TOP > 国内特許検索 > 磁気記録媒体の製造方法

磁気記録媒体の製造方法 コモンズ

国内特許コード P110004920
整理番号 K058-357
掲載日 2011年8月18日
出願番号 特願平11-118298
公開番号 特開2000-311329
登録番号 特許第3328692号
出願日 平成11年4月26日(1999.4.26)
公開日 平成12年11月7日(2000.11.7)
登録日 平成14年7月19日(2002.7.19)
発明者
  • 島田 寛
  • 北上 修
  • 岡本 聡
出願人
  • 国立大学法人東北大学
発明の名称 磁気記録媒体の製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】 比較的低い熱処理温度でマトリックスと磁性微粒子とが十分に分離され、高密度に記録することが可能なグラニュラー型の磁気記録媒体、及びグラニュラー型磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 鉄(Fe)、コバルト(Co)、及びニッケル(Ni)に対して大きい拡散速度を有する硼素(B)などの高拡散元素と、鉄(Fe)、コバルト(Co)、及びニッケル(Ni)に対して小さい拡散速度を有するシリコン(Si)などの低拡散元素とを含有する非磁性物質からなるマトリックス中に、鉄(Fe)、コバルト(Co)、及びニッケル(Ni)から選ばれる少なくとも1種の元素を含有した磁性微粒子が析出した、グラニュラー型の磁気記録媒体。
従来技術、競合技術の概要


情報社会の発展に伴い、高密度記録技術の開発が切望されている。特に、ビット単価が安く、不揮発かつ大容量記録の可能な磁気記録においては、高密度記録の可能な磁気記録媒体の開発が強く要求され、種々の研究開発によりここ数年で著しい高密度化が実現された。しかし、将来的に更なる進化が期待される情報化社会において、例えば十年、 二十年先の市場要求に対応できる技術的見通しは殆ど得られていない。この技術的行き詰まりの最も大きな原因の一つに、現行磁気記録媒体が抱える以下のような原理的問題がある。
現行の磁気記録媒体用薄膜は、CoCrを主体とする合金薄膜であるが、この薄膜においては磁性を担う微小領域の磁気的分離が不十分なため、磁気的に結合した比較的に大きな磁気集団(クラスター) が形成される。そのサイズはサブミクロンからミクロンオーダーにも達する。現行の磁気記録技術における最小ビットサイズがサブミクロンオーダーであり、上記磁気クラスターサイズと同程度であることを考えると、記録分解能という点では既に限界に近づいているということができる。現行技術のこのような限界を打破するには, 記録媒体内の磁性粒子を効率よく磁気絶縁し、磁気クラスターの極小化を図る必要がある。
この間題に対する一つのブレークスルーとして、グラニュラー型の磁気記録媒体が提案された。グラニュラー媒体は、酸化物等の非磁性マトリクス中に磁性微粒子を析出させた構造を有し、磁性粒子間が非磁性物質の介在によりほぼ完全に磁気的に絶縁されている。したがって、個々の粒子(10~30nm程度) が最小の磁化単位となり、少なくともこの程度のサイズまで微小な高蜜度記録が可能となる。
実際、最近の研究によれば、SiO非磁性マトリクス中に磁性粒子を分散析出させたグラニュラー媒体において、高密度記録が可能なこと、そして粗大クラスター形成の回避によるノイズの顕著な低減効果が確認されている。

産業上の利用分野


本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳しくはハードディスクなどの高記録密度媒体などに好適に使用することのできる、磁気記録媒体の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
硼素(B)及びシリコン(Si)を含有する非磁性物質、並びに鉄(Fe)、コバルト(Co)、及びニッケル(Ni)から選ばれる少なくとも一種の元素を含有してなる蒸発源から、物理蒸着法によって、所定の基板上に前記非磁性物質を構成する元素、並びに鉄(Fe)、コバルト(Co)、及びニッケル(Ni)から選ばれる前記少なくとも一種の元素がランダムに配列してなる薄膜を形成した後、この薄膜に対して250℃以上で熱処理を行い、前記非磁性物質からなるマトリックス中に、鉄(Fe)、コバルト(Co)、及びニッケル(Ni)から選ばれる前記少なくとも一種の元素を含む磁性微粒子を析出させることを特徴とする、グラニュラー型の磁気記録媒体の製造方法。

【請求項2】
前記熱処理の温度が、250~500℃であることを特徴とする、請求項1に記載のグラニュラー型の磁気記録媒体の製造方法。

【請求項3】
前記蒸発源はターゲットであり、前記物理蒸着法はスパッタリング法であることを特徴とする、請求項2に記載のグラニュラー型の磁気記録媒体の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 登録
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記「問合せ先」までご連絡ください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close