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LIQUID IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS commons

Patent code P110005230
File No. P06-016
Posted date Aug 18, 2011
Application number P2007-073891
Publication number P2008-235620A
Patent number P5055549
Date of filing Mar 22, 2007
Date of publication of application Oct 2, 2008
Date of registration Aug 10, 2012
Inventor
  • (In Japanese)西田 靖
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人宇都宮大学
Title LIQUID IMMERSION LITHOGRAPHY APPARATUS commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid immersion lithography apparatus which can prevent a liquid supplied into a space between a projection lens and a substrate (e.g., wafer) from staying in a space other than the liquid stay space by precisely moving the liquid together with the substrate.
SOLUTION: A liquid immersion lithography apparatus 100 comprises a liquid supply/exhaust device 200 for supplying or exhausting a liquid into or from a liquid holding space defined between a projection optical mechanism 140 and a wafer 50. The liquid supply/exhaust device 200 includes a liquid supply unit 210 for supplying a liquid L into the liquid holding space, a liquid collection unit 220 for collecting the liquid L supplied into the liquid holding space, a liquid holding member 230 having such a water repellent characteristic as to hold the liquid L supplied into the liquid holding space, and a voltage applying means 240 for applying a voltage to the liquid holding member 230.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


近年、半導体集積回路の高密度化、高速化に伴い、集積回路のパターン線幅が縮小され、よりいっそうの高精細化が求められている。こうした要求に対し、半導体の製造方法の研究開発が行われ、例えば半導体製造工程中のリソグラフィー工程で用いられる露光装置においては、光源にKrFレーザ(248nm)、ArFレーザ(193nm)のような短波長レーザを用い、レジストパターンの高精細化を実現している。さらに短波長化として、F2(フッ素ダイマー)レーザ(157nm)やEUV(13.5nm)等の極紫外線を用いた露光装置の開発が行われている。



しかしながら、F2レーザを用いた露光装置には、非常に厳しいスペックが要求されており、開発に非常に時間を要している一方、半導体デバイスの微細化への要求は増しており、半導体製造現場からの要求に露光装置開発が追いつかない状況が生まれつつある。



そこで、最近では、ArFレーザを用いて回路パターンの更なる高精細化を達成する手段として、投影レンズの下面と被露光基板との間を液体で満たす方法が提案されている。液体は、一般に屈折率が1より大きいため、投影露光光学系のNAが見かけ上「1」以上となり、従来の解像限界を超えた解像度を達成することができる。また、この方法においては、投影レンズと被露光基板の間に満たす液体(一般には「液浸剤」と言われる。)は、水が良いとされている。



従来、このような方法においては、所定の機構を用いて又はエアーを用いて投影レンズと被露光基板との間に液体の供給及び除去を行う方法(例えば、特許文献1を参照)、投影レンズの周囲に基被露光板が設置される面と平行となる面を有する部材にてエアーカーテンを構成し、供給された液体の充填性を高める方法(例えば、特許文献2を参照)、又は、被露光基板が可動する範囲全体を覆うカバーを設置する方法(例えば、特許文献3を参照)等が報告されている。
【特許文献1】
特開2005-45223号公報
【特許文献2】
特開2005-166776号公報
【特許文献3】
特開2006-60016号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、例えば、ICやLSI等の半導体チップ等の各種デバイスの製造に用いられる露光装置に関し、さらに詳しくは、例えばレンズとウエハとの間に液体を浸して解像度を上げる露光装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
液体を用いて被露光体に回路パターンを露光する液浸露光装置であって、
前記被露光体を保持する被露光体保持部材と、
光源から所定のパターンを有する遮光材に光を照射する照射手段と、
前記光にて照射されて形成される遮光材のパターンを前記被露光体に投影する投影手段と、
前記被露光体と前記投影手段との間に構成される空間に前記液体を供給する液体供給手段と、
前記空間に供給された液体を排出する液体排出手段と、
前記投影手段の周囲に設けられ、当該投影手段における被露光体に対する露光位置が変化する際に、前記空間内に供給された液体を当該露光位置に保持するための液体保持部材と、
を備え、
前記液体保持部材が撥水特性を有し、内側壁面と、該内側壁面と形成する鋭角の頂点が前記被露光体の上面に対向するように設けられる外側壁面と、で形成されており、
前記内側壁面と前記外側壁面のうち、いずれか一方が前記被露光体の上面に対して垂直に構成される垂直面であり、他方が前記被露光体の上面と鋭角を形成する傾斜面であり、
前記内側壁面には、前記液体供給手段と前記液体排出手段のうちいずれか一方が設けられている、ことを特徴とする液浸露光装置。

【請求項2】
 
請求項1に記載の液浸露光装置において、
前記液体保持部材が、該液体保持部材と前記空間内に供給された前記液体との表面張力を利用して該液体を前記露光位置に保持する、液浸露光装置。

【請求項3】
 
請求項1又は2に記載の液浸露光装置において、
前記液体保持部材に該液体保持部材の撥水特性を向上させるための静電界を印加する印加手段をさらに備える、液浸露光装置。

【請求項4】
 
請求項1乃至3の何れか一項に記載の液浸露光装置において、前記液体保持部材が親水特性を有する、液浸露光装置。

【請求項5】
 
請求項4に記載の液浸露光装置において、
前記液体保持部材に該液体保持部材の親水特性を向上させるための静電界を印加する印加手段をさらに備える、液浸露光装置。

【請求項6】
 
請求項1乃至5の何れか一項に記載の液浸露光装置において、
前記液体保持部材に、前記垂直面と前記傾斜面とによって形成される円形上の突起部分に接合され、前記光路軸を中心とした半径方向の外側方向に傾斜する円形リングが設けられている、液浸露光装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2007073891thum.jpg
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