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METHOD FOR PRODUCING TRANS-ETHYLENE DERIVATIVE, ETHYLENE DERIVATIVE PRODUCED BY THE METHOD FOR PRODUCING TRANS-ETHYLENE DERIVATIVE AND APPARATUS FOR PRODUCING TRANS-ETHYLENE DERIVATIVE meetings

Patent code P110005231
File No. P06-022
Posted date Aug 18, 2011
Application number P2007-091718
Publication number P2008-247817A
Patent number P5044788
Date of filing Mar 30, 2007
Date of publication of application Oct 16, 2008
Date of registration Jul 27, 2012
Inventor
  • (In Japanese)伊藤 直次
  • (In Japanese)佐藤 剛史
  • (In Japanese)伊藤 智志
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人宇都宮大学
Title METHOD FOR PRODUCING TRANS-ETHYLENE DERIVATIVE, ETHYLENE DERIVATIVE PRODUCED BY THE METHOD FOR PRODUCING TRANS-ETHYLENE DERIVATIVE AND APPARATUS FOR PRODUCING TRANS-ETHYLENE DERIVATIVE meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an industrially easily adoptable method for producing a trans-ethylene derivative by which simplicity is high at high speed with high economical efficiency and a small load on environments.
SOLUTION: The method for producing the trans-ethylene derivative comprises a cis-trans isomerization reaction step of holding a cis-ethylene derivative represented by the general formula (1) (wherein, R1 and R2 represent each independently a prescribed group such as a 1-18C straight-chain or branched alkyl group) at ≥50 to ≤300°C temperature in an inert atmosphere or a supercritical carbon dioxide atmosphere.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

エチレン誘導体のシス-トランス異性化反応は、基本的な有機合成反応として重要なものであり、エチレン誘導体の化合物によってはトランス体の価格がシス体の価格の数倍となることもあるため、高付加価値を生み出す反応でもある。

こうしたエチレン誘導体のシス-トランス異性化反応、より具体的には、シス体のエチレン誘導体をトランス体のエチレン誘導体に異性化する反応は、光照射下にて数日~数週間のオーダーで行う方法、高価な触媒を用いて行う方法がある。また、触媒にハロゲン等を用いて行う方法もある。さらに、熱的にシス-トランス異性化反応を行う方法(非特許文献1)もある。非特許文献1では、469℃でシス-ブテン-2のシス-トランス異性化反応が行われている。
【非特許文献1】
B.S.Rabinovitch and K.-W.Michel,“The thermal unimolecular cis-trans isomerization of cis-butene-2”J.Am.Chem.Soc.,81,5065-5071(1959)

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、トランス体のエチレン誘導体の製造方法、このトランス体のエチレン誘導体の製造方法によって製造されるエチレン誘導体、及びトランス体のエチレン誘導体の製造装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
下記一般式(1)で表されるシス体のエチレン誘導体を、不活性雰囲気又は超臨界二酸化炭素雰囲気下で、無溶媒及び無触媒下で、50℃以上、300℃以下の温度で保持するシス-トランス異性化反応工程を有することを特徴とするトランス体のエチレン誘導体の製造方法。
【化1】
 
(省略)
(一般式(1)中、R1及びR2は、それぞれ独立に、-SO2R3で表わされるスルホニル基を表す。R3はフェニル基を表す。)
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
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