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ALUMINUM THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ELECTROLYTIC CAPACITOR, CATALYTIC METAL FILM, AND SEPARATION ELEMENT

Patent code P120007522
File No. S2010-1110
Posted date May 14, 2012
Application number P2011-189748
Publication number P2012-072495A
Patent number P5692726
Date of filing Aug 31, 2011
Date of publication of application Apr 12, 2012
Date of registration Feb 13, 2015
Priority data
  • P2010-194908 (Aug 31, 2010) JP
Inventor
  • (In Japanese)肥後 盛秀
  • (In Japanese)満塩 勝
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 鹿児島大学
Title ALUMINUM THIN FILM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, ELECTROLYTIC CAPACITOR, CATALYTIC METAL FILM, AND SEPARATION ELEMENT
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To produce an aluminum thin film having an extremely large specific surface area under a dry condition by vacuum vapor deposition, without using chemicals, while restraining discharge of waste materials.
SOLUTION: The aluminum thin film is formed by depositing an aluminum film on an aluminum substrate in high vacuum under such conditions that the vapor deposition temperature is 460-520°C and the vapor deposition rate is 0.5-10.0 nm/s, by a vapor deposition method. The aluminum thin film is constituted of a plurality of isolated aluminum particles each having a columnar shape with a sharpened tip and a diameter of 0.7-1.5 μm, wherein a penetrated void is formed between respective aluminum particles, and has an uneven surface.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


電解コンデンサに用いられる電極は、いわゆる溶液法により、アルミニウム薄膜の電気的なエッチングを用い、大量の電気及び化学薬品を使用して、廃棄物を排出しながら製造されている。現在、この溶液法によるアルミニウム薄膜の表面積の増加率は限界に達しており、新しい製造方法による表面積の更なる拡大が望まれている。



真空蒸着法を用いたアルミニウム薄膜の製造方法が特許文献1に開示されている。この技術では、分圧2×10-3Torr~5×10-3Torrの窒素と分圧2×10-4Torr~5×10-4Torrの酸素との混合雰囲気中、蒸着速度約300オングストローム/sで温度300℃のアルミニウム箔上にアルミニウムを蒸着する。これにより、カリフラワー状の表面構造を有するアルミニウム薄膜が形成される。

Field of industrial application (In Japanese)



本発明は、アルミニウム薄膜の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
アルミニウム基板上に真空蒸着法によりアルミニウム薄膜を形成する方法であって、
1.4×10-6Torr以上3.1×10-6Torr以下の真空度で、蒸着温度を460℃以上520℃以下とするとともに、
蒸着速度を0.5nm/s以上10.0nm/s以下として、前記アルミニウム薄膜を形成することを特徴とするアルミニウム薄膜の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2011189748thum.jpg
State of application right Registered
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