(In Japanese)薄膜トランジスタ及びその製造方法
Patent code | P110003861 |
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File No. | E060P46 |
Posted date | Jul 1, 2011 |
Application number | P2006-510907 |
Patent number | P4620046 |
Date of filing | Feb 28, 2005 |
Date of registration | Nov 5, 2010 |
International application number | JP2005003273 |
International publication number | WO2005088726 |
Date of international filing | Feb 28, 2005 |
Date of international publication | Sep 22, 2005 |
Priority data |
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Inventor |
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Applicant |
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Title |
(In Japanese)薄膜トランジスタ及びその製造方法
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Abstract | (In Japanese)本発明は、アモルファス酸化物及びそれを用いた薄膜トランジスタに関する。具体的には、電子キャリア濃度が1018/cm3未満のアモルファス酸化物、及びそれを用いた薄膜トランジスタを提供するものである。ソース電極6、ドレイン電極5、ゲート電極4、ゲート絶縁膜3、及びチャネル層2を有する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層2として電子キャリア濃度が1018/cm3未満であるアモルファス酸化物を用いる。 |
Outline of related art and contending technology |
(In Japanese)
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Field of industrial application |
(In Japanese)
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Scope of claims |
(In Japanese) 【請求項1】 ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜、及びチャネル層を有する薄膜トランジスタであって、前記チャネル層に、 InxZn1-x酸化物(0.2≦x≦1)、InxSn1-x酸化物(0.8≦x≦1)、又はInx(Zn、Sn)1-x酸化物(0.15≦x≦1)から選択される酸化物からなり、室温での電子キャリア濃度が1018/cm3未満、室温での電子移動度が、0.1cm2/(V・秒)超であるアモルファス酸化物が用いられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 【請求項2】 前記アモルファス酸化物は、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 【請求項3】 前記アモルファス酸化物は、縮退伝導を示すことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 【請求項4】 ガラス基板、金属基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルム上に設けられている ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 【請求項5】 Al2O3,Y2O3,又はHfO2の1種、又はそれらの化合物を少なくとも二種含む混晶化合物をゲート絶縁層とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 【請求項6】 請求項1記載の薄膜トランジスタを製造する方法において、 InxZn1-x酸化物(0.2≦x≦1)、InxSn1-x酸化物(0.8≦x≦1)、又はInx(Zn、Sn)1-x酸化物(0.15≦x≦1)から選択される多結晶をターゲットとして、 電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに、酸素ガスを含む雰囲気中で、パルスレーザー堆積法又は気相スパッタ法を用いてチャネル層を成膜することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 【請求項7】 酸素ラジカル発生装置を用いて、成膜時の雰囲気に酸素ラジカルを加えることを特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタの製造方法。 【請求項8】 ガラス基板、金属基板、プラスチック基板又はプラスチックフィルム上にチャネル層及びゲート絶縁層を室温で成膜することを特徴とする請求項6記載の薄膜トランジスタの製造方法。 |
IPC(International Patent Classification) |
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F-term |
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Drawing
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State of application right | Registered |
Reference ( R and D project ) | ERATO HOSONO Transparent ElectroActive Materials AREA |
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