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(In Japanese)固体電子装置 meetings

Patent code P150011398
File No. E086P41WO
Posted date Feb 24, 2015
Application number P2012-551404
Patent number P5293983
Date of filing Oct 25, 2012
Date of registration Jun 21, 2013
International application number JP2012077623
Date of international filing Oct 25, 2012
Priority data
  • P2011-245915 (Nov 9, 2011) JP
Inventor
  • (In Japanese)下田 達也
  • (In Japanese)▲徳▼光 永輔
  • (In Japanese)尾上 允敏
  • (In Japanese)宮迫 毅明
Applicant
  • (In Japanese)国立研究開発法人科学技術振興機構
Title (In Japanese)固体電子装置 meetings
Abstract (In Japanese)本発明の1つの固体電子装置は、ビスマス(Bi)を含む前駆体及びニオブ(Nb)を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層を、酸素含有雰囲気中において加熱することにより形成される、そのビスマス(Bi)とそのニオブ(Nb)からなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、その酸化物層を形成するための加熱温度が、520℃以上650℃以下である。
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

従来から、固体電子装置の一例である薄膜キャパシタにおいては、高速動作の期待できる強誘電体薄膜を備えた薄膜キャパシタが開発されている。キャパシタに用いる誘電体材料としては、金属酸化物が現在盛んに検討されており、上記の強誘電体膜の形成方法としては、スパッタリング法が広く用いられている(特許文献1)。

Field of industrial application (In Japanese)

本発明は、固体電子装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
ビスマス(Bi)を含む前駆体及びニオブ(Nb)を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層を、酸素含有雰囲気中において加熱することにより形成される、前記ビスマス(Bi)と前記ニオブ(Nb)からなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、
前記酸化物層を形成するための加熱温度が、520℃以上550℃以下であり、かつ
前記酸化物層が、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、
固体電子装置。

【請求項2】
 
前記酸化物層は、炭素含有率が1.5atm%以下である、
請求項1に記載の固体電子装置。

【請求項3】
 
前記酸化物層を形成する前に、酸素含有雰囲気中において80℃以上300℃以下で前記前駆体層を加熱した状態で型押し加工を施すことによって、前記前駆体層の型押し構造が形成されている、
請求項1又は請求項2に記載の固体電子装置。

【請求項4】
 
1MPa以上20MPa以下の範囲内の圧力で前記型押し加工を施す、
請求項3に記載の固体電子装置。

【請求項5】
 
予め、80℃以上300℃以下の範囲内の温度に加熱した型を用いて前記型押し加工を施す、
請求項3又は請求項4に記載の固体電子装置。

【請求項6】
 
前記固体電子装置が、キャパシタである、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の固体電子装置。

【請求項7】
 
前記固体電子装置が、半導体装置である、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の固体電子装置。

【請求項8】
 
前記固体電子装置がMEMSデバイスである、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の固体電子装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
State of application right Registered
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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