Top > Search of Japanese Patents > RESISTANCE CHANGE MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE MEMORY

RESISTANCE CHANGE MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE MEMORY

Patent code P140011123
File No. 2013-047
Posted date Nov 19, 2014
Application number P2014-105646
Publication number P2015-220445A
Patent number P6356486
Date of filing May 21, 2014
Date of publication of application Dec 7, 2015
Date of registration Jun 22, 2018
Inventor
  • (In Japanese)森本 章治
  • (In Japanese)川江 健
  • (In Japanese)山岸 謙太
  • (In Japanese)山崎 修平
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人金沢大学
Title RESISTANCE CHANGE MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE MEMORY
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To operate a resistance change memory using a ferroelectric more stably by expressing the electrical characteristics, resulting from the ferroelectricity, with a simpler structure.
SOLUTION: A resistance change memory 100 includes a ferroelectric layer 1, a first electrode layer 3, and a second electrode layer 5. The ferroelectric layer 1 is formed of a ferroelectric where the B of BiFeO3 is partially substituted by Nd or Er. The first electrode layer 3 is formed so as to have first energy barriers E1, E1', E1'', changing by polarization of the ferroelectric layer 1, on the first principal surface P1 of the ferroelectric layer 1. The second electrode layer 5 is formed to have second energy barriers E2, E2', E2'', changing by polarization of the ferroelectric layer 1, on the second principal surface P1 of the ferroelectric layer 1.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来、電圧を印加して(自発)分極を発生後に印加電圧を下げても(0Vにしても)分極が残る現象(残留分極)が発生する強誘電体材料が知られている。強誘電体材料は、このような電気的特性のため、電子デバイスとして、例えば、抵抗変化型メモリなどの応用が考えられている。

特に、鉛(Pb)を含まないビスマス系酸化物材料であるビスマスフェライト系(例えば、BiFeO3)の材料は、その安全性に加えて、良好な強誘電性・圧電性を有しているため、不揮発メモリ、圧電デバイス材料などへの応用が幅広く検討されている。

例えば、特許文献1及び非特許文献1には、BiFeO3系材料を用いた抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory、ReRAM)が開示されている。上記の抵抗変化型メモリは、第1電極の金属である白金(Pt)に、欠陥があり導電性を有する強誘電体物Bi1-xFeO3を整流接合し、さらに第2電極にオーミック接合して形成される。上記の抵抗変化型メモリにおいては、第1電極と第2電極の間に電圧を印加して、BiFeO3層に電気分極反転を起こさせることにより、安定なメモリ抵抗変化を実現している。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、強誘電体を用いた抵抗変化型メモリに関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成された強誘電体層と、
前記強誘電体層中における分極により変化する第1エネルギー障壁を有するように、前記強誘電体層の第1主面上に形成された第1電極層と、
前記強誘電体層中における分極により変化する第2エネルギー障壁を有するように、前記第1主面とは反対側の前記強誘電体層の主面である第2主面上に形成された第2電極層と、
を備え
前記第1電極層の電位が前記第2電極層の電位よりも高い正方向に前記強誘電体層中において分極反転可能な第1電圧を印加してONデータを書き込み、前記第1電極層の電位が前記第2電極層の電位よりも低い負方向に前記第1電圧を印加してOFFデータを書き込み、前記正方向に前記強誘電体層中において分極反転しない第2電圧を印加してデータを読み出す第1動作モードと、
前記負方向に前記第1電圧を印加してONデータを書き込み、前記正方向に前記第1電圧を印加してOFFデータを書き込み、前記負方向に前記第2電圧を印加してデータを読み出す第2動作モードと、
をメモリ動作モードとして含む、
抵抗変化型メモリ。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

※Click image to enlarge.

JP2014105646thum.jpg
State of application right Registered
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close