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NAPHTHOBISTHIADIAZOLE DERIVATIVE

Patent code P130010062
File No. S2012-0249-N0
Posted date Nov 21, 2013
Application number P2012-101625
Publication number P2013-227260A
Patent number P6057364
Date of filing Apr 26, 2012
Date of publication of application Nov 7, 2013
Date of registration Dec 16, 2016
Inventor
  • (In Japanese)瀧宮 和男
  • (In Japanese)尾坂 格
  • (In Japanese)川島 和彰
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人広島大学
  • (In Japanese)三協化成株式会社
Title NAPHTHOBISTHIADIAZOLE DERIVATIVE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a naphthobisthiadiazole derivative which can be developed into various organic semiconductor materials having a naphthobisthiadiazole skeleton and which is excellent in versatility.
SOLUTION: A naphthobisthiadiazole derivative is represented by formula (1). In formula 1, Z is hydrogen, a boronic acid group, a boronic acid ester group, a trifluoroborate salt group, or a triolborate salt group, and at least one of them is a boronic acid group, a boronic acid ester group, a trifluoroborate salt group, or a triolborate salt group. The naphthobisthiadiazole derivative is an organic boron compound which can be converted to a multipurpose compound by a Suzuki-Miyaura coupling method or the like, and which can be used as a precursor for complex compounds. Consequently, based on the naphthobisthiadiazole derivative, research, development and practical use of low-molecular-weight compounds and high-molecular-weight compounds which are useful as a variety of organic semiconductor materials or the like, becomes possible.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

種々の有機半導体材料の研究、開発、実用化が進められており、ナフトビスチアジアゾール骨格を有する有機半導体材料が有望視されている。非特許文献1では、ナフトビスチアジアゾール骨格を有する高分子化合物及びその合成方法が開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、ナフトビスチアジアゾール誘導体に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
下記一般式(1)で表されるナフトビスチアジアゾール誘導体と複素芳香族環または芳香族環を有するハロゲン化物とを反応させ、ナフトビスチアジアゾール骨格を有する化合物を合成する方法。
一般式(1)
(省略)
(式(1)中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。)

【請求項2】
 
ハロゲン化物との反応に用いられるナフトビスチアジアゾール誘導体であって、
下記一般式(1)で表されることを特徴とするナフトビスチアジアゾール誘導体。
一般式(1)
(省略)
(式(1)中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。)

【請求項3】
 
下記一般式(1)で表されることを特徴とするナフトビスチアジアゾール誘導体。
一般式(1)
(省略)
(式(1)中、Zは水素、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基を表し、少なくとも一つがボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート塩基又はトリオールボレート塩基である。)
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered


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