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(In Japanese)ジアミノ酸誘導体原料、その製造方法、及びジアミノ酸誘導体の製造方法

Patent code P110004621
File No. E076P143
Posted date Jul 25, 2011
Application number P2010-502764
Patent number P5246671
Date of filing Feb 27, 2009
Date of registration Apr 19, 2013
International application number JP2009053681
International publication number WO2009113409
Date of international filing Feb 27, 2009
Date of international publication Sep 17, 2009
Priority data
  • P2008-058993 (Mar 10, 2008) JP
Inventor
  • (In Japanese)小林 修
  • (In Japanese)山下 恭弘
  • (In Japanese)関 和貴
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title (In Japanese)ジアミノ酸誘導体原料、その製造方法、及びジアミノ酸誘導体の製造方法
Abstract (In Japanese)ジアミノ酸(ジアミノ酸誘導体)の効率的な合成技術を提供することである。
下記の一般式[II]又は[IV]で表されるジアミノ酸誘導体原料のフルオレニル基を除去するジアミノ酸誘導体の製造方法。
一般式[II]



一般式[IV]



【選択図】
 なし
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


α,β-ジアミノ酸は化成品や医薬品の成分として重要な化合物である。前記α,β-ジアミノ酸は、その骨格に、二つの不斉点を有する。そして、α,β-ジアミノ酸の不斉合成は重要な研究課題であった。さて、グリシンのα-アニオン等価体とイミン(又はイミン等価体)とのMannich型反応(炭素―炭素結合形成反応)は、最も効率的な手法である(Scheme 2-1-1)。その理由は、生成する二つの不斉点を同時に制御できるからである。かつ、一度に望みの立体配置を有するα,β-ジアミノ酸骨格を構築できるからである。



グリシンのα-アニオン等価体を用いたMannich型反応の代表的な例を以下に示す。




Soloshonok,Avilov等は、不斉補助基(量論量の不斉源)を用いたジアステレオ選択的反応を報告している。この反応にはグリシン由来の光学活性なニッケル複合体が用いられている。そして、高ジアステレオ選択的な反応が実現されている。基質一般性は乏しい。しかしながら、生成物がsynα,β-ジアミノ酸に誘導できる(Scheme 2-1-2)。




Williams等はキラルオキサジノン由来のグリシン誘導を用いたジアステレオ選択的な反応を報告している。この例は、何れも、求核剤であるグリシン誘導体に不斉源を導入した例である。



Viso等やDavis等は、求電子剤に不斉源を導入した例(窒素上の置換基としてキラルスルフィンイミンを用いる反応)を報告している。



Davis等は、グリシン誘導体の窒素上の保護基を変えることによって、syn,anti体を作り分けている(Scheme 2-1-3)。




O’Donnel等が安定なベンゾフェノン由来のグリシンSchiff塩基を合成してから、プロキラルなグリシン誘導体として本基質を用いた様々な反応が急速に開発された。モノアルキル化体がベンゾフェノン由来のグリシンSchiff塩基を用いることで得られた。モノアルキル化体はアルジミン由来のグリシンSchiff塩基では得られ難い。更に、水中での安定性を活かし、光学活性な相間移動触媒が数多く開発された。そして、光学活性なアミノ酸誘導体のD,L体を共に作り分けることが可能となった(Scheme 2-1-4)。
このベンゾフェノン由来のグリシンSchiff塩基(α位水素のpKa値は約18.7)は、相間移動触媒と共に用いられるKOHで容易に脱プロトン化される(Figure 2-1-1)。
しかしながら、アラニン由来のSchiff塩基は、そのpKa値が約22.8である為、ジアルキル化が抑制される。
このベンゾフェノン由来のグリシンSchiff塩基を用いた不斉Mannich型反応も開発されている。以下にその例を示す。




Jorgensen等は、キラル配位子を有する銅錯体存在下で、塩基としてトリエチルアミンを用いたN-トシルイミンへの付加反応を報告している(Scheme 2-1-5)。
ここでは、芳香族イミンだけで無く、脂肪族アルデヒド由来のイミンにおいても有効性が示されている。何れの場合も、得られたα,β-ジアミノ酸誘導体は高いエナンチオ選択性を示す。しかしながら、芳香族イミンを用いた場合、ジアステレオ選択性が若干低下する。アミノ基の保護基であるトシル基の除去は一般に困難である。




Maruoka等は、独自に開発したキラル相間移動触媒を用い、様々な反応(例えば、ベンゾフェノン由来のグリシンSchiff塩基の不斉アルキル化)を報告している。例えば、α-イミノエステルに対するMannich型反応が報告されている(Scheme 2-1-6)。この反応は3-アミノアスパラギン酸誘導体を与える。しかしながら、求電子剤として活性なα-イミノエステルを用いなければならい。この為、基質一般性という点で課題が残っている。




Shibasaki等はN-Bocイミンに対するMannich型反応(相間移動触媒:酒石酸由来の光学活性ジアンモニウム塩)を報告している(Scheme 2-1-7)。ここには、芳香族イミンのみならず、脂肪族アルデヒド由来のイミンに対する反応も報告されている。そして、広範な基質一般性が示されている。この反応では高選択的にsynα,β-ジアミノエステル誘導体が得られる。




本発明者等もグリシンSchiff塩基を用いたMannich型反応の研究を行っている(Scheme 2-1-8)。
この反応では、エナミン(Lewis酸で活性化されたグリシンSchiff塩基が基質である)により、脱プロトン化が行われる。そして、エノラートが生成する。この反応は、共生成するイミニウムに求核付加する反応(外部塩基を必要としない反応)である。又、Me-DUPHOSをキラルリガンドとして不斉反応への展開を行っている。この反応はジアステレオ選択性に課題が残されている。しかしながら、得られた目的物は高エナンチオ選択性を示す。この反応を三成分Mannich反応に適用すると、得られた付加体は高ジアステレオ選択性を示すことが報告されている。この反応では、他のMannich型反応の場合と異なり、anti体が主生成物として得られている。そして、反応機構などの面で興味深い。




以上、ベンゾフェノン由来のグリシンSchiff塩基を用いた触媒的不斉Mannich型反応の報告例を述べた。
しかしながら、これ等には、選択性や基質一般性などの点で改善の余地が残されていた。
相間移動触媒と共に用いたKOH等の金属塩基は等量以上用いられる。従って、環境調和型の反応としては満足できない。



Jorgensen等は、触媒量の有機アミン(三級アミン等)では脱プロトン化が困難なことを報告している(Scheme 2-1-9)。




脱プロトン化が律速な場合は、Mannich型反応以外においても多い。Ishikawa等は、キラルなグアニジンを用いたMichael反応を報告している(Scheme 2-1-10)。この反応は高エナンチオ選択性を示す。そして、触媒は回収される。しかしながら、基質を過剰に用いなければならない。又、反応の進行が遅い。従って、反応性の高い基質の開発が望まれていた。




フルオレンは、ジフェニルメタンと比較して、脱プロトン化後の共役塩基が安定している。そして、9位の水素の酸性度が極めて高い(Figure 2-1-2)。
この性質を利用して、Carpino等は、アミノ基の保護基としてFmoc基を報告した。このFmoc基は、Boc基を切断する際の酸性条件では切断されないが、二級アミンのような比較的弱い塩基によって容易に切断される。そして、Fmoc基は、選択的に脱保護可能である為、ペプチドの固相合成だけでなく、天然物の合成においても用いられる(Scheme 2-1-11)。



本発明者は、このメチンアニオンの安定と言うユニークな性質を利用し、基質の反応性を上げることが出来るのでは無いかと考えた。






先ず、フルオレノンイミン由来のグリシンSchiff塩基についてのコンセプトを述べる。



ベンゾフェノン由来のグリシンアルキルエステルのα位水素は、一般のエステルのα位水素と比べて、極めて高い酸性度を示す(Figure 2-1-3)。


これは、α位のSchiff塩基部位の電子吸引効果による。



Schiff塩基部位の電子吸引性は、メチンアニオン共鳴構造の安定性と相関が有ると考えられる。



そこで、対応する共役塩基にフルオレノン由来のグリシンSchiff塩基(平面性を有し、かつ、14π電子芳香性を有する共鳴構造の寄与により安定であると考えられる)を用いた。すなわち、フルオレノン由来のグリシンSchiff塩基は、ベンゾフェノン由来の塩基より、α位水素の脱プロトン化を促進し、Mannich型反応を円滑に進行させると考えられた(Figure 2-1-4)。




実際、下記に示す通り、フルオレノンイミンのα位水素の酸性度は、ベンゾフェノンイミンのα位水素の酸性度より、極めて高い報告も有る(DMSO溶液中のpKa値にして約10の差)(Figure 2-1-5)。


【非特許文献1】
Viso, A.; Fernandez de la Pradilla, R.; Garcia, A.; Flores, A. Chem.Rev. 2005, 105,3167.
【非特許文献2】
Lucet, D.; Gall, T. L.; Mioskowski, C. Angew. Chem., Int. Ed. Engl.1998, 37, 2580.
【非特許文献3】
Soloshonok, V. A.; Avilov, D. V.; Kukhar, V. P.; Meervelt, L. V.;Mischenko, N.Tetrahedron Lett. 1997, 38, 4671.
【非特許文献4】
DeMong, D. E.; Williams, R. M. Tetrahedron Lett. 2001, 42, 3529.
【非特許文献5】
DeMong, D. E.; Williams, R. M. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 8561.
【非特許文献6】
Viso, A.; Fernandez de la Pradilla, R.; Guerrero-Strachan, C.;Alonso, M.; Martinez-Ripoll, M.; Andre, I. J. Org. Chem. 1997, 62, 2316.
【非特許文献7】
Viso, A.; Fernandez de la Pradilla, R.; Garcia, A.; Alonso, M.;Guerrero-Strachan, C.; Fonseca, I. Synlett 1999, 1543.
【非特許文献8】
Viso, A.; Fernandez de la Pradilla, R.; Lopez-Rodriguez, M. L.; Garcia,A.; Tortosa, M. Synlett 2002, 755.
【非特許文献9】
Viso, A.; Fernandez de la Pradilla, R.; Garcia, A.;Guerrero-Strachan, C.; Alonso, M.; Tortosa, M.; Flores, A.; Martinez-Ripoll,M.; Fonseca, I.; Andre, I.; Rodriguez, A. Chem. Eur. J. 2003, 9, 2867.
【非特許文献10】
Viso, A.; Fernandez de la Pradilla, R.; Lopez-Rodriguez, M. L.; Garcia,A.; Flores, A.; Alonso, M. J. Org. Chem. 2004, 69, 1542.
【非特許文献11】
Davis, F. A.; Deng, J. Org. Lett. 2004, 6, 2789.
【非特許文献12】
Davis, F. A.; Deng, J. Org. Lett. 2005, 7, 621.
【非特許文献13】
O’Donnel, M. J.; Boniece, J. M.; Earp, S. E. Tetrahedron Lett. 1978,30, 2641.
【非特許文献14】
O’Donnel, M. J.; Eckrich, T. M. Tetrahedron Lett. 1978, 30, 4625.
【非特許文献15】
Maruoka, K.; Ooi, T. Chem. Rev. 2003, 103, 3013.
【非特許文献16】
O’Donnel, M. J. Acc. Chem. Res. 2004, 37, 506.
【非特許文献17】
Lygo, B.; Andrews, B. I. Acc. Chem. Res. 2004, 37, 518.
【非特許文献18】
Maruoka, K.; Hashimoto, T. Chem. Rev. 2007, 107, 5656.
【非特許文献19】
O’Donnel, M. J.; Bennett, W. D.; Bruder, W. A.; Jacobsen, W. N.;Knuth, K.; LeClef, B.; Plot, R. L.; Bordwell, F. G.; Mrozack, S. R.; Cripe, T.A. J. Org. Chem. 1988, 110, 8520.
【非特許文献20】
Bernardi, L.; Gothelf, A. S.; Hazell, R. G.; Jorgensen, K. A. J.Org. Chem. 2003, 68, 2583.
【非特許文献21】
Ooi, T.; Kameda, M.; Fujii, J.; Maruoka, K. Org. Lett. 2004, 6,2397.
【非特許文献22】
Okada, A.; Shibuguchi, T.; Ohshima, T.; Masu, H.; Yamaguchi, K.;Shibasaki, M. Angew. Chem., Int. Ed. 2005, 44, 4564.
【非特許文献23】
Shibuguchi, T.; Mihara, H.; Kuramochi, A.; Ohshima, T.; Shibasaki,M. Chem. Asian J. 2007, 2, 794.
【非特許文献24】
Kobayashi, J.; Yamashita, Y.; Kobayashi, S. Chem. Lett. 2005, 34,268.
【非特許文献25】
Salter, M. M.; Kobayashi, J.; Shimizu, Y.; Kobayashi, S. Org. Lett.2006, 8, 3533.
【非特許文献26】
Ishikawa, T.; Araki, Y.; Kumamoto, T.; Seki, H.; Fukuda, K.; Isobe,T. Chem. Commun. 2001, 245.
【非特許文献27】
Matthews, W. S.; Bares, J. E.; Bartmess, J .E.; Bordwell, F. G.;Cornforth, F. J.; Drucker ,G. E.; Margolin, Z.; McCallum, R. J.; Vanier, N. R. J.Am. Chem. Soc. 1975, 97, 7006
【非特許文献28】
Carpino, A. L.; Han, G. Y. J. Am. Chem. Soc. 1970, 92, 5748.
【非特許文献29】
Carpino, A. L.; Han, G. Y. J. Org. Chem. 1972, 37, 3404.
【非特許文献30】
O’Donnel, M. J.; Plot, R. L. J. Org. Chem. 1982, 47, 2663.
【非特許文献31】
O’Donnel, M. J.; Lawley, L. K.; Pushpavanam, P. B.; Burger, A.;Bordwell, F. G.; Zhang, X. Tetrahedron Lett. 1994, 35, 6421
【非特許文献32】
Genet, J. P.; Uziel, J.; Touzin, A. M.; Juge, S. Synthesis 1990, 41.
【非特許文献33】
Kim, D. Y.; Suh, K. H.; Huh, S. C.; Lee, K. Synth. Commun. 2000, 31,3315.
【非特許文献34】
Jaszay, Z. M.; Nemeth, G.; Pham, T. S.; Petnehazy, I.; Grun, A.;Toke, L. Tetrahedron Asymmetry 2005, 16, 3837.
【非特許文献35】
Blaszczyk, R.; Gajda, T. Tetrahedron Lett. 2007, 48, 5859.
【非特許文献36】
Takamura, M.; Hamashima, Y.; Usuda, H.; Kanai, M.; Shibasaki, M. Angew.Chem., Int. Ed. 2000, 39, 1650

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、ジアミノ酸誘導体原料、その製造方法、及びジアミノ酸誘導体の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
下記の一般式[II]で表されるジアミノ酸誘導体の原料の製造方法であって、
下記の一般式[I]で表される化合物と、下記の一般式[V]で表される化合物とを反応させる
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体原料の製造方法。
一般式[II]


(R2は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。全てのR2は、同一でも、異なっていても良い。R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)
一般式[I]


(R2は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。全てのR2は、同一でも、異なっていても良い。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)
一般式[V]


(R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。)

【請求項2】
 
前記R2は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項1のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項3】
 
前記R3は、炭素数が1~8の炭化水素基、又は炭素数が1~8の複素環基である
ことを特徴とする請求項1のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項4】
 
前記電子求引基は、アルコキシカルボニル基、アシル基、アリールスルホニル基、又はアルキルスルホニル基である
ことを特徴とする請求項1のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項5】
 
前記一般式[I]で表される化合物と前記一般式[V]で表される化合物との反応が、光学活性な塩基性触媒の存在下で行われる
ことを特徴とする請求項1のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項6】
 
前記光学活性な塩基性触媒が、光学活性なグアニジン化合物の群の中から選ばれる何れかである
ことを特徴とする請求項5のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項7】
 
前記光学活性な塩基性触媒が、MX2(M=Be,Mg,Ca,Sr,Ba又はRa。X=任意の基)と下記一般式[VI]で表される化合物とで構成される光学活性な塩基性触媒の群の中から選ばれる何れかである
ことを特徴とする請求項5のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。
一般式[VI]


[R7,R8,R9,R10=置換基を有する環状基、又は置換基を有さない環状基。R9とR10とは、環を形成する場合と、環を形成しない場合とがある。]

【請求項8】
 
ジアミノ酸誘導体の原料であって、
下記の一般式[I]で表される化合物である
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体原料。
一般式[I]


(R2は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。全てのR2は、同一でも、異なっていても良い。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)

【請求項9】
 
前記R2は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項8のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項10】
 
ジアミノ酸誘導体の原料であって、
下記の一般式[II]で表される化合物である
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体原料。
一般式[II]


(R2は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。全てのR2は、同一でも、異なっていても良い。R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)

【請求項11】
 
前記R2は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項10ジアミノ酸誘導体原料。

【請求項12】
 
前記R3は、炭素数が1~8の炭化水素基、又は炭素数が1~8の複素環基である
ことを特徴とする請求項10のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項13】
 
前記電子求引基は、アルコキシカルボニル基、アシル基、アリールスルホニル基、又はアルキルスルホニル基である
ことを特徴とする請求項10のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項14】
 
下記の一般式[II]で表されるジアミノ酸誘導体原料のフルオレニル基を除去する
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体の製造方法。
一般式[II]


(R2は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。全てのR2は、同一でも、異なっていても良い。R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)

【請求項15】
 
前記フルオレニル基の除去は酸処理による
ことを特徴とする請求項14のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項16】
 
前記R2は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項14のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項17】
 
前記R3は、炭素数が1~8の炭化水素基、又は炭素数が1~8の複素環基である
ことを特徴とする請求項14のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項18】
 
前記電子求引基は、アルコキシカルボニル基、アシル基、アリールスルホニル基、又はアルキルスルホニル基である
ことを特徴とする請求項14のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項19】
 
下記の一般式[IV]で表されるジアミノ酸誘導体の原料の製造方法であって、
下記の一般式[III]で表される化合物と、下記の一般式[V]で表される化合物とを反応させる
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体原料の製造方法。
一般式[IV]


(R1は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)
一般式[III]


(R1は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)
一般式[V]


(R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。)

【請求項20】
 
前記R1は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項19のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項21】
 
前記R2は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項19のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項22】
 
前記R3は、炭素数が1~8の炭化水素基、又は炭素数が1~8の複素環基である
ことを特徴とする請求項19のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項23】
 
前記電子求引基は、アルコキシカルボニル基、アシル基、アリールスルホニル基、又はアルキルスルホニル基である
ことを特徴とする請求項19のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項24】
 
前記一般式[III]で表される化合物と前記一般式[V]で表される化合物との反応が、光学活性な塩基性触媒の存在下で行われる
ことを特徴とする請求項19のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項25】
 
前記光学活性な塩基性触媒が、光学活性なグアニジン化合物の群の中から選ばれる何れかである
ことを特徴とする請求項24のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。

【請求項26】
 
前記光学活性な塩基性触媒が、MX2(M=Be,Mg,Ca,Sr,Ba又はRa。X=任意の基)と下記一般式[VI]で表される化合物とで構成される光学活性な塩基性触媒の群の中から選ばれる何れかである
ことを特徴とする請求項24のジアミノ酸誘導体原料の製造方法。
一般式[VI]


[R7,R8,R9,R10=置換基を有する環状基、又は置換基を有さない環状基。R9とR10とは、環を形成する場合と、環を形成しない場合とがある。]

【請求項27】
 
ジアミノ酸誘導体の原料であって、
下記の一般式[III]で表される化合物である
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体原料。
一般式[III]


(R1は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)

【請求項28】
 
前記R1は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項27のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項29】
 
ジアミノ酸誘導体の原料であって、
下記の一般式[IV]で表される化合物である
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体原料。
一般式[IV]


(R1は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)

【請求項30】
 
前記R1は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項29のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項31】
 
前記R3は、炭素数が1~8の炭化水素基、又は炭素数が1~8の複素環基である
ことを特徴とする請求項29のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項32】
 
前記電子求引基は、アルコキシカルボニル基、アシル基、アリールスルホニル基、又はアルキルスルホニル基である
ことを特徴とする請求項29のジアミノ酸誘導体原料。

【請求項33】
 
下記の一般式[IV]で表されるジアミノ酸誘導体原料のフルオレニル基を除去する
ことを特徴とするジアミノ酸誘導体の製造方法。
一般式[IV]


(R1は、置換基を有する炭化水素基、又は置換基を有さない炭化水素基である。R3は、置換基を有する炭化水素基、置換基を有する複素環基、置換基を有さない炭化水素基、又は置換基を有さない複素環基である。R4は電子求引基である。フルオレニル基は、環に置換基を持つフルオレニル基、又は環に置換基を持たないフルオレニル基である。)

【請求項34】
 
前記フルオレニル基の除去は酸処理による
ことを特徴とする請求項33のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項35】
 
前記R1は、炭素数が1~8の炭化水素基である
ことを特徴とする請求項33のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項36】
 
前記R3は、炭素数が1~8の炭化水素基、又は炭素数が1~8の複素環基である
ことを特徴とする請求項33のジアミノ酸誘導体の製造方法。

【請求項37】
 
前記電子求引基は、アルコキシカルボニル基、アシル基、アリールスルホニル基、又はアルキルスルホニル基である
ことを特徴とする請求項33のジアミノ酸誘導体の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2010502764thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) ERATO KOBAYASHI Highly Functionalized Reaction Environments AREA
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