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(In Japanese)固体電子装置 meetings

Patent code P130009943
File No. E086P42WO
Posted date Sep 30, 2013
Application number P2012-551406
Patent number P5278717
Date of filing Oct 25, 2012
Date of registration May 31, 2013
International application number JP2012077624
Date of international filing Oct 25, 2012
Priority data
  • P2011-245916 (Nov 9, 2011) JP
Inventor
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)▲徳▼光 永輔
  • (In Japanese)尾上 允敏
  • (In Japanese)宮迫 毅明
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title (In Japanese)固体電子装置 meetings
Abstract (In Japanese)本発明の1つの固体電子装置は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び/又はβ-BiNbO4型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が1.5atm%以下である。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来から、固体電子装置においては、高速動作の期待できる強誘電体薄膜を備えた装置が開発されている。固体電子装置に用いる誘電体材料として、金属酸化物が現在盛んに開発されているが、Pbを含まず、比較的低温で焼成可能な誘電セラミックスとして、BiNbO4が挙げられる。このBiNbO4については、固相成長法によって形成されたBiNbO4の誘電特性が報告されている(非特許文献1)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、固体電子装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、
前記酸化物層が、(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7と略同じ構造であるパイロクロア型結晶構造の結晶相を有し、
前記酸化物層中の炭素含有率が1.5atm%以下である、
キャパシタ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2012551406thum.jpg
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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