TOP > 国内特許検索 > 半導体リソグラフィ用光源装置
従来から、パーソナルコンピュータや、携帯電話、ナビゲーションシステム等の各種電気機器の記憶素子や情報処理素子等として採用される半導体集積回路の製造方法として、回路パターンの形成されたマスクに光源からの光を照射し、半導体ウェハ上の感光性樹脂（フォトレジスト）に対してマスクの回路パターンを転写するリソグラフィが知られている。
そして、現状において、リソグラフィに用いられる光の波長として、高圧水銀灯のｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長：１９３ｎｍ）が主流になっているが、光の波長が長いとフォトレジスト上での回路パターンの解像度が低くなる傾向にあるため、上述の波長の光では半導体の高集積化（回路パターンの微細化）に対応できないとして、さらに波長の短い光（ＥＵＶ光）を発生させるレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）光源や放電生成プラズマ（ＤＰＰ）光源が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、短波長の光（ＥＵＶ光）は、ガラスに吸収される特性を有するため、ガラス製の光学系（レンズ等）で光の進路の変更等を行うことができないといった理由から、短波長（１３．５ｎｍの波長）で反射率にピークがあるＭｏ／Ｓｉの多層膜を光の進路を変更するための光学系（反射鏡）として採用されつつある。
これに伴い、レーザ生成プラズマ光源及び放電生成プラズマ光源の何れもが、光学系の特性に合った波長の光（光学系での反射のロスが少ない１３．５ｎｍの波長の光）を発生できるように構成されている。具体的には、レーザ生成プラズマ光源は、強力なレーザ（ＹＡＧ（ヤグ）レーザ）をターゲット物質としてのスズ（Ｓｎ）やスズ（Ｓｎ）化合物に照射することで、１３．５ｎｍ付近に強い発光ピークがあるプラズマ光を発生させるように構成されている。これに対し、放電生成プラズマ光源は、一対の電極間に定常周波数の高電流を流して放電させること電極間に１３．５ｎｍの波長の光成分を含むプラズマ光を発生させるように構成されている。
本発明は、半導体ウェハに回路パターンを形成するための短波長の光を発生させる半導体リソグラフィ用光源装置に関する。
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