Top > Search of Japanese Patents > COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM

COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM

Patent code P110005939
File No. E086P19
Posted date Nov 15, 2011
Application number P2010-098200
Publication number P2011-228178A
Patent number P5327977
Date of filing Apr 21, 2010
Date of publication of application Nov 10, 2011
Date of registration Aug 2, 2013
Inventor
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)李 金望
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming conductive films which can form a strontium ruthenium oxide based conductive film, and is superior in long term stability and processability.
SOLUTION: The composition for forming conductive films is a composition containing strontium carboxylate, ruthenium carboxylate and a solvent. The solvent contains at least one kind selected from the group consisting of ketone and carboxylic acid. It is preferable that the composition for forming conductive films has the solvent containing carboxylic acid.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

ペロブスカイト型結晶構造を有するストロンチウム-ルテニウム酸化物系導電性膜(SRO膜)は、その優れた導電性から各種電極材料としての応用が期待されている。またこのSRO膜中に含まれるルテニウム原子の一部を他の金属原子、例えばチタンで置き換えた置換SRO膜は、該膜中のキャリア濃度が適当な値、例えば1×1016~1×1019個/cm3程度であるならば、例えば強誘電体ゲートトランジスタのチャネルとして使用することができる。
このようなSRO膜ないし置換SRO膜(以下、これらをまとめて単に「SRO膜」という。)は、例えばスパッタリング法、レーザーアブレーション法、反応性蒸着法などの気相法によって形成することができる。しかし、気相法は重厚長大且つ高価な装置を必要とし、膜の生産性も低いため、実用的であるとはいい難い。
一方、気相法によらないSRO膜の形成方法として、ゾルゲル法が知られている。この技術は、金属酸化物の前駆体、例えば金属アルコキシドなどを含有する組成物溶液を基板上に塗布して塗膜を形成し、次いでこれを加熱して前駆体を加水分解および縮合して酸化物膜とした後、さらに高温で加熱することによって結晶化を行う技術である。この技術は、膜の組成制御が容易であり、膜厚の均一性が高いなどの長所を有する反面、組成物溶液の安定性が低く、溶液の長期保存ができないとの短所がある。

かかる問題を解決すべく特許文献1は、前駆体としてストロンチウムおよびルテニウムのカルボン酸塩を使用し、これらを水不混和性の溶媒に溶解してなるSRO膜形成用組成物を提案している。しかしながら特許文献1の技術は、組成物中のSr濃度およびRu濃度を低くするとともに水分量を厳密に制御する必要があり、製造プロセス上の扱い易さ(以下、「プロセス性」という。)に劣る。さらに、酸化物膜形成後の結晶化のために750℃程度の高温における加熱を要し、膜形成操作中のデバイスの劣化が懸念される。
以上のような事情のもと、長期安定性に優れるとともにプロセス性が高い導電性膜形成用組成物、および該組成物を用いて行う、簡易であるとともに高温加熱を要しない導電性膜の形成方法が熱望されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、導電性膜形成用組成物および該組成物を用いて行う導電性膜の形成方法に関する。さらに詳しくは、導電性に優れるストロンチウム-ルテニウム酸化物系導電性膜を簡易な方法で形成するための組成物および方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ストロンチウムのカルボン酸塩と
ルテニウムのカルボン酸塩と
溶媒と
を含有する組成物であって、
前記溶媒がプロピオン酸を含有することを特徴とする、導電性膜形成用組成物。

【請求項2】
 
さらにチタンのカルボン酸塩を含有する、請求項1に記載の導電性膜形成用組成物。

【請求項3】
 
基板上に、請求項1または2に記載の導電性膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を酸化性雰囲気下において450℃未満の温度で加熱することを特徴とする、有機物を含有し、結晶性を有さない導電性膜の形成方法。

【請求項4】
 
基板上に、請求項1または2に記載の導電性膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を酸化性雰囲気下において450℃以上の温度で加熱することを特徴とする、ペロブスカイト結晶性を有する導電性膜の形成方法。

【請求項5】
 
基板上に、請求項2に記載の導電性膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成し、該塗膜を酸化性雰囲気下において加熱することを特徴とする、強誘電体ゲートトランジスタのチャネルとして使用される導電性膜の形成方法。

【請求項6】
 
請求項3に記載の方法によって形成された、有機物を含有し、結晶性を有さない導電性膜。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close