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PLANAR THIN-FILM SQUID DIFFERENTIAL MAGNETIC FLUX SENSOR AND NON-DESTRUCTIVE INSPECTION APPARATUS USING IT

Patent code P110005622
File No. 05014P
Posted date Aug 18, 2011
Application number P2005-148052
Publication number P2006-322886A
Patent number P4635199
Date of filing May 20, 2005
Date of publication of application Nov 30, 2006
Date of registration Dec 3, 2010
Inventor
  • (In Japanese)廿日出 好
  • (In Japanese)田中 三郎
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人豊橋技術科学大学
Title PLANAR THIN-FILM SQUID DIFFERENTIAL MAGNETIC FLUX SENSOR AND NON-DESTRUCTIVE INSPECTION APPARATUS USING IT
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor having a special structure which makes any magnetic flux trap difficult to occur at a Josephson junction, and to provide a non-destructive inspection apparatus using it.
SOLUTION: In the planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor which has a primary or more differential magnetic flux detecting coil for measuring a magnetic field differentiation, a SQUID ring is directly coupled with the magnetic flux detecting coil such that bias current flows in the Josephson junction in the SQUID ring along a direction parallel to a direction of an exciting magnetic field.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


従来、このような分野の技術として、本願発明者らが、SQUID磁束センサを用いた抗原抗体反応装置を提案している(下記特許文献1,2参照)。



ところで、測定対象を励磁するために強い磁場を印加し、その磁場中で行うSQUID磁気センサを用いた磁気計測技術において、従来から用いられている一般的な平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いる場合、その検出原理上、センサのコイル微分方向に対して印加磁場は垂直に印加しなければならない。しかしながら、従来のセンサでは磁場印加方向が必然的にSQUIDのジョセフソン接合に流れるバイアス電流の向きと垂直になり、接合に流れる電流にローレンツ力が作用し、磁束ノイズが増大するという不都合があった。大きな磁場を印加したほうが大きな検出信号を得ることができ都合がよいが、磁場増加に伴いこの磁束ノイズが増大するため、大きな磁場を印加することができず、SQUID磁気センサの高感度能力を十分に活かすことができていなかった。
【特許文献1】
特開2001-133458号公報
【特許文献2】
特開2004-061144号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ及びそれを用いた非破壊検査用装置に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型SQUID微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、SQUIDリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにSQUIDリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサ。

【請求項2】
 
請求項1記載の平面薄膜型SQUID微分型磁束センサにおいて、前記バイアス電流を供給するリード線薄膜パターンの、中央部リード線薄膜パターンの方向を励磁磁場の方向と一致させるように配線することを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置。

【請求項3】
 
請求項1又は2記載の平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置において、前記励磁磁場を印加する逆向きの極性を持つ2個の電磁石を具備することを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置。

【請求項4】
 
請求項1又は2記載の平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置において、前記検出対象物が板状の検出対象物であり、前記励磁磁場を印加する二対の逆向きの極性を持つ4個の電磁石を具備することを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置。

【請求項5】
 
請求項1又は2記載の平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置において、前記励磁磁場を印加する逆向きの極性を持つ2個のソレノイドコイルを具備することを特徴とする平面薄膜型SQUID微分型磁束センサを用いた非破壊検査用装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2005148052thum.jpg
State of application right Registered
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