Top > Search of Japanese Patents > CREATION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM MATERIAL

CREATION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM MATERIAL meetings

Patent code P130008691
File No. 23‐9
Posted date Mar 14, 2013
Application number P2011-166506
Publication number P2013-030399A
Patent number P5943318
Date of filing Jul 29, 2011
Date of publication of application Feb 7, 2013
Date of registration Jun 3, 2016
Inventor
  • (In Japanese)山田 容士
  • (In Japanese)一柳 成治
  • (In Japanese)久保 衆伍
  • (In Japanese)北川 裕之
  • (In Japanese)舩木 修平
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人島根大学
Title CREATION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM MATERIAL meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a transparent conductive film having lower resistance as compared with a known NTO film, and to provide a transparent conductive film material having lower resistance as compared with a known NTO film.
SOLUTION: A creation method of a transparent conductive film is characterized in that a transparent conductive zinc oxide film and an NTO film are formed on a glass substrate in this order and then to be subjected to annealing treatment. The transparent conductive zinc oxide film is to be GZO.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

ITOは優れた透明導電膜であるが、Inが希少元素であるため、その代替素材の開発が進められている。ZnO系透明導電膜(例えば、GZO:GaがドープされたZnO)やTiO2系透明導電膜(例えば、NTO:NbがドープされたTiO2)は、有力候補の一つである。

しかしながら、ZnO系透明導電膜は、化学的に必ずしも安定でなく、その後の電極パターン処理等の既存のプロセスにおいて、透明性を消失するなどの技術的困難がともない、また、NTO膜は、化学的に安定であるもののITO膜に比べて数倍抵抗値が高く、より低抵抗の素材開発が進められている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、透明導電膜作成方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
透明基板にGZO膜とNTO膜とをこの順に形成したのちにアニール処理し、同基板にGZO単層膜を形成してアニール処理したものより低抵抗化した膜を得ることを特徴とする透明導電膜の作成方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2011166506thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close