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COBALT THIN FILM AND FORMATION METHOD THEREOF AND NANO-JUNCTION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND WIRING AND FORMATION METHOD THEREOF

Patent code P130008972
File No. S2011-1099-N0
Posted date Apr 4, 2013
Application number P2011-197115
Publication number P2013-058679A
Patent number P5773491
Date of filing Sep 9, 2011
Date of publication of application Mar 28, 2013
Date of registration Jul 10, 2015
Inventor
  • (In Japanese)海住 英生
  • (In Japanese)石橋 晃
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人北海道大学
Title COBALT THIN FILM AND FORMATION METHOD THEREOF AND NANO-JUNCTION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND WIRING AND FORMATION METHOD THEREOF
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a formation method of a cobalt thin film capable of obtaining a magnetic cobalt thin film having sufficiently high coercive force and squareness ratio even if the thickness is 35 nm or less, and to provide a nano-junction element using the cobalt thin film.
SOLUTION: On a polyethylenenaphthalate substrate 11, a cobalt thin film 12 is deposited with a thickness of 35 nm or less by vacuum deposition, or the like. Two laminates of the cobalt thin film 12 deposited on the polyethylenenaphthalate substrate 11 are then bonded while crossing so that the edges face each other and sandwiching an organic molecule, as required, thus fabricating a nano-junction element. A nonvolatile memory or a magnetoresistance effect element is fabricated of the nano-junction element. A substrate having at least one principal surface composed of SiO2, e.g., a quartz substrate, may be used in place of the polyethylenenaphthalate substrate 11.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

極端紫外光(EUV)リソグラフィー技術や液浸光リソグラフィー技術の発展により、半導体集積回路の高集積化・微細化は進展の一途をたどり、ついには22nm線幅の微細加工技術が確立するまでに至った(非特許文献1、2参照。)。

しかしながら、光リソグラフィー技術には光の回折限界による制限があるため、極細線幅の微細構造の作製にもいよいよ限界が見え始めてきた。すなわち、国際半導体ロードマップ(ITRS)で要求されているサブ10nm時代を実現させるには、光リソグラフィー技術の限界を超える新たな微細構造作製技術が必要となる。

そこで、近年、金属薄膜のエッジとエッジとを互いに交差するように貼り合わせることで光リソグラフィー技術の限界を超えようとする、新たな手法が提案された(特許文献1、2参照。)。

Field of industrial application (In Japanese)

この発明は、コバルト薄膜およびその形成方法ならびにナノ接合素子およびその製造方法ならびに配線およびその形成方法に関し、例えば、ナノ接合を用いた不揮発性メモリ、磁気抵抗効果素子、磁気センサーなどに適用して好適なものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
少なくとも一主面がSiO2 からなる基板上に厚さが35nm以下のコバルト薄膜を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体を、上記コバルト薄膜のエッジ同士が有機分子を挟んで互いに対向するように交差させて接合するようにしたことを特徴とするナノ接合素子の製造方法。

【請求項2】
 
上記基板上に上記コバルト薄膜を成膜し、上記コバルト薄膜上に少なくとも一主面がSiO2 からなる他の基板をそのSiO2 側が上記コバルト薄膜と接合するように貼り合わせて上記積層体を形成した後、上記積層体の接合される端面を化学機械研磨法により研磨し、さらにプラズマソフトエッチング法によりエッチングすることを特徴とする請求項1記載のナノ接合素子の製造方法。

【請求項3】
 
少なくとも一主面がSiO2 からなる基板上に厚さが35nm以下のコバルト薄膜を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体を、上記コバルト薄膜のエッジ同士が有機分子を挟んで互いに対向するように交差させて接合したことを特徴とするナノ接合素子。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2011197115thum.jpg
State of application right Registered
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