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ELECTRON SPIN RESONANCE MEASUREMENT DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MEASURING ELECTRON SPIN RESONANCE meetings

Patent code P140011122
File No. 2013-063
Posted date Nov 19, 2014
Application number P2014-167768
Publication number P2016-045016A
Patent number P6362964
Date of filing Aug 20, 2014
Date of publication of application Apr 4, 2016
Date of registration Jul 6, 2018
Inventor
  • (In Japanese)北川 章夫
  • (In Japanese)河合 一樹
  • (In Japanese)林 雅隆
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人金沢大学
Title ELECTRON SPIN RESONANCE MEASUREMENT DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MEASURING ELECTRON SPIN RESONANCE meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron spin resonance measurement device that has a simplified structure and is capable of measuring electron spin resonance more easily.
SOLUTION: An electron spin resonance measurement device 100 comprises a magnetic field applying part 3, an inductor part 11, an oscillation circuit formation part 13, an oscillation frequency counter 7, and a spectrum acquisition section. The magnetic field applying part 3 applies a first magnetic field to a measuring object M. The inductor part 11 applies a second magnetic field, which is an AC magnetic field, to the measuring object M. The oscillation circuit formation part 13 is connected with the inductor part 11 to form an oscillation circuit. The oscillation circuit formation part 13 changes an element parameter to change a frequency of the second magnetic field. The oscillation frequency counter 7 measures an oscillation frequency of the oscillation circuit. The spectrum acquisition section associates the oscillation frequency with the element parameter to acquire an electron spin resonance spectrum expressed as a function of the element parameter of the oscillation frequency.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来、分子中や遷移金属に含まれる不対電子(互いに逆向きのスピンを有する2つの電子が対になっていない状態の電子)を測定するために、電子スピン共鳴を測定することが知られている。不対電子の存在は、例えば、分子の反応性及び遷移金属などの磁性特性に影響を及ぼす。

電子スピン共鳴とは、分子中や磁性体材料などに所定の周波数(エネルギー)を有する磁界を印加した際に、分子中や磁性体材料に含まれる不対電子がより高いエネルギー準位に励起される現象である。電子スピン共鳴の発生時に測定対象に印加した磁界の測定対象による吸収量及び/又は上記の所定の周波数などを測定することにより、測定対象の分子や磁性体材料などの種類や、測定対象の分子や磁性体材料などに含まれる不対電子量を測定できる。

例えば、非特許文献1には、LC発振器と周波数分離器とを1チップの半導体装置上に形成した電子スピン共鳴検出器が開示されている。非特許文献1の電子スピン共鳴検出器においては、室温(ただし、冷却が必要)において108スピン/(GHz)1/2の感度にて電子スピン(すなわち、不対電子量)を検出している。

また、特許文献1には、サンプルに磁場を印加する磁石と、サンプルと一定関係の位置に配置されたインダクタと、インダクタに交流電流を供給する交流電圧源およびオペアンプと、その交流電流の周波数を変化させる周波数調整部と、変化された周波数ごとにインダクタのインダクタンスを計測するインダクタンス計測部と、を備えた磁気共鳴測定装置が開示されている。
特許文献1の磁気共鳴測定装置は、計測されたインダクタンスの虚部が特徴的な変化傾向を示す周波数に基づいて、サンプルの物性値を特定している。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、電子スピン共鳴測定装置、電子スピン共鳴を測定するための半導体装置、及び、電子スピン共鳴の測定方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
測定対象物に対して第1方向に第1磁場を印加する磁場印加部と、
前記測定対象物に対して第2方向に交流磁場である第2磁場を印加するインダクタ部と、
前記インダクタ部と接続されて発振回路を形成し、素子パラメータを変化することにより前記第2磁場の周波数を変化させる発振回路形成部と、
前記第2磁場の周波数に対応する前記発振回路の発振周波数を計数する発振周波数計数部と、
前記発振周波数と前記素子パラメータとを関連づけて、前記発振周波数の前記素子パラメータについての関数として表現される前記測定対象物の電子スピン共鳴スペクトルを取得するスペクトル取得部と、
を備える電子スピン共鳴測定装置。

【請求項2】
 
前記発振回路形成部は容量可変キャパシタを含み、前記素子パラメータは前記容量可変キャパシタのキャパシタンスである、請求項1に記載の電子スピン共鳴測定装置。

【請求項3】
 
前記発振回路形成部は可変抵抗を含み、前記素子パラメータは前記可変抵抗の抵抗値である、請求項1又は2に記載の電子スピン共鳴測定装置。

【請求項4】
 
前記インダクタ部と前記発振回路形成部とにより形成される前記発振回路は電圧制御発振器であり、前記素子パラメータは電圧である、請求項1~3のいずれかに記載の電子スピン共鳴測定装置。

【請求項5】
 
前記第1磁場は所定の強度を有する直流磁場である、請求項1~4のいずれかに記載の電子スピン共鳴測定装置。

【請求項6】
 
前記インダクタ部と前記発振回路形成部とは、同一の半導体装置上に形成されている、請求項1~5のいずれかに記載の電子スピン共鳴測定装置。

【請求項7】
 
測定対象物に対して第1方向に第1磁場を印加し第2方向に交流磁場である第2磁場を印加することにより、前記測定対象物において発生する電子スピン共鳴のスペクトルである電子スピン共鳴スペクトルを測定する電子スピン共鳴測定装置に用いられる半導体装置であって、
前記第2磁場を発生するインダクタ部と、
前記インダクタ部と接続されて発振回路を形成し、素子パラメータを変化することにより前記第2磁場の周波数を変化させる発振回路形成部と、を備え、
前記電子スピン共鳴スペクトルは、前記第2磁場の周波数に対応する前記発振回路の発振周波数の前記素子パラメータについての関数として表現される、半導体装置。

【請求項8】
 
前記発振回路形成部は、キャパシタンスが印加する電圧により調整可能なバラクタを含む、請求項7に記載の半導体装置。

【請求項9】
 
交流磁場である第2磁場を発生するインダクタ部と、前記インダクタ部と接続されて発振回路を形成し素子パラメータを変化することにより前記第2磁場の周波数を変化させる発振回路形成部と、を備える電子スピン共鳴測定装置における電子スピン共鳴の測定方法であって、
測定対象物に対して第1方向に第1磁場を印加するステップと、
前記素子パラメータを所定の範囲にて変化させながら前記第2磁場を前記測定対象物に対して第2方向に印加するステップと、
前記素子パラメータの各値における前記発振回路の発振周波数を計数するステップと、
前記発振周波数と前記素子パラメータとを関連づけて、前記発振周波数の前記素子パラメータについての関数として表現される前記測定対象物の電子スピン共鳴スペクトルを取得するステップと、
を含む電子スピン共鳴の測定方法。

【請求項10】
 
前記第2磁場が前記測定対象物に印加されていないときの前記発振周波数と前記素子パラメータとの関係を表現するバックグラウンド関数を取得するステップをさらに含む、請求項9に記載の電子スピン共鳴の測定方法。

【請求項11】
 
前記電子スピン共鳴スペクトルと前記バックグラウンド関数との交点を算出して前記測定対象物の電子スピン共鳴角周波数を算出するステップをさらに含む請求項10に記載の電子スピン共鳴の測定方法。
IPC(International Patent Classification)
Drawing

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JP2014167768thum.jpg
State of application right Registered
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