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PROCESS FOR PRODUCING SILICON

Patent code P140010298
File No. 3222
Posted date Feb 21, 2014
Application number P2012-074754
Publication number P2013-011012A
Patent number P6025140
Date of filing Mar 28, 2012
Date of publication of application Jan 17, 2013
Date of registration Oct 21, 2016
Priority data
  • P2011-120042 (May 30, 2011) JP
Inventor
  • (In Japanese)野平 俊之
  • (In Japanese)萩原 理加
  • (In Japanese)小林 克敏
  • (In Japanese)安田 幸司
  • (In Japanese)鳥羽 哲也
  • (In Japanese)山田 一夫
  • (In Japanese)一坪 幸輝
  • (In Japanese)増田 賢太
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人京都大学
Title PROCESS FOR PRODUCING SILICON
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for producing silicon which can produce silicon by continuously electrolytically reducing silicon dioxide without the need of removing a cathode from an electrolytic cell after the electrolytic reduction of the silicon dioxide.
SOLUTION: The process for producing silicon by electrolytically reducing silicon dioxide in the presence of a molten salt, is characterized in that silicon dioxide 4 is placed on the cathode 3 that is constituted of silicon, and the silicon dioxide 4 in this state is electrolytically reduced.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

高純度を有するシリコンを安価で製造することができるシリコンの製造方法として、例えば、図9に示されるような電解装置を用い、その電解槽1に入れられた溶融塩5に二酸化ケイ素4からなる多孔質成形体の孔に挿入された陰極3および陽極6を浸漬した状態で、二酸化ケイ素4を溶融塩5中で電解還元させるシリコンの製造方法が提案されている(例えば、特許文献1の[請求項1]、図1など参照)。このシリコンの製造方法には、高純度を有するシリコンを安価で製造することができるという利点がある。

しかし、前記シリコンの製造方法では、二酸化ケイ素4の電解還元を継続して行なうためには、二酸化ケイ素4の電解還元後に電解槽1から陰極3自体を取り出し、当該陰極3を新たな陰極と交換しなければならないため、二酸化ケイ素4を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することが困難である。

したがって、二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法の開発が望まれている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、シリコンの製造方法に関する。さらに詳しくは、例えば、太陽電池の光起電力の電力素子、リチウム電池の負極材料、シリコン化合物の原料などに有用なシリコンの製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、電解還元装置として、電解槽の内面底部にシリコンからなる陰極が配置された電解還元装置を用い、前記シリコンからなる陰極上に二酸化ケイ素を載置させた状態で当該二酸化ケイ素を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。

【請求項2】
 
陰極上で二酸化ケイ素が載置されるように二酸化ケイ素を陰極上に供給しながら当該二酸化ケイ素を電解還元させる請求項1に記載のシリコンの製造方法。

【請求項3】
 
二酸化ケイ素として、二酸化ケイ素の多孔質体を用いる請求項1または2に記載のシリコンの製造方法。

【請求項4】
 
前記電解還元装置として、前記電解槽の下部に取出口をさらに有する電解還元装置を用い、生成したシリコンを前記取出口から回収する請求項1~3のいずれかに記載のシリコンの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2012074754thum.jpg
State of application right Registered
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