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(In Japanese)基板およびその研磨方法、並びに研磨装置 commons

Patent code P120006548
File No. 04076JP
Posted date Jan 30, 2012
Application number P2007-524633
Patent number P4904506
Date of filing Jul 7, 2006
Date of registration Jan 20, 2012
International application number JP2006313601
International publication number WO2007007683
Date of international filing Jul 7, 2006
Date of international publication Jan 18, 2007
Priority data
  • P2005-198640 (Jul 7, 2005) JP
Inventor
  • (In Japanese)渡邉 純二
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 熊本大学
Title (In Japanese)基板およびその研磨方法、並びに研磨装置 commons
Abstract (In Japanese)SiCやダイヤモンドからなる基板の表面を、サブサーフェスダメージを残すことなく極めて平滑に、しかも能率よく研磨することが可能な研磨方法および研磨装置を提供する。研磨定盤1は回転軸4を中心に回転可能であり、紫外光に対する透明性の高い石英により構成されている。研磨定盤1の表面には多数本の溝11が格子状に設けられ,各溝11には固体光触媒粒子20(CeO2 )が埋め込まれる。研磨定盤1を炭化珪素(SiC)またはダイヤモンド(C)からなる基板30の被研磨面30Aに超高圧で押し付けながら相対的に擦動させることにより、固体光触媒粒子20によって被研磨面30Aが酸化され、化学的研磨が行われる。紫外光源ランプ2からの紫外線照射により被研磨面30Aの酸化が促進され、赤外光源ランプ3による加熱によって研磨が促進される。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


[0002]
SiC単結晶は、高硬度で耐熱性や耐蝕性にも優れており、化学的にも極めて安定な化合物である。また、共有結合を持つ化合物半導体であるSiCは、シリコン(Si)と比較して、バンドギャップが2倍以上、絶縁破壊電界強度が約10倍、電子飽和速度が約2倍、熱伝導率が約3倍以上という、優れた特性を有していることから、高温、高速、大電流デバイスや青色発光デバイスなどに有効な材料として注目されている(例えば特許文献1)。
特許文献1:特開平08-139140号公報
[0003]
また、ダイヤモンド単結晶は、機械的強度が最も高く、化学的、熱的にも安定しており、近年では特にワイドバンドギャップ半導体基板に好適な材料として注目されている。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、例えば炭化珪素(SiC)またはダイヤモンド(C)からなる基板の表面の研磨を行うための研磨方法およびこの方法により得られた基板、並びに研磨装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
  石英からなると共に表面に格子状の溝を有する研磨定盤を用い、前記溝に固体光触媒粒子を埋め込み、炭化珪素(SiC)またはダイヤモンドの基板の被研磨面を前記研磨定盤の表面に高圧で押し付けると共に前記研磨定盤の裏面から前記研磨定盤を透過して基板の被研磨面に紫外線を照射し、前記研磨定盤の表面または前記基板の被研磨面のうち少なくとも一方を赤外光の照射によって加熱しつつ、基板を前記研磨定盤に対して相対的に摺動させることにより研磨する
ことを特徴とする研磨方法。
【請求項4】
  前記固体光触媒粒子は、酸化セリウム(CeO2),二酸化チタン(TiO2),酸化クロム(Cr2O3),酸化亜鉛(ZnO),酸化タングステン(WO3)および酸化鉄(F2O3)からなる群のうちの少なくとも1種を含む
ことを特徴とする請求項1記載の研磨方法。
【請求項5】
  前記固体光触媒粒子に、酸化ジルコニウム(ZrO2)またはアルミナ(Al2O3)の少なくとも一方を含む
ことを特徴とする請求項4記載の研磨方法。
【請求項9】
  紫外線を照射することにより前記基板の表面を酸化させて化学研磨を行う
ことを特徴とする請求項1記載の研磨方法。
【請求項10】
  ダイヤモンド(C)により構成され、請求項1,4,5のうちいずれか1つの方法により研磨された面を有する
ことを特徴とする基板。
【請求項11】
  炭化珪素(SiC)またはダイヤモンドの基板の表面を研磨するための研磨装置であって、
石英からなり、表面に格子状の溝を有すると共に前記溝に固体光触媒粒子が埋め込まれた研磨定盤と、
前記基板を保持する基板ホルダと、
前記研磨定盤の裏面側に配置され、前記研磨定盤の裏面から当該研磨定盤を透過して前記研磨定盤の固体光触媒粒子に対して紫外光を照射する紫外光源ランプと、
前記基板ホルダを介して前記基板の被研磨面を前記研磨定盤の表面に高圧で押し付けると共に、前記基板を固体光触媒粒子に対して相対的に擦動させる駆動手段と、
前記基板の被研磨面または前記研磨定盤の表面のうち少なくとも一方を赤外線の照射によって加熱する加熱手段と
を備えたことを特徴とする研磨装置。
【請求項14】
  前記固体光触媒粒子は、酸化セリウム(CeO2),二酸化チタン(TiO2),酸化クロム(Cr2O3),酸化亜鉛(ZnO),酸化タングステン(WO3)および酸化鉄(F2O3)からなる群のうち少なくとも1種を含む
ことを特徴とする請求項11記載の研磨装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
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