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TRANSPARENT CONDUCTIVE BODY AND PRODUCTION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE BODY

Patent code P150011358
File No. S2013-0225-N0
Posted date Feb 19, 2015
Application number P2013-033096
Publication number P2014-162033A
Patent number P6099260
Date of filing Feb 22, 2013
Date of publication of application Sep 8, 2014
Date of registration Mar 3, 2017
Inventor
  • (In Japanese)川原田 洋
  • (In Japanese)長谷川 雅考
Applicant
  • (In Japanese)学校法人早稲田大学
  • (In Japanese)国立研究開発法人産業技術総合研究所
Title TRANSPARENT CONDUCTIVE BODY AND PRODUCTION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE BODY
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a p-type transparent conductive body that can be stably formed; and a production method of the conductive body.
SOLUTION: Provided is a transparent conductive body that includes a diamond thin film, and the diamond thin film is formed in a surface at least 600°C of a film forming temperature, and includes: a high concentration area in which a boron concentration is at least 1×1021 cm-3; a low concentration area that is formed in a depth direction of the high concentration area, and in which the boron concentration is a low concentration area lower by at least one digit than that of the high concentration area; and an area that is formed between the high concentration area and the low concentration area, and has a concentration gradient of boron in a depth direction.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

透明導電体は、光透過性と導電性とを有し、液晶パネルやプラズマディスプレイ(PDP;Plasma Display Panel),有機ELパネル(OELD;Organic Electroluminescence Display)などのフラットパネル・ディスプレイ(FPD;Flat Panel Display)に多く用いられる。さらに透明導電体は、抵抗膜方式のタッチ・パネル,太陽電池,青色発光ダイオード(LED;Light Emitting Diode)の電極などにも用いられる。

現在、実用化されている透明導電体として、スズを添加した酸化インジウム(ITO;Indium Tin Oxide)が知られている。ITOは、主にスパッタリング法により形成される。ところが、ITOは主成分であるインジウムが希少な天然資源であると共に、製造工程において原料であるインジウムのターゲット材に多量の廃材が生じる、という問題がある。

これに対し、カーボン等の一般的な物質を用いたITOに代わる透明導電体が開発されている(例えば特許文献1)。特許文献1には、グラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電体が開示されている。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、透明導電体及び透明導電体の製造方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ダイヤモンド薄膜を備える透明導電体であって、
前記ダイヤモンド薄膜は、
600℃以上の成膜温度で表面に形成され、ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域と、
前記高濃度領域の深さ方向に形成され、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域と、
前記高濃度領域と前記低濃度領域の間に形成され、深さ方向にホウ素の濃度勾配を有する領域と
を備えることを特徴とする透明導電体。

【請求項2】
 
前記高濃度領域の結晶粒の平均粒径が50nm以下であることを特徴とする請求項1記載の透明導電体。

【請求項3】
 
移動度が2cm2V-1・sec-1以上、シート抵抗が350Ω/Sq以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の透明導電体。

【請求項4】
 
ホウ素濃度が1×1021cm-3以上の高濃度領域を有するダイヤモンド薄膜を備える透明導電体を製造する製造方法であって、ホウ素濃度が前記高濃度領域より1桁以上低い低濃度領域上に、前記高濃度領域を600℃以上の成膜温度で形成する工程を備えることを特徴とする透明導電体の製造方法。

【請求項5】
 
移動度が2cm2V-1・sec-1以上、シート抵抗が350Ω/Sq以下であることを特徴とする請求項4記載の透明導電体の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
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