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POLYIMIDE FILM DIRECTLY JOINED WITH THIN COPPER FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME commons

Patent code P110004773
Posted date Aug 18, 2011
Application number P2000-192815
Publication number P2002-004067A
Patent number P3265364
Date of filing Jun 27, 2000
Date of publication of application Jan 9, 2002
Date of registration Jan 11, 2002
Inventor
  • (In Japanese)稲垣 訓宏
  • (In Japanese)田坂 茂
Applicant
  • (In Japanese)学校法人静岡大学
Title POLYIMIDE FILM DIRECTLY JOINED WITH THIN COPPER FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME commons
Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide film directly joined with a thin copper film formed by directly and securely joining the thin copper film to the polyimide film.

SOLUTION: This polyimide film directly joined with the thin copper film consists of the polyimide film which is reformed by bonding of an organic silane compound having the cyano group expressed by general formula -Si(R- CN)n (where, R denotes 1-6C alkyl group and (n) denotes a positive integer from 1 to 3) to the carbon atoms on the surface and the thin copper film which is directly bonded to the reformed surface of the polyimide film.

Outline of related art and contending technology (In Japanese)ポリイミドフィルムは、優れた機械的強度、耐熱性、絶縁性を有するため、このフィルムに銅を複合化したものはフレキシブル印刷配線板(FPC)の素材として利用されている。前記ポリイミドフィルムは、銅との密着性が乏しい。このため、従来、ポリイミドフィルムに銅を複合化する場合はポリイミドフィルムに銅薄膜(例えば銅箔)を接着剤を介して接着している。しかしながら、接着剤によるポリイミドフィルムと銅箔との複合化はその接着剤層の介在により最終製品であるフレキシブル印刷配線板の薄膜化の妨げになる。また、接着剤層の耐熱性によりフレキシブル印刷配線板の耐熱性が制約され、用途が制限される。
Field of industrial application (In Japanese)本発明は、フレキシブル印刷配線板の素材等に用いられる銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法に関する。
Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
  一般式-Si(R-CN)n(ただし、Rは炭素数1~6のアルキル基、nは1から3の正数を示す)にて表されるシアノ基を有する有機シラン化合物が表面の炭素原子に結合されて改質されたポリイミドフィルムと、このポリイミドフィルムの改質表面に直接結合された銅薄膜とからなることを特徴とする銅薄膜直接接合ポリイミドフィルム。
【請求項2】
  前記銅薄膜は、銅の真空蒸着またはスパッタリングにより前記ポリイミドフィルム表面に堆積された銅薄膜と、この銅薄膜上に電気銅めっきにより堆積された電気銅めっき薄膜との二層構造を有することを特徴とする請求項1記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルム。
【請求項3】
  ポリイミドフィルムにプラズマ処理を施して前記フィルム表面の炭素を活性化した後、大気に曝して活性な炭素に酸素を結合させることにより前記フィルム表面に酸素官能基を導入する工程と、前記ポリイミドフィルムの酸素官能基と一般式(R’O)(4-n)-Si(R-CN)n(ただし、R,R’は炭素数1~6のアルキル基、nは1から3の正数を示す)にて表されるシランカップリング剤とをカップリング反応させて前記ポリイミドフィルム表面の炭素原子に一般式-Si(R-CN)n(ただし、Rは炭素数1~6のアルキル基、nは1から3の正数を示す)にて表されるシアノ基を有する有機シラン化合物を導入して表面改質する工程と、前記表面改質されたポリイミドフィルム表面に銅の真空蒸着またはスパッタリングにより銅薄膜を堆積する工程とを具備することを特徴とする銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項4】
  前記プラズマ処理は、アルゴンプラズマによりなされることを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項5】
  前記酸素官能基の導入量は、前記ポリイミドフィルムの表面においてそのポリイミドの構成原子である炭素とこの炭素に部分的に結合される酸素との原子比(QO/QC、ここでQCはポリイミドフィルム表面の全炭素量、QOはこの炭素に部分的に結合される酸素の量)で0.23~0.60であることを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項6】
  前記カップリング反応は、前記シランカップリング剤のアルコール溶解液に前記酸素官能基が導入されたポリイミドフィルムを浸漬し、加熱することによりなされることを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
【請求項7】
  さらに前記銅薄膜表面に電気銅めっきにより電気銅めっき薄膜を堆積することを特徴とする請求項3記載の銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムの製造方法。
Industrial division
  • Surface treatment
  • High polymer
  • Electric parts
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Right is in force
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