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(In Japanese)半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 achieved

Patent code P110004280
File No. E067P22
Posted date Jul 11, 2011
Application number P2008-514810
Publication number of japanese translations of PCT international publication for patent applications P2008-543089A
Patent number P5743127
Date of filing Jun 1, 2006
Date of national publication of the translated version (of PCT application) Nov 27, 2008
Date of registration May 15, 2015
International application number US2006021128
International publication number WO2006130696
Date of international filing Jun 1, 2006
Date of international publication Dec 7, 2006
Priority data
  • 60/686244 (Jun 1, 2005) US
Inventor
  • (In Japanese)ロバート・エム・ファレル
  • (In Japanese)トロイ・ジェー・ベーカー
  • (In Japanese)アーパン・チャクラボーティ
  • (In Japanese)ベンジャミン・エー・ハスケル
  • (In Japanese)ピー・モルガン・パチソン
  • (In Japanese)ラジャット・シャーマ
  • (In Japanese)ウメシュ・ケー・ミシュラ
  • (In Japanese)スティーブン・ピー・デンバース
  • (In Japanese)ジェームス・エス・スペック
  • (In Japanese)シュウジ・ナカムラ
Applicant
  • (In Japanese)ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title (In Japanese)半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置 achieved
Abstract (In Japanese)特定のデバイス応用に対する所望の材料特性を同定するステップと、前記所望の材料特性に基づいて半極性成長方位を選択するステップと、選択された半極性成長方位の成長のための適当な基板を選択するステップと、前記基板上に平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層を成長するステップと、および前記平坦な半極性(Ga,Al,In,B)Nテンプレートまたは核形成層上に半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造あるいはデバイスを成長するステップとを備えた半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法が提供される。前記の方法を用いることにより基板表面に平行な、大きな面積をもつ半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスが実現できる。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

窒化ガリウム(GaN)とその合金(Ga,Al,In,B)Nの有用性は可視光および紫外光の光電子デバイスおよび高出力電子デバイスの作製において十分に確立された。図1に示すように、現状技術の窒化物薄膜、ヘテロ構造およびデバイスはウルツ鉱型窒化物結晶構造100の[0001]軸102に沿って成長される。このような薄膜の全分極は自発分極成分と圧電分極成分より成り、どちらもウルツ鉱型窒化物結晶構造100の唯一の有極性の[0001]軸102から生じるものである。窒化物ヘテロ構造が擬似格子整合するように成長されると、分極の不連続が結晶の表面と界面に形成される。この不連続によって表面と界面においてキャリアが蓄積または減少し、そして電界を発生させる。この内蔵電界の方向は窒化物薄膜およびヘテロ構造の通常の成長方向[0001]と一致するため、この電界は窒化物デバイスのエネルギーバンドを傾斜させる効果を持つ。

c面ウルツ鉱型(Ga,Al,In,B)N量子井戸において、この傾斜したエネルギーバンド104と106は、図1に示すように、正孔の波動関数108と電子の波動関数110を空間的に分離する。この空間的な電荷分離は輻射遷移の振動子強度を低減し、発光の波長をレッド・シフトさせる。これらの効果は量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)の現れであり、窒化物量子井戸に対しては十分に解析されている[参考文献1~4]。更に、大きな分極誘起の電界はドーパントと注入されたキャリアによって部分的に遮蔽されることも起こり[参考文献5、6]、それ故に発光特性を正確に設計するのは困難になる。

更に、擬似格子整合する2軸性歪はc面ウルツ鉱型(Ga,Al,In,B)N量子井戸における正孔の有効質量の低減にはほとんど影響しないことが示されている[参考文献7]。これは通常のIII-V閃亜鉛鉱型InP-およびGaAsベースの量子井戸の場合とは全く対照的であり、後者の場合には異方性歪が誘起する、重い正孔バンドと軽い正孔バンドの分離が正孔の有効質量の大幅な低減をもたらす。通常のIII-V閃亜鉛鉱型InP-およびGaAsベースの量子井戸の場合、正孔の有効質量の低減により一定のキャリア密度に対する擬フェルミ準位は大幅に増加する。この擬フェルミ準位の分離が増大することの直接の結果として、光学利得を発生するために必要なキャリア密度は大幅に小さくなる[参考文献8]。しかしながら、ウルツ鉱型窒化物結晶構造では、2軸性歪を受けたc面窒化物量子井戸においては、六方晶系の対称性のために、また、窒素原子におけるスピン軌道相互作用が小さいため、発生する重い正孔と軽い正孔のバンドの分離はごく小さい[参考文献7]。このように、2軸性歪を受けたc面窒化物量子井戸においては、正孔の有効質量は電子の有効質量に比べてはるかに大きいままであり、光学利得を発生させるために必要なキャリア密度は非常に高い。

(Ga,Al,In,B)Nデバイスにおいて、分極の影響を取り除き、正孔の有効質量を低減するための1つの方法は、デバイスを結晶の無極性な面上に成長することである。これらの面はまとめてa面と呼ばれる{11-20}面、およびまとめてm面と呼ばれる{1-100}面を含んでいる。このような面はガリウムと窒素の原子を面内で同数含んでおり、電荷中性である。その結果、異なる無極性層はお互いに等価であり、バルク結晶は成長方向に沿って分極することはない。さらに、歪を受けた無極性InGaN量子井戸は歪を受けたc面InGaN量子井戸よりも正孔の有効質量が大幅に小さいということが示された[参考文献9]。しかしながら、カリフォルニア大学や他の研究者が達成してきた進展[参考文献10~15]にもかかわらず、無極性(Ga,Al,In,B)Nデバイスの成長と作製は依然として難しい課題が多く残っており、窒化物産業界で広く採用されるまでに至っていない。

(Ga,Al,In,B)Nデバイスにおける分極の影響を低減し、正孔の有効質量を低減する他の方法は、デバイスを結晶の半極性面上に成長することである。用語「半極性面」はc面、a面、またはm面として分類できない面を指して用いられる。結晶学的用語を用いると、半極性面は少なくとも2つの0でないミラー指数h、i、またはkと、0ではないミラー指数lを持つ面は全て該当する。

半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜およびヘテロ構造の成長はc面配向ストライプのパターン上の側壁上にて実証された。ニシズカ(Nishizuka)ら[参考文献16]はこの方法で{11-22}InGaN量子井戸を成長した。しかしながら、半極性窒化物薄膜またはヘテロ構造を作製するこの方法は、エピタキシャル横方向オーバーグロス(ELO)の加工品であり、本発明の開示事項とは明確に異なる。この方法では半極性結晶面は基板表面に平行ではなく、利用できる表面面積は小さすぎて半極性デバイスに加工することは出来ない。

本発明は、半極性薄膜の大きな面積が基板表面に平行であるように、適当な基板あるいは平坦な(Ga,Al,In,B)Nテンプレート上に半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスを成長して作製するための方法を記述する。半極性窒化物としてこれまでに実験されたマイクロメータの寸法の傾斜面の成長とは対照的に、この方法は標準的なリソグラフィ技術を用いて半極性(Ga,Al,In,B)Nデバイスを大規模に作製することを可能とするものである。

閃亜鉛鉱型InP-およびGaAs-ベースの量子井戸ヘテロ構造およびデバイスと比較すると、ウルツ鉱型c面(Ga,Al,In,B)N量子井戸ヘテロ構造およびデバイスは光学利得を発生するために高いキャリア密度が必要である。これは大きな分極誘起の電界の存在と、本質的に大きな正孔の有効質量に起因するものである[参考文献17、18]。それ故に、内蔵電界と正孔の有効質量の低減とは高性能(Ga,Al,In,B)Nデバイスの実現にとって本質的に重要なことである。

典型的なInPおよびGaAsベースのヘテロ構造デバイスの設計には、通常は組成、厚さおよび歪などの色々な薄膜パラメータが含まれる。これらのパラメータを変えると、各エピタキシャル層のバンドギャップ、誘電定数、および正孔の有効質量のような、電子的、光学的な物性を変えることができる。InP-およびGaAs-ベースのデバイスの設計においては通常は用いられないが、結晶成長方位を変えることも各エピタキシャル層の電子的、光学的な物性に影響を及ぼすことが出来る。特に、結晶成長方位を変えると、窒化物薄膜およびヘテロ構造においては分極の影響と正孔の有効質量を低減することが出来る。この新しい設計パラメータを含めるために、われわれは半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製の方法を発明した。結晶の成長のために正しい基板または半極性テンプレートを適切に選択することによって、個別のデバイス応用に適した、正味の分極と正孔の有効質量の最適な組み合わせを選択することが出来る。

結晶の成長方位を変更することによる効果を示すために、圧縮歪を受けたInxGa1-xN量子井戸に対して圧電分極を計算し、一般的な成長方向とc軸の間の角度の関数としてプロットすることが出来る[参考文献9、18~20]。図2は、c面結晶の成長に対する従来の座標系(x,y,z)と一般的な結晶の成長方位に対する新しい座標系(x’,y’,z’)の間の関係を示す。従来の座標系(x,y,z)は新しい座標系(x’,y’,z’)に次の回転行列を用いて変換できる。

(省略)

ここでφとθは、それぞれ新しい座標系の[0001]軸に対する方位角および極角である。図2に示したように、z軸は[0001]軸102に対応し、z’軸200は新しい一般の結晶の成長軸に対応する。ウルツ鉱型材料における圧電効果は[0001]軸に沿って単軸等方性を示すため、物理的なパラメータの計算において、方位角(φ)202依存性は無視できる[参考文献21]。このようにして、等価な半極性面のファミリーは唯一の極角(θ)204を用いて一義的に表すことが出来る。θを以後、単に結晶角204と呼ぶことにする。有極性、無極性、およびいくつかの選択された半極性面の結晶角204を下の表1に示す。

表1:有極性、無極性、およびいくつかの選択された半極性面と対応する結晶角の表
(省略)

予想されるとおり{0001}面はθ=0°に対応し、{1-100}と{11-20}面はθ=90°に対応し、半極性面は0°<θ<90°に対応する。

結晶の圧電分極は結晶の歪状態によって決められる。格子整合のとれていない結晶の層のヘテロエピタキシャル成長に対しては、各層の歪状態は成長面における2軸性応力で決まる。

z’軸 200に沿った一般の結晶の成長方位に対しては、成長面内の2軸性応力成分σx’x’とσy’y’は変換行列Uを用いて通常の(x,y,z)座標系に変換できる。この結果、(x,y,z)座標系における歪状態と圧電分極を決めることができる。このように、(x,y,z)座標系における圧電分極は、変換行列Uを介して結晶角(θ)204の関数として変化する。一般の結晶の成長方位に対しては、圧電分極は(x,y,z)座標系における分極ベクトルPと一般的な結晶の成長方向に沿った単位ベクトルz’のスカラー積をとることによって求めることができる。

(省略)

ここでPxとPzは(x,y,z)座標系における圧電分極の成分を表し、上に記したように結晶角(θ)204に依存する。

図3は歪のないGaNバリヤ層を持ち、圧縮歪を受けたInxGa1-xNの量子井戸に対して、成長方向とc軸の間の角度の関数として圧電分極300を示す[参考文献9、18~20]。予想されるとおり、分極300はc面成長(θ=0°)に対して最大となり、a面またはm面成長(θ=90°)に対してゼロとなる。この2点を両端とするその中間で分極は一度符号を変え、ある角度θ0302でゼロになる。θ0302の正確な値は圧電テンソルや弾性定数など、多くは現状ではほとんど未知の状態にあるいくつかの物理パラメータの値に依存している[参考文献21~25]。

圧電分極効果とほぼ同様に、圧縮歪InxGa1-xN量子井戸の正孔の有効質量も結晶の成長方位を変えることによって大きく低減させることが出来る。理論的検討結果[参考文献9]は異方性歪が誘起する、重い正孔バンドと軽い正孔バンドの分離によって、圧縮歪InxGa1-xN量子井戸の正孔の有効質量が結晶角の増加と共に単調に減少することを示している。このように、半極性方位で、特に大きな結晶角を持つ方位で圧縮歪InxGa1-xN量子井戸を成長することにより正孔の有効質量が大きく低減するであろう。

[参考文献1] T.Takeuchi,S.Sota,M.Katsuragawa,M.Komori,H.Takeuchi,H.Amano,and I.Akasaki,Jpn.J.Appl.Phys.Lett.,36,L382(1997).

[参考文献2] P.Lefebvre,A.Morel,M.Gallart,T.Taliercio,J.Allegre,B.Gil,H.Mathieu,B.Damilano,N.Grandjean,and J.Massies,Appl.Phys.Lett.,78,1252(2001).

[参考文献3] N.Grandjean,B.Damilano,S.Dalmasso,M.Leroux,M.Laugt,and J.Massies,J.Appl.Phys.,86,3714(1999).

[参考文献4] J.S.Im,H.Kollmer,J.Off,A.Sohmer,F.Scholz,and A.Hangleiter,Phys.Rev.B,57,R9435(1998).

[参考文献5] A.Di Carlo,F.Della Sala,P.Lugli,V.Fiorentini,and F.Bernardini,Appl.Phys.Lett.,76,3950(2000).

[参考文献6] F.Della Sala,A.Di Carlo,P.Lugli,F.Bernardini,V.Fiorentini,R.Scholz,and J.M.Jancu,Appl.Phys.Lett.,74,2002(1999).

[参考文献7] M.Suzuki and T.Uenoyama,Jpn.J.Appl.Phys.,35,1420(1996).

[参考文献8] E.Yablonovitch and E.O.Kane,J.Lightwave Tech.,4,504(1986).

[参考文献9] S.H.Park,J.Appl.Phys.,91,9904(2002).

[参考文献10] A.Chakraborty,B.A.Haskell,S.Keller,J.S.Speck,S.P.DenBaars,S.Nakamura,and U.K.Mishra,Appl.Phys.Lett.,85,5143(2004).

[参考文献11] A.Chakraborty,B.A.Haskell,S.Keller,J.S.Speck,S.P.DenBaars,S.Nakamura,and U.K.Mishra,Jpn.J.Appl.Phys.,44,L173(2005).

[参考文献12] A.Chakraborty,S.Keller,C.Meier,B.A.Haskell,S.Keller,P.Waltereit,S.P.Denbaars,S.Nakamura,J.S.Speck JS,and U.K.Mishra,Appl.Phys.Lett.,86,031901(2005).

[参考文献13] Y.J.Sun,O.Brandt,S.Cronenberg,S.Dhar,H.T.Grahm,K.H.Ploog,P.Waltereit,and J.S.Speck,Phys.Rev.B,67,041306(2003).

[参考文献14] A.Chitnis,C.Chen,V.Adivarahan,M.Shatalov,E.Kuokstis,V.Mandavilli,J.Yang,and M.A.Khan,Appl.Phys.Lett.,84,3663(2004).

[参考文献15] N.F.Gardner,J.C.Kim,J.J.Wierer,Y.C.Shen,and M.R.Krames,Appl.Phys.Lett.,86,111101(2005).

[参考文献16] K.Nishizuka,M.Funato,Y.Kawakami,S.Fujita,Y.Narukawa,and T.Mukai,Appl.Phys.Lett.,85,3122(2004).

[参考文献17] S.H.Park,Jpn.J.Appl.Phys.,42,L170(2003).

[参考文献18] S.H.Park,Jpn.J.Appl.Phys.,42,5052(2003).

[参考文献19] S.H.Park and S.L.Chuang,Phys.Rev.B,59,4725(1999).

[参考文献20] T.Takeuchi,H.Amano and I.Akasaki,Jpn.J.Appl.Phys.,39,413(2000).

[参考文献21] T.Takeuchi,C.Wetzel,S.Yamaguchi,H.Sakai,H.Amano,I.Akasaki,Y.Kaneko,S.Nakagawa,Y.Yamaoka,and N.Yamada,Appl.Phys.Lett.,73,1691(1998).

[参考文献22] F.Bernardini,V.Fiorentini,D.Vanderbilt,Phys.Rev.B,56,R10024(1997).

[参考文献23] Polian,M.Grimsditch,I.Grzegory,J.Appl.Phys.,79,3343(1996).

[参考文献24] K.Kim,W.R.L.Lambrecht,and B.Segall,Phys Rev.B,53,16310(1996).

[参考文献25] I.Vurgaftman and J.R.Meyer,J.Appl.Phys.Lett.,94,3675(2003).

[参考文献26] F.Bertram,T.Riemann,J.Christen,A.Kaschner,A.Hoffmann,C.Thomsen,K.Hiramatsu,T.Shibata,and N.Sawaki,Appl.Phys.Lett.,74,359(1999).

[参考文献27] H.Sone,S.Nambu,Y.Kawaguchi,M.Yamaguchi,H.Miyake,K.Hiramatsu,Y.Iyechika,T.Maeda,and N.Sawaki,Jpn.J.Appl.Phys.,38,L356(1999).

[参考文献28] S.Nakamura,M.Senoh,S.Nagahama,N.Iwasa,T.Yamada,T.Matsushita,H.Kiyoku,Y.Sugimoto,T.Kozaki,H.Umemoto,M.Sano,and K.Chocho,Appl.Phys.Lett.,72,211(1998).

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は半導体材料、方法、およびデバイスに関わり、より具体的には半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスの成長と作製に関係するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
{110}スピネル基板上の{10-13}GaNテンプレート上に再成長した青色(~440nmピーク)半極性LED作製の方法であって、
(a)半極性成長方位として{10-13}を選択する工程と、
(b)前記選択された半極性成長方位の成長と融合する窒化ガリウム(GaN)テンプレートを選択する工程と、
(c)金属化学気相成長法(MOCVD)により前記GaNテンプレートの平坦な半極性の表面上に一つ以上の平坦な半極性窒化物層を含むデバイスを成長する工程であって、前記GaNテンプレートの平坦な半極性の表面は、前記GaNテンプレートに対して平行である平坦な半極性窒化物層の面積および品質が、250mAの駆動電流および278A/cm2 以下の電流密度において、前記デバイスの出力パワーが少なくとも1.5mW、および外部量子効率が少なくとも0.2125%である半極性窒化物デバイスを作製するのに十分な面積および品質となるような選択された半極性成長方位を有する工程とを備えることを特徴とする方法。

【請求項2】
 
前記GaNテンプレートは半極性窒化ガリウムウェーハを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項3】
 
前記GaNテンプレートの前記平坦な半極性の表面は異種材料上に成長されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項4】
 
前記平坦な半極性窒化物層がヘテロ構造を形成することを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項5】
 
前記平坦な半極性窒化物層をデバイスに加工する工程を更に備えることを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項6】
 
請求項1に記載の方法を用いて作製される窒化物デバイス。

【請求項7】
 
前記面積が少なくとも300μm×300μmであることを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項8】
 
記GaNテンプレートに対して平行な前記平坦な半極性窒化物層の面積および品質が、リソグラフィ技術を用いて半極性窒化物デバイスを作製するのに十分な面積および品質であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項9】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、同様の波長領域および同様の駆動電流領域で動作するc面層におけるブルーシフトと対比して、駆動電流を増加した発光ピークにおいてブルーシフトが低下した光を発光することを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項10】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、同様の波長領域および同様の駆動電流領域で動作するc面層におけるEQEの減少と対比して、駆動電流を増加した外部量子効率(EQE)の減少が少ない光を発光することを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項11】
 
{110}スピネル基板上の{10-13}GaNテンプレート上に再成長した青色(~440nmピーク)半極性LEDであって、
(a)半極性成長方位と、
(b)選択された前記半極性成長方位と融合する窒化ガリウム(GaN)テンプレートと、
(c)前記GaNテンプレートの平坦な半極性の表面上にある一つ以上の平坦な半極性窒化物層を含む発光デバイスであって、前記GaNテンプレートの該半極性の表面は、前記GaNテンプレートの表面に対して平行である前記平坦な半極性窒化物の面積および品質が、250mAの駆動電流および278A/cm2 以下の電流密度において、前記デバイスの出力パワーが少なくとも1.5mW、および外部量子効率が少なくとも0.2125%である半極性窒化物デバイスを作製するのに十分な面積および品質となるような選択された半極性成長方位を有することを特徴とする窒化物デバイス

【請求項12】
 
前記GaNテンプレートは半極性窒化物ウェーハを含むことを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項13】
 
前記GaNテンプレートの前記平坦な半極性の表面は異種材料上に成長されることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項14】
 
前記平坦な半極性窒化物層がヘテロ構造を形成することを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項15】
 
前記平坦な半極性窒化物層をデバイスに加工することを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項16】
 
前記面積は少なくとも300μm×300μmであることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項17】
 
記GaNテンプレートの表面に平行な前記平坦な半極性窒化物層の面積および品質は、標準的なリソグラフィ技術を用いて半極性窒化物デバイスを作製するのに十分な面積および品質であることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項18】
 
前記平坦な半導体窒化物層は、同様の波長領域および同様の駆動電流領域で動作するc面層におけるブルーシフトと対比して、駆動電流を増加した発光ピークにおいてブルーシフトが低下した光を発光することを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項19】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、同様の波長領域および同様の駆動電流領域で動作するc面層におけるEQEの減少と対比して、駆動電流を増加した外部量子効率(EQE)の減少が少ない光を発光することを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項20】
 
平坦な表面を有する複数の利用可能な半極性方位から前記半極性成長方位を選択する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項21】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、一つ以上のデバイス層を含み、前記半極性方位により、異なる半極性方位上の該デバイス層の圧電分極または正孔質量と対比して、該デバイス層の圧電分極または正孔質量が最適化されることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項22】
 
前記半極性成長方位は、(10-11)または(10-10)方位と異なることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項23】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、一つ以上のデバイス層を含み、前記半極性方位は、少なくとも1つのデバイス層が外部量子効率が少なくとも0.34%、出力パワーが少なくとも190μWの青色光、または外部量子効率が少なくとも0.04%、出力パワーが少なくとも20μWの緑色光を発光するような方位であることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項24】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、0≦w≦1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、およびw+x+y+z=1を持つGaw Alx Iny Bz Nの分子式を持つ(Ga,Al,In,B)N半導体の合金組成からなることを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項25】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、0≦w≦1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、およびw+x+y+z=1を持つGaw Alx Iny Bz Nの分子式を持つ(Ga,Al,In,B)N半導体の合金組成からなることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス

【請求項26】
 
前記平坦な半極性窒化物層が膜を形成することを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項27】
 
前記平坦な半極性窒化物層はIII族窒化物層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。

【請求項28】
 
前記平坦な半極性窒化物層は、III族窒化物層からなることを特徴とする、請求項11に記載の窒化物デバイス
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2008514810thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA
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