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SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD commons

Patent code P130009777
Posted date Aug 9, 2013
Application number P2012-185660
Publication number P2014-045024A
Patent number P6090767
Date of filing Aug 24, 2012
Date of publication of application Mar 13, 2014
Date of registration Feb 17, 2017
Inventor
  • (In Japanese)原 紳介
  • (In Japanese)藤代 博記
  • (In Japanese)三木 裕文
  • (In Japanese)色川 勝己
Applicant
  • (In Japanese)学校法人東京理科大学
Title SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method which can form quantum dots at high density.
SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method comprises: a process of forming a group III element layer such as Ga on a semiconductor single crystal substrate; and a step of subsequently performing irradiation on the group III element such as Ga and a group V element such as Sb to form group III-V quantum dots such as GaSb on the semiconductor single crystal substrate on which the group III element layer is formed.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

半導体単結晶基板上にGaSb等の量子ドットを形成する研究が盛んに行われている(特許文献1参照)。しかしながら、従来は形成される量子ドットの密度が小さく、より高密度に量子ドットを形成できる方法が望まれていた。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、量子ドットを備える半導体装置の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
Si単結晶基板上にIII族元素層を形成する工程と、
その後、III族元素およびV族元素を照射して前記III族元素層が形成されたSi単結晶基板上にIII―V族量子ドットを形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法。

【請求項2】
 
前記III族元素はGaであり、前記V族元素はSbである請求項1記載の半導体装置の製造方法。

【請求項3】
 
前記量子ドットを形成する面は(111)面である請求項2記載の半導体装置の製造方法。

【請求項4】
 
前記Ga層は1/3原子層形成する請求項3記載の半導体装置の製造方法。

【請求項5】
 
前記Ga層は√3×√3構造である請求項3記載の半導体装置の製造方法。

【請求項6】
 
量子ドットを形成する工程は、350℃以上、400℃以下の温度で行う請求項35のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
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