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METHOD FOR EMBEDDING METAL LAYER IN GLASS SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE IN WHICH METAL LAYER IS EMBEDDED, AND GLASS SUBSTRATE IN WHICH METAL LAYER IS EMBEDDED meetings

Patent code P140011094
File No. S2014-0633-N0
Posted date Nov 4, 2014
Application number P2014-132494
Publication number P2015-180584A
Patent number P6342730
Date of filing Jun 27, 2014
Date of publication of application Oct 15, 2015
Date of registration May 25, 2018
Priority data
  • P2014-042210 (Mar 4, 2014) JP
Inventor
  • (In Japanese)松坂 壮太
  • (In Japanese)前原 直友
  • (In Japanese)森田 昇
  • (In Japanese)比田井 洋史
  • (In Japanese)千葉 明
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人千葉大学
Title METHOD FOR EMBEDDING METAL LAYER IN GLASS SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE IN WHICH METAL LAYER IS EMBEDDED, AND GLASS SUBSTRATE IN WHICH METAL LAYER IS EMBEDDED meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for embedding a metal layer in a glass substrate along a surface direction, and to provide the glass substrate.
SOLUTION: In a method for embedding a metal layer in a glass substrate according to one aspect of the invention, first voltage is applied to the glass substrate with a metal in contact therewith and arranged thereon, and subsequently second voltage with a sign different from that of the first voltage is applied thereto. Further, the metal according to the aspect is a thin metal film, and the thin metal film preferably includes, although not necessarily limited, at least one of silver and copper. Also the glass substrate according to the aspect preferably includes, although not necessarily limited, an alkali metal ion.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

ガラス基板は平坦性、透過性、耐薬品性に優れ、寸法等の変化も少なく、更には誘電率等の材料特性の安定性が高く、電子部品等の回路基板として優れた特性を有している。このガラス基板上だけでなくガラス基板内部に金属配線を形成することができればより高性能な電子部品等を実現することが可能となる。

ガラス基板内部に金属線を形成する技術として、ガラス製インターポーザー(積層半導体の中継基板)を加工し、ガラス基板内部に金属線を形成する技術が例えば下記特許文献1に記載されている。

具体的に説明すると下記特許文献1には、ガラス基板に対してレーザー加工による穿孔を行った後電解メッキによって金属層を形成する板表面から裏面方向に穿孔し、メッキ、蒸着等の方法によって孔内面に金属膜を形成する手法が開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、ガラス基板内に金属層を埋設する方法、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法、及び、金属層が埋設されたガラス基板に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
金属膜が接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加して前記ガラス基板の内部に前記金属膜中の金属を集積させて金属層を形成する、ガラス基板内に金属層を埋設する方法。

【請求項2】
 
記金属膜の金属は、銀及び銅の少なくともいずれかを含む請求項1記載のガラス基板内に金属層を埋設する方法。

【請求項3】
 
前記ガラス基板は、アルカリ金属イオンを含む請求項1記載のガラス基板内に金属層を埋設する方法。

【請求項4】
 
金属が接触して配置されたガラス基板に、第一の電圧を印加した後、前記第一の電圧とは符号の異なる第二の電圧を印加して前記ガラス基板の内部に前記金属膜中の金属を集積させて金属層を形成する、金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法。

【請求項5】
 
前記金属は金属薄膜であり、前記金属薄膜の金属は、銀及び銅の少なくともいずれかを含む請求項4記載の金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法。

【請求項6】
 
前記ガラス基板は、アルカリ金属イオンを含む請求項4記載の金属層が埋設されたガラス基板を製造する方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2014132494thum.jpg
State of application right Registered
(In Japanese)上記の特許・技術に関心のある方は、下記問い合わせ先にご相談下さい。


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