Top > Search of Japanese Patents > ARTIFICIAL SUPERLATTICE PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

ARTIFICIAL SUPERLATTICE PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Patent code P140011060
File No. P09-010-D1
Posted date Oct 30, 2014
Application number P2013-175436
Publication number P2014-005200A
Patent number P5810424
Date of filing Aug 27, 2013
Date of publication of application Jan 16, 2014
Date of registration Oct 2, 2015
Inventor
  • (In Japanese)和田 智志
  • (In Japanese)後藤 隆幸
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人山梨大学
Title ARTIFICIAL SUPERLATTICE PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel-structured artificial superlattice nano particle that is expected to have relative dielectric constant one order or more higher than the ceramic particle of general film capacitors, unlike the general film capacitor consisting of the ceramic particles having high dielectric constant, of which relative dielectric constant has limit and cannot provide necessary capacity density, and polymers having low dielectric constant.
SOLUTION: A novel-structured spherical type artificial superlattice nano particle is formed by alternatively laminating two or more types of oxides having different chemical compositions concentrically on a spherical core.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

化学組成の異なる2種類以上の単位格子を自然界に存在しない周期構造で積層した人工超格子は、現在は単結晶を基板とし、超高真空下で超格子薄膜として作製される。しかし、薄膜では変調構造が膜厚方向にしか存在せず、従って変調構造より期待できる巨大物性は1次元のみに留まる。また、人工超格子薄膜の作製には500℃以上の高温が必要であり、その結果、化学組成の急峻な界面を保つことが困難であった。特許文献1には、酸化物人工超格子薄膜とその製造方法について開示されているが、薄膜の製造であり、本発明である球状粒子の製造に関しては、記載も示唆もされていない。特許文献2には、正方晶チタン酸バリウム粒子の製造方法が開示されているが、本発明のナノ粒子の積層化に関しては、記載も示唆もされていない。特許文献3には、カルシウムドープチタン酸バリウムの製造方法が開示されているが、ナノ粒子の積層化に関しては記載も示唆もされていない。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、人工超格子誘電体ナノ粒子の作製方法に関するものであり、大容量密度のフィルムキャパシタに用いられる誘電体ナノ粒子として利用できるものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
核となる粒子と、前記核となる粒子とは化学組成の異なる化合物の材料を密閉容器に入れる工程と、
加熱保持により、前記核となる粒子の表面に前記化合物をヘテロエピタキシャル成長により積層する工程と、
を備え、
前記化合物が、チタンを含んだ金属酸化物を含み、チタン源としてジイソプロポキシドジアセチルアセトナートを用いることを特徴とする人工超格子粒子の製造方法。

【請求項2】
 
前記化合物が、Ba,Sr,Ca,Pbの中から選ばれる少なくとも1種以上の金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項3】
 
前記化合物が、チタン酸バリウムまたはチタン酸ストロンチウムであることを特徴とする請求項1に記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項4】
 
前記化合物が、チタン酸ストロンチウムを含み、前記チタン酸ストロンチウムを含む化合物の積層を行う溶液の溶媒が水とエタノールの混合液であることを特徴とする請求項1に記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項5】
 
前記化合物が、チタン酸ストロンチウムを含み、前記チタン酸ストロンチウムを含む化合物の積層を行う温度が、190℃以上であることを特徴とする請求項1又は4のいずれかに記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項6】
 
前記化合物が、チタン酸ストロンチウムを含み、前記チタン酸ストロンチウムを含む化合物の積層を行うSr原料とTi源のSr/Tiモル比が、1.0以上であることを特徴とする請求項1、4又は5のいずれかに記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項7】
 
前記化合物が、チタン酸バリウムを含み、前記チタン酸バリウムを含む化合物の積層を行う溶液の溶媒が水とエタノールの混合液であり、前記混合液の水とエタノールの溶媒比が、0.3以上、0.7以下であることを特徴とする請求項1に記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項8】
 
前記化合物が、チタン酸バリウムを含み、前記チタン酸バリウムを含む化合物の積層を行う温度が、180℃以上であることを特徴とする請求項1又は7のいずれかに記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項9】
 
前記化合物が、チタン酸バリウムを含み、前記チタン酸バリウムを含む化合物の積層を行うBa原料とTi源のBa/Tiモル比が、1.5以上であることを特徴とする請求項1、7又は8のいずれかに記載の人工超格子粒子の製造方法。

【請求項10】
 
前記核となる粒子と、前記化合物は、ともに誘電特性を有し、
請求項1から9のいずれかに記載の人工超格子粒子の製造方法により製造されたことを特徴とする人工超格子粒子。

【請求項11】
 
前記核となる粒子はチタン酸バリウムであることを特徴とする請求項10に記載の人工超格子粒子。

【請求項12】
 
前記請求項10又は11のいずれかに記載の人工超格子粒子を備えたことを特徴とするフィルムキャパシタ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2013175436thum.jpg
State of application right Registered
Please feel free to contact us by email or facsimile if you have any interests in this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close