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(In Japanese)全反射蛍光X線分析装置及び全反射蛍光X線分析方法 meetings achieved

Patent code P120007671
File No. 2226
Posted date Jun 14, 2012
Application number P2010-527698
Patent number P5846469
Date of filing Sep 2, 2009
Date of registration Dec 4, 2015
International application number JP2009004328
International publication number WO2010026750
Date of international filing Sep 2, 2009
Date of international publication Mar 11, 2010
Priority data
  • P2008-225046 (Sep 2, 2008) JP
Inventor
  • (In Japanese)河合 潤
  • (In Japanese)国村 伸祐
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人京都大学
Title (In Japanese)全反射蛍光X線分析装置及び全反射蛍光X線分析方法 meetings achieved
Abstract (In Japanese)本発明の蛍光X線分析装置10は、制御部11とX線照射部13と、検出部14を備えている。制御部11は、操作部12からの操作信号を受けてX線照射部13及び検出部14を制御する。X線照射部13は駆動回路131とX線管132から成り、駆動回路131によって駆動されたX線管132はX線を放射する。X線管132から放射されたX線は導波路15を通り試料台載置部16に着脱可能に装着された試料台17に入射する。検出部14はX線検出器141とX線検出器141の検出信号を増幅する増幅器142から成る。前記試料台17には1次X線として非単色化X線が照射されるように構成されている。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

X線を試料に照射すると、X線照射により試料中の元素が励起されて蛍光X線を発する。蛍光X線の波長は元素に固有であることから、この蛍光X線を検出することにより元素の定性・定量分析を行うことができる。
このような蛍光X線分析法による元素の検出感度を上げるためには、試料から発せられる蛍光X線を効率よく検出するだけでなく、蛍光X線のピーク強度に対するバックグランド強度の比(ピーク/バックグランド(P/B)比)を向上することが重要である。

ピーク/バックグランド比を向上する方法の一つに、単色化(モノクロ)したX線を試料に入射させる方法がある(特許文献1参照)。入射X線を単色化することにより、試料表面における散乱X線を低減することができ、バックグラウンドを低く抑えることができる。また、励起に寄与しないエネルギー成分のX線を取り除くこともできるため、さらにバックグラウンドを低く抑えることができる。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、X線を試料に照射したときに発生する蛍光X線を検出して前記試料中の微量元素を測定する全反射蛍光X線分析装置及び全反射蛍光X線分析方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
試料台に水溶液試料を滴下して乾燥させ、当該試料台上に残った残渣に1次X線を照射することにより前記水溶液試料中の微量な元素分析を行う全反射蛍光X線分析装置であって、
前記1次X線を照射するX線照射部と、
前記X線照射部のX線照射により発生する蛍光X線を検出するX線検出部とを備え、
前記X線照射部が、ロジウムをターゲット材とするX線管、又はタングステンをターゲット材とするX線管を含んで構成されており、前記X線管の管電圧が20kV以上、35kV以下であり、且つ、出力が5W以下であることを特徴とする全反射蛍光X線分析装置。

【請求項2】
 
前記X線照射部から照射された1次X線を前記試料台に導く導波路を備え、
前記導波路は、2枚のシリコンウェハーと、これらシリコンウェハーで挟持され前記シリコンウェハーとの間に1次X線の通路を形成する一対のタングステン箔と、前記シリコンウェハー及び前記タングステン箔を保持する金属製のハウジングから構成されていることを特徴とする請求項1に記載の全反射蛍光X線分析装置。

【請求項3】
 
前記導波路は、幅が10mmのX線出口を備えることを特徴とする請求項2に記載の全反射蛍光X線分析装置。

【請求項4】
 
前記タングステン箔は厚さが10μmであることを特徴とする請求項2又は3に記載の全反射蛍光X線分析装置。

【請求項5】
 
前記X線管の管電圧が、20kV以上30kV以下であることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の全反射蛍光X線分析装置。

【請求項6】
 
前記試料台上の残渣にX線を照射したときの前記X線検出部の計数率が当該X線検出部の最大積分計数率よりも小さくなるように、前記X線管及び前記X線検出部が構成されていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の全反射蛍光X線分析装置。

【請求項7】
 
前記試料台が矩形板状であることを特徴とする1~6のいずれかに記載の全反射蛍光X線分析装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2010527698thum.jpg
State of application right Registered
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