Top > Search of Japanese Patents > METHOD FOR PRODUCING SILVER NANOWIRE, AND THE SILVER NANOWIRE

METHOD FOR PRODUCING SILVER NANOWIRE, AND THE SILVER NANOWIRE commons

Patent code P140010433
File No. H24-2
Posted date Apr 8, 2014
Application number P2012-105786
Publication number P2013-234341A
Patent number P6266859
Date of filing May 7, 2012
Date of publication of application Nov 21, 2013
Date of registration Jan 5, 2018
Inventor
  • (In Japanese)バラチャンドラン ジャヤデワン
  • (In Japanese)クヤ ウアマン ジョン レマン
  • (In Japanese)藤野 剛聡
  • (In Japanese)兒玉 大輔
Applicant
  • (In Japanese)公立大学法人滋賀県立大学
  • (In Japanese)DOWAエレクトロニクス株式会社
Title METHOD FOR PRODUCING SILVER NANOWIRE, AND THE SILVER NANOWIRE commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing silver nanowires, by which both of reduction of the amount of an organic solvent used in a cleaning process of the silver nanowires and productivity of the silver nanowires can be achieved, and to provide the silver nanowires.
SOLUTION: In a method for producing silver nanowires produced by adding a solution B containing a silver compound with alcohol as a solvent to a solution A containing a halogen compound and an organic amine with alcohol as a solvent, the organic amine containing ?10 of carbon atoms in one molecule is used as a dispersant in the formation reaction of the silver nanowires.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

液晶・プラズマ・有機エレクトロルミネッセンス等の各種ディスプレイや各種太陽電池において、透明導電膜を用いた透明電極は必須の構成技術となっている。この透明導電膜の材料としては、ITOをはじめとする金属酸化物薄膜が主に用いられている。金属酸化物薄膜は、光透過性と導電性との両立が可能で耐久性にも優れており、特に、ITOは、光透過性と導電性とのバランスが良く、ウェットエッチングによる電極微細パターン形成が容易であることから、各種オプトエレクトロニクス用の透明電極として多用されている。

透明導電膜に使用される金属酸化物薄膜は、一般的に真空蒸着法やスパッタ法により製造されるが、薄膜は金属酸化物であることから、曲げに弱く、最終製品のフレキシブル化の障害になる場合がある。また、真空蒸着法やスパッタ法は真空環境を必要とするため、処理装置が大掛りかつ複雑なものとなることや、成膜に大量のエネルギーを消費する等の課題があり、これらの課題に対する改善技術の開発が要請されている。

このような要請に対して、透明導電膜の導電体として金属ナノワイヤを用いることが提案されている。太さが300nm以下であり、長さが3μm以上である金属ナノワイヤを用いることにより、透明導電膜の導電性と透明性の両立が可能となる。金属ナノワイヤを構成する金属については、Ag、Cu、Au等が検討されているが、電気導電性や耐酸化性に優れ、かつ金属価格が著しく高くないことからAgが好ましいと考えられ、銀ナノワイヤに関する技術が盛んに開発されている。このような銀ナノワイヤの製造方法としては、例えば、特許文献1~3および非特許文献1,2に開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、透明導電膜の導電体として用いられる銀ナノワイヤの製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
1価のアルコールのみから成る溶媒と、ハロゲン化合物と、1分子中に10以上のCを含有する有機アミンとから成る溶液Aに、1価のアルコールのみから成る溶媒と、銀化合物とから成る溶液Bを添加することにより銀ナノワイヤを生成する、銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項2】
 
前記有機アミンは、オレイルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項3】
 
前記1価のアルコールは、1分子中に7~12のCを含有することを特徴とする請求項1または2に記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項4】
 
前記1価のアルコールは、ベンジルアルコール、ヘプタノール、オクタノールのいずれかであることを特徴とする請求項1または2に記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項5】
 
前記溶液Bを前記溶液Aに添加する際の前記溶液Aの温度を70℃以上、かつ、前記1価のアルコールの沸点以下とした状態で、10分間以上保持することを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項6】
 
前記溶液Bの温度は、5~50℃であることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項7】
 
前記ハロゲン化合物中のハロゲン元素と前記銀化合物中の銀とのモル比が0.01~0.1であり、前記有機アミンと前記銀化合物中の銀とのモル比が0.5~6.0であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の銀ナノワイヤの製造方法。

【請求項8】
 
前記溶液Bを前記溶液Aに添加した後の溶液中の銀濃度は、0.04~1mol/lであることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の銀ナノワイヤの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2012105786thum.jpg
State of application right Registered


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close