばれる電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物の膜を形成する方法であって、
トリス-エチルシクロペンタジエニル-エルビウムを分解させる工程を有する
ことを特徴とする電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。

【請求項3】
 
発光デバイスにおける導電性ヘテロ構造化合物膜を形成することを特徴とする請求項1又は請求項2の電子デバイス用導電性ヘテロ構造化合物膜形成方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) CREST Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena AREA
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