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PLATED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME commons

Patent code P110005568
File No. 20-2
Posted date Aug 18, 2011
Application number P2006-287668
Publication number P2007-009333A
Patent number P4599565
Date of filing Oct 23, 2006
Date of publication of application Jan 18, 2007
Date of registration Oct 8, 2010
Inventor
  • (In Japanese)新井 進
  • (In Japanese)遠藤 守信
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人信州大学
Title PLATED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plated structure having carbon nanotubes or the derivatives incorporated at normal temperature in a metal and a method of manufacturing the same.
SOLUTION: The plated structure has the carbon nanotubes having ≤200 nm diameter and an aspect ratio of ≥10 or the derivatives uniformly incorporated in a plated layer. A resin material can be incorporated in the plated layer. As the derivative, one formed by applying various chemical modification on the carbon nanotube or by fluorinating the carbon nanotube is included.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


カーボンナノチューブ(直径200nm以下、アスペクト比10以上)は、炭素の基本骨格(6員環)が軸方向に配列していることが特徴であり、その特徴に由来する、熱伝導性、電気伝導性、摺動特性、機械的強度等の特性に優れていることが期待でき、幅広い用途に用いられようとしている。
上記CNTの製造方法は種々知られているが、量産性の点から気相成長法が有利とされている(田中一義[編]「カーボンナノチューブ」化学同人出版、2001年1月30日、P.67-77)。



【非特許文献1】
田中一義[編]「カーボンナノチューブ」化学同人出版、2001年1月30日、P.67-77

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は電解めっき方法および電解めっき液に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
電解ニッケルめっき液もしくは電解銅めっき液中に、カーボンナノチューブもしくはその誘導体を添加して、該めっき液を用いて基材上に電解めっきを施して、基材表面に、前記カーボンナノチューブもしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜を形成する電解めっき方法であって、
前記めっき液中に分散剤としてポリアクリル酸もしくはその塩を添加して、カーボンナノチューブもしくはその誘導体をめっき液中に分散させるとともに、めっき液を攪拌しつつ電解めっきを行うことを特徴とする電解めっき方法。

【請求項2】
 
分子量が3000~40000のポリアクリル酸を用いることを特徴とする請求項1記載の電解めっき方法。

【請求項3】
 
カーボンナノチューブの誘導体にフッ素化カーボンナノチューブを用いることを特徴とする請求項1または2記載の電解めっき方法。

【請求項4】
 
めっき液中に、さらに樹脂材を分散させ、基材表面に、カーボンナノチューブもしくはその誘導体と共に樹脂材が混入しているめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の電解めっき方法。

【請求項5】
 
カーボンナノチューブもしくはその誘導体の先端がめっき皮膜表面から突出するようにめっきを行うことを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の電解めっき方法。

【請求項6】
 
基材表面にレジストパターンを形成し、このレジストパターンの凹部内にめっき皮膜を形成することを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載の電解めっき方法。

【請求項7】
 
電解ニッケルめっき液もしくは電解銅めっき液であって、該めっき液中に、カーボンナノチューブもしくはその誘導体と、このカーボンナノチューブもしくはその誘導体を分散させるための分散剤としての、ポリアクリル酸もしくはその塩を含むことを特徴とする電解めっき液。

【請求項8】
 
ポリアクリル酸の分子量が3000~40000であることを特徴とする請求項7記載の電解めっき液。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2006287668thum.jpg
State of application right Registered
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