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MAGNETIC FIELD ASSISTED MICROPOLISHING DEVICE AND MAGNETIC FIELD ASSISTED MICROPOLISHING METHOD

Patent code P110005210
File No. P05-017
Posted date Aug 18, 2011
Application number P2005-337065
Publication number P2007-136637A
Patent number P4185987
Date of filing Nov 22, 2005
Date of publication of application Jun 7, 2007
Date of registration Sep 19, 2008
Inventor
  • (In Japanese)吉原 佐知雄
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人宇都宮大学
Title MAGNETIC FIELD ASSISTED MICROPOLISHING DEVICE AND MAGNETIC FIELD ASSISTED MICROPOLISHING METHOD
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic field assisted micropolishing device enabling micropolishing of the surface to be polished and a magnetic field assisted micropolishing method, capable of eliminating as much as practicable bias workmanship of polishing, even when the surface includes a plurality of regions in mixture having different characteristics to accept polishing.
SOLUTION: The magnetic field assisted micropolishing device 10 is equipped at least with a holding member 12 to hold a work 1 to be polished, a first magnet 14 positioned facing the surface to be polished 2 of the work 1 held by the holding member 12, in an arrangement such that a prescribed gap S is reserved in the area facing the surface 2, and a first driving means to put the holding member 12 and the first magnet 14 in rotation and/or horizontal vibration relatively within a virtual plane approximately parallel with the surface 2, and a polish supply means for supplying the gap S between the surface 2 and the first magnet 14 with a polish, consisting of magnetic abrasive grains, polish grains containing magnetic particles, and/or a polishing slurry containing the magnetic abrasive grains or the polish grains.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

集積回路(IC)の配線として、銅配線が適用される場合がある。この銅配線は、通常、ダマシン法と呼ばれる方法で形成されている。ダマシン法は、先ず、各ICの銅配線を施す部分に配線用溝(トレンチともいう。)を形成し、そのトレンチの深さを埋めるに足る厚さ以上の銅層をシリコンウエハの全面にめっき等の手段により形成し、その後、化学的機械的平坦化研磨(Chemical Mechanical Planarization: CMP)と呼ばれる化学的溶解と機械的研磨とを組み合わせた研磨方法により、シリコンウエハ全面に形成された銅層のうち余分な部分を除去し、上記トレンチ内に埋め込まれた銅のみを残して銅配線を形成する方法である。

上記の化学的機械的平坦化研磨法(CMP法)は、例えばシリカ粒子を含んだ研磨液(スラリー)をウエハ表面に供給しながら、スピンドルに貼り付け若しくはチャッキングしたウエハの表面を、ポリッシングプレート表面の研磨パッドに接触させて研磨する方法であり、ウエハの被研磨面とポリッシングプレート表面とを直接に加圧接触させて摩擦し、ウエハの被研磨面を一括して研磨する方法である。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、研磨対象物の被研磨面の微細研磨を可能とした磁気援用微細研磨装置及び方法に関し、更に詳しくは、被研磨特性の異なる領域が混在する被研磨面であっても、研磨の偏りを極力なくすことができる磁気援用微細研磨装置及び方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
研磨対象物を保持する保持部材と、
前記保持部材に保持された研磨対象物の被研磨面に対向し、且つ該被研磨面との間に所定の間隙を設けて配置された第1の磁石と、
前記保持部材と前記第1の磁石とを、前記被研磨面にほぼ平行な仮想平面内で相対的に回転及び/又は水平振動させる第1の駆動手段と、
前記第1の磁石の、前記保持部材を挟んだ反対側に配置され、前記第1の磁石の極性と反対の極性をもつ第2の磁石と、
前記保持部材と前記第2の磁石とを前記被研磨面にほぼ平行な仮想平面内で相対的に回転及び/又は水平振動させる第2の駆動手段と、
前記被研磨面と前記第1の磁石との間隙に、磁性砥粒、磁性粒子を含有する研磨砥粒、及び磁性砥粒を含有する研磨スラリーから選ばれる研磨材を供給する研磨材供給手段と、
を少なくとも備え、
前記第1の磁石は、前記被研磨面に平行となるヨークからなる固定具に取り付けられたものであって、複数の磁石棒を前記被研磨面側の磁極が同じになるように配し且つ当該個々の磁石棒を互いに離間して配置した構造であることを特徴とする磁気援用微細研磨装置。

【請求項2】
 
前記磁性砥粒は、粒子表面に研磨粒子を分散含有する磁性めっき皮膜が形成されてなるものであることを特徴とする請求項1に記載の磁気援用微細研磨装置。

【請求項3】
 
前記研磨対象物が、前記被研磨面に被研磨特性の異なる領域が混在するものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気援用微細研磨装置。

【請求項4】
 
前記被研磨対象物が、金属線層のダマシン構造を含むウエハ又はプリント配線板作製用はんだペースト印刷用マスクであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の磁気援用微細研磨装置。

【請求項5】
 
請求項1~4のいずれかに記載の磁気援用微細研磨装置を用いて行うことを特徴とする磁気援用微細研磨方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2005337065thum.jpg
State of application right Registered
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