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METHOD OF MANUFACTURING OXIDE

Patent code P130010028
File No. S2012-0649-N0
Posted date Nov 6, 2013
Application number P2012-094458
Publication number P2013-220980A
Patent number P6097490
Date of filing Apr 18, 2012
Date of publication of application Oct 28, 2013
Date of registration Feb 24, 2017
Inventor
  • (In Japanese)高口 豊
  • (In Japanese)田嶋 智之
  • (In Japanese)大澤 侑史
  • (In Japanese)和田 卓聡
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人岡山大学
Title METHOD OF MANUFACTURING OXIDE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure to which a microstructure is easily imparted.
SOLUTION: A method of manufacturing an oxide is characterized in that the oxide is manufactured by dripping at least one kind of metallic alkoxide in a mixed liquid comprising a solution of a compound and at least one kind of carbon nanotube. The compound is the one in which at least one kind of functional group, selected out of carboxylic acid, primary amine, secondary amine, a hydroxyl group, carboxylate, is bonded to at least one kind of skelton selected out of fullerene having inter-molecular interaction with carbon nanotubes, pyrene and porphyrin. The carbon nanotube is selected out of single-layer nanotubes and multilayer carbon nanotubes.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

昨今、電子素子の半導体材料として様々な無機半導体が用いられている。半導体材料の構造は、その性能を大きく左右させるため、現在までに、色素増感太陽電池や廃棄ガス浄化のための光触媒などの分野で、さまざまな微細構造を構築させる技術が研究されている。

特に、色素増感太陽電池では、電極部分での表面積をかせぐために、電極表面を凹凸形状とする微細構造を構築することが行われている。

その多くは物理的に鋳型を用いる手法や、マスク処理によって微細構造を構築させる技術が多い。例えば、ハニカム状多孔質フィルムを鋳型とし、無電解めっきや電界めっきにより、鋳型の構造を反映した微細構造の半導体を提供する技術、半導体の表面をエッチング等によってパターン化する技術が知られており、電子素子材料としての応用を指向した利用研究が行われている。(特許文献1)。

【特許文献1】
特開2005-59125号公報

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、酸化物の製造方法に関し、特に微細構造を有する酸化物の製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
繊維状であり、かつ、200~400nmの開口幅の細孔を有し、前記細孔はハニカム構造を構成する酸化物の製造方法であって、フラロデンドロンの水溶液と、単層ナノチューブ、多層カーボンナノチューブから選択される少なくとも1つのカーボンナノチューブとの混合液を遠心分離し、
前記遠心分離して得られた上清に、スズ、チタン、アルミ、ケイ素、マグネシウム、ジルコニウムから選択される少なくとも1種の金属を含む金属アルコキシドであって、前記金属アルコキシドはTin(IV)tetra tert-butoxideであり、前記Tin(IV)tetra tert-butoxideを滴下して、前記酸化物を製造することを特徴とする酸化物の製造方法。

【請求項2】
 
前記フラロデンドロンは、下記式[化1]、
【化1】
 
(省略)
又は、下記式[化2]
【化2】
 
(省略)
である請求項1記載の方法。

【請求項3】
 
前記混合液が超音波処理されている請求項1又は2に記載の方法。

【請求項4】
 
前記繊維状の酸化物の繊維の長さは、5~50μmである請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。

【請求項5】
 
請求項1~4のいずれか1項に記載の方法から製造された酸化物であって、前記酸化物は、繊維状であり、かつ、200~400nmの開口幅の細孔を有し、前記細孔はハニカム構造を構成する酸化物からなる半導体材料を製造する方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2012094458thum.jpg
State of application right Registered
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技術移転に関しては岡山TLOが窓口になります。


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